MOSFET-4

台積電在2021主要是幾奈米的製程？(單選)

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當MOSFET縮小化會有什麼現象產生？(複選)

• 短通道效應

• 窄通道效應

• 本體碰穿

• 漏電流增加

對於短通道效應，下列敘述何者有誤？(單選)

• 源極與汲極的電場會影響電荷分佈

• n通道的臨界電壓往較大的正電壓偏移

• p通道的臨界電壓往較小的負電壓偏移

• 汲極電壓增加會造成臨界電壓下滑更厲害

關於CMOS閂鎖現象，下列敘述何者正確？(複選)

• 只由結構中寄生的 p-n-p電晶所造成

• 結構中形成閘流體，且形成負授回路

• 電源供應處(V_DD)會有一個大電流流向接地點(V_SS)

• 此現象會有高功率散逸問題產生，進而燒毀chip

如何避免 CMOS 閂鎖現象？(複選)

• 利用金摻雜或中子幅射引進深陷阱

• 提高基板摻雜濃度

• 降低寄生電路中well(區域)的基極雜質濃度

• 採用SOI的技術