Pendahuluan Transistor BJT

pada sebuah transistor npn, pembawa mayoritas pada emitter adalah ....

• elektron bebas

• hole

potensial barrier pada lapisan tipis silikon adalah....

• 0

• 0.3 volt

• 0.7 volt

• 1 volt

dioda emitter selalu ....

• dibias maju

• dibias mundur

• mengambang

• dioperasikan dapa daerah breakdown

pada operasi normal, dioda collector pada transistor harus ......

• dibias maju

• dibias mundur

• mengambang

• dioperasikan pada daerah breakdown

sebagian besar elektron pada basis transistor npn mengalir .....

• keluar kaki basis

• masuk ke daerah collector

• masuk ke daerah emitter

• masuk ke sumber daya basis

nilai beta transistor atau penguat arus transistor merupakan rasio antara ....

• arus collector terhadap arus emitter

• arus collector terhadap arus basis

• arus basis terhadap arus collector

• arus emitter terhadap arus collector

meningkatkan tegangan sumber daya collector (Vcc) akan meningkatkan .....

• arus basis

• arus emitter

• arus collector

• tidak meningkatkan Ib, Ic, maupun Ie

pada transistor pnp, pembawa mayoritas pada emitter adalah

• elektron bebas

• hole

jika penguatan arus (ßdc) sebesar 100 dan arus collector sebesar 10mA, maka nilai arus basis adalah

• 10uA

• 100uA

• 1A

• 10A

tegangan basis-emitter selalu ....

• lebih rendah dari tegangan sumber basis (Vbb)

• sama dengan tegangan sumber basis (Vbb)

• lebih besar dari tegangan sumber basis (Vbb)