Методы характеризации наноструктур

Физической основой методов электронной микроскопии является:

• Волновая природа движущихся с большой скоростью электронов

• Явление локального усиления электрического поля вблизи наночастиц

• Эффект туннелирования электронов между образцом и проводящим наконечником

• Волновой сущностью фотонов с энергией порядка десятка эВ

Просвечивающий электронный микроскоп позволяет исследовать объекты:

• В любой среде

• В вакууме

• В газовой среде при повышенном давлении

• В газовой среде при пониженном давлении

Для построения изображений сканирующий электронный микроскоп использует:

• Ослабленные образцом первичные электроны

• Испускаемые образцом ионы

• Испускаемые образцом вторичные электроны

• Испускаемые образцов фотоны

Современные просвечивающие электронные микроскопы позволяют исследовать объекты с пространственным разрешением:

• Менее 1 нм

• Более 1 нм

Пространственное разрешение сканирующего электронного микроскопа по сравнению с просвечивающим

• На порядок величины ниже

• В 3-4 раза выше

• Примерно одинаково

• Примерно в десять пятнадцать пять десять пятого выше

Какое условие необходимо для достижения атомарного разрешения на атомно-силовом микроскопе?

• Вакуум

• Хорошая проводимость образца

• Использование очень тонкого образца

Люминесцентные методы являются:

• Более чувствительными, чем абсорбционные

• Чувствительность методов одинакова

• Менее чувствительными, чем абсорбционные

Комбинационное рассеяние света возникает в результате:

• Поглощения света исследуемым образцом

• Упругого рассеяния света исследуемым образцом

• Неупругого рассеяния света исследуемым образцом

Интенсивность комбинационного рассеяния света по сравнению с интенсивностью люминесценции:

• на 3-5 порядка больше

• На 3-5 порядка меньше

• Сравнима

• На 2-3 порядка больше

Для регистрации малоинтенсивного комбинационного рассеяния света необходимо:

• Подавить сигнал рэлеевского рассеяния

• Использовать призменные монохроматоры

• Охладить образец до низких температур