MOSFET-4
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MULTIPLE CHOICE QUESTION
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台積電在2021主要是幾奈米的製程？(單選)
7
5
3
2
2.
MULTIPLE SELECT QUESTION
2 mins • 1 pt
當MOSFET縮小化會有什麼現象產生？(複選)
短通道效應
窄通道效應
本體碰穿
漏電流增加
3.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
3 mins • 1 pt
對於短通道效應，下列敘述何者有誤？(單選)
源極與汲極的電場會影響電荷分佈
n通道的臨界電壓往較大的正電壓偏移
p通道的臨界電壓往較小的負電壓偏移
汲極電壓增加會造成臨界電壓下滑更厲害
4.
MULTIPLE SELECT QUESTION
3 mins • 1 pt
關於CMOS閂鎖現象，下列敘述何者正確？(複選)
只由結構中寄生的 p-n-p電晶所造成
結構中形成閘流體，且形成負授回路
電源供應處(VDD)會有一個大電流流向接地點(VSS)
此現象會有高功率散逸問題產生，進而燒毀chip
5.
MULTIPLE SELECT QUESTION
3 mins • 1 pt
如何避免 CMOS 閂鎖現象？(複選)
利用金摻雜或中子幅射引進深陷阱
提高基板摻雜濃度
降低寄生電路中well(區域)的基極雜質濃度
採用SOI的技術
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