Физика 50-100

Термоэлектірлік  гнераторлы датчик ... негізделген

• контурды қиып өтетін магнит ағынының өзгеруінен болатын индукциялық э.қ.к.

• деформация кезінде пъезокристалдардың  беттерінде екі түрлі зарядтардың пайда болуына

• фотоэффекті құбылысына

• тұйық тізбекте термо э.қ.к.

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің температураға тәуелділігіне

Терморезисторлы гнераторлы датчик ...негізделген.

• деформация кезінде пъезокристалдардың  беттерінде екі түрлі зарядтардың пайда болуына

• фотоэффекті құбылысына

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің температураға тәуелділігіне

• контурды қиып өтетін магнит ағынының өзгеруінен болатын индукциялық э.қ.к.

• тұйық тізбекте термо э.қ.к.

Пъезоэлектірлік  гнераторлы датчик ... негізделген.

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің температураға тәуелділігіне

• контурды қиып өтетін магнит ағынының өзгеруінен болатын индукциялық э.қ.к.

• тұйық тізбекте термо э.қ.к.

• фотоэффекті құбылысына

• деформация кезінде пъезокристалдардың  беттерінде екі түрлі зарядтардың пайда болуына

Өлшенетін шаманың белсенді кедергісінің өзгеруіне негізделген  параметірлік датчик:

• сиымдылықты

• реостатты

• терморезисторлы

• тензометрлі

• индуктивті

Жартылай өткізгіш кедергісінің  жарық ағынына байланысты өзгеруіне негізделген параметірлік датчик:

• сиымдылықты

• индуктивті

• терморезисторлы

• фоторезисторлы

• тензометрлі

Тензометрлі – параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.

• механикалық деформация нәтижесінде  өткізгіш кедергісінің

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің кедергісінің температура

• магниттік өткізгіштің жеке элементтерінің орналасуына байланысты индуктивтілігінің

• кедергінің жарық түсуіне және басқа жарық сипаттамаларының

• сиымдылық кедергісінің

Индуктивті параметрлік датчиктер ... өзгеруіне негізделген.

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің кедергі температурасының

• кедергінің жарық түсуіне және басқа жарық сипаттамаларының

• магниттік өткізгіштің жеке элементтерінің орналасуына байланысты индуктивтілігінің

• сиымдылық кедергісінің

• механикалық деформация нәтижесінде өткізгіш кедергісінің

Терморезисторлы параметрлік датчиктер ... өзгеруіне негізделген.

• магниттік өткізгіштің жеке элементтерінің орналасуына байланысты индуктивтілігінің

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің кедергі температурасының

• сиымдылық кедергісінің

• механикалық деформация нәтижесінде  өткізгіш кедергісінің

Сиымдылық параметрилік датчиктер ... өзгеруіне негізделген.

• кедергінің жарық түсуіне және басқа жарық сипаттамаларының

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің кедергі температурасының

• механикалық деформация нәтижесінде  өткізгіш кедергісінің

• сиымдылық кедергісінің

• магниттік өткізгіштің жеке элементтерінің орналасуына байланысты индуктивтілігінің

Реостатты параметрилік датчиктер ... өзгеруіне негізделген.

• кедергінің жарық түсуіне және басқа жарық сипаттамаларының

• оның белсенді кедергісінің

• магниттік өткізгіштің жеке элементтерінің орналасуына байланысты индуктивтілігінің

• өткізгіш және жартылый өткізгіштің кедергі температурасының

• механикалық деформация нәтижесінде  өткізгіш кедергісінің