Лекция 3 (люм) Вариант 1

Какой процесс протекает быстрее?

• Фосфоресценция

• Флуоресценция

• Колебательная релаксация

Положение 0-0 перехода одинаково для спектров поглощения и флуоресценции, но спектр излучения в целом и его максимум всегда сдвинуты по сравнению со спектром поглощения и его максимумом в сторону длинных волн.

• Правило Левшина

• Правило Стокса-Ломмеля

• Правило Каша

• Закон Вавилова

Излучение фотона (в случае флуоресценции это переход между синглетными состояниями Sn) происходит только с низшего возбужденного состояния S1.

• Правило Левшина

• Правило Стокса-Ломмеля

• Правило Каша

• Закон Вавилова

Фосфоресценция – это энергетический переход молекулы красителя из … в основное состояние.

• первого возбужденного синглетного состояния

• любого возбужденного синглетного состояния

• первого возбужденного триплетного состояния

Зависимость интенсивности люминесценции от времени - ...

• экспоненциальная

• линейная

• квадратичная

• логарифмическая

Назовите тип влияния молекул тушителя (Q) на возбужденное состояние молекулы (M*): Q в недостатке и взаимное столкновение M* и Q невозможно за время жизни возбужденного состояния М (из-за высокой вязкости среды или слишком короткого времени жизни).

• Статическое тушение

• Дальнодействующий безызлучательный перенос энергии

• Динамическое тушение

Что не относится к взаимодействиям, обусловленным межмолекулярным орбитальным перекрыванием?

• Диполь-дипольное взаимодействие по механизму Фёрстера

• Обменно-резонансные взаимодействия

• Обменное взаимодействие по механизму Декстера

• Триплетный перенос энергии

Механизм Декстера эффективен на расстояниях до…

• 100 Å

• 10 Å

• 50 Å

• 500 Å

При уменьшении размера квантовой точки максимум спектра ее люминесценции…

• сдвигается в коротковолновую область спектра

• сдвигается в длинноволновую область спектра

• остается неизменным

Как реализуется получение квантовых точек первого типа?

• Оболочка из полупроводника с большой шириной запрещенной зоны наращивается на ядро из полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны

• Оболочка из полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны наращивается на ядро из полупроводника с большей шириной запрещенной зоны

• Энергетические уровни электрона и дырки в оболочке располагаются ниже, чем в ядре; при этом ширина запрещенной зоны оболочки примерно такая же, как у ядра

• Энергетические уровни электрона и дырки в оболочке располагаются выше, чем в ядре; при этом ширина запрещенной зоны оболочки примерно такая же, как у ядра