Quiz Potensiometri

Manakah yang tidak termasuk ke dalam elektroda ion selektif?

• Membran Gelas

• Elektroda Solid State

• Elektroda membran solid

• Elektroda Modifikasi (compound)

• Elektroda Biokimia

  Suatu elektroda memiliki potensial sbesar +1,201 V versus elektroda referensi Ag/AgCl. Berapakah potensialnya terhadap SCE ? E_Ag/AgCl = +0,197 V vs SHE dan E_SCE = +0,241 vs SHE

• 1,442 V

• 1,245 V

• 1,004 V

• 1,398 V

• 1,157 V

   Pada suatu eksperiman titrasi 100,0 mL larutan 0,100 M Cl- dengan 0,100 M Ag+, potensial elektroda Ag diukur terhadap elektroda referensi Ag/AgCl. Berapakah potensial setelah penambahan 75,00 ml titran? Diketahui bahwa E⁰Ag/Ag⁺=+0,799 V, EAg/AgCl=+0,197 dan Ksp AgCl = 1,8x10^-10.

• 0,493 V

• 1,070 V

• 0,521 V

• 1,267 V

• 0,134 V

  Untuk mengkompensasikan suatu matriks yang kompleks dan tidak diketahui, metode ……. dapat digunakan untuk menentukan konsentrasi suatu analit.

• Kurva kalibrasi

• Standar adisi

• Standarisasi

• Pengenceran

• Analisis least square

Pernyataan yang benar adalah .... (bisa lebih dari 1 jawaban)

• I.    Kation selalu meningkat potensialnya sebesar n x 59,16 mV dengan n adalah muatan kation

• II. Anion selalu menurun potensialnya sebesar n x 59,16 mV dengan n adalah muatan anion

• III.  Kation selalu meningkat potensialnya sebesar 59,16/n mV dengan n adalah muatan kation

• IV. Anion selalu menurun potensialnya sebesar 59,16/n mV dengan n adalah muatan anion

   Elektroda solid-state yang dapat merespon suatu anion berdasarkan potensial yang berkembang di sepanjang membrane solid-state melalui……, yang dapat mengizinkan anion bermigrasi disepanjang kristal.

• Doping membrane kristal sehingga tercdapat kekosongan (vakansi) anion.

•     Penggalian (drilling) saluran kecil (small channel) disepanjang kristal

•    Mereaksikan membrane kristal dengan asam kuat

•    Memoles (polishing) permukaan membrane kristal

• Mengikis (etching) permukaan membrane kristal dengan pemoles

   Elektroda solid-state yang dapat merespon suatu anion berdasarkan potensial yang berkembang di sepanjang membrane solid-state melalui……, yang dapat mengizinkan anion bermigrasi disepanjang kristal.

• Doping membrane kristal sehingga tercdapat kekosongan (vakansi) anion.

•     Penggalian (drilling) saluran kecil (small channel) disepanjang kristal

•    Mereaksikan membrane kristal dengan asam kuat

•    Memoles (polishing) permukaan membrane kristal

• Mengikis (etching) permukaan membrane kristal dengan pemoles

   ……….. merupakan perbedaan potensial yang berkembang ketika dua buah larutan elektrolit yang tidak sama berhubungan (in-contact).

• Potensial ion

• Potensial elektrolit

• A.     Potensial kation

• A.     Potensial junction

• A.     Potensial anion

Pernyataan yang tidak tepat adalah ..... (bisa lebih dari satu jawaban)

• I.  Dua buah elektroda referensi mengukur perbedaan potensial disepanjang elektroda selektif membran cair (organic polymer membrane)

• II. Membrane polimer organic memisahkan larutan dalam dengan larutan luar (analit).

• III. Membrane polimer organic bersifat hidrofobik dan diimpregnasi dengan larutan organic viscous yang mengandung penukar ion (ion exchanger) dan ligan untuk analit ion tertentu.

• IV.  Perbedaan potensial disepanjang membrane polimer organic terjadi ketika ion analit yang diisisipkan (embedded) berdifusi ke dalam larutan aqueous dalam sehingga tercipta potensial junction.

• V.   Perbedaan potensial tergantung hanya pada aktivitas ion analit di larutan luar

Sensor kimia solid-state dapat dimanufaktur menggunakan semikonduktor seperti Si dan Ge. Penodaan (doping) meningkatkan konduktifitas Si. Pernyataan yang tidak tepat terkait doping silikon adalah

• Pada pen-dopingan terjadi penggantian beberapa atom silikon dengan atom dari unsur berbeda

•   Pendopingan silicon dengan fosfor meningkatkan konduktifitas silicon dengan menyediakan konduktivitas electron yang bebas bergerak disepanjang kristal

• Pendopingan Si dengan Al meningkatkan konduktivitas silikon dengan menciptakan kekosongan (vacancy) yang disebut hole dan berperilaku seperti pembawa muatan negative

• Semikonduktor Si tipe-n memiliki kelebihan electron

•   Semikonduktor Si tipe-p memiliki kelebihan hole