PM - PF

Pamięć flash

• odmiana pamięci EEPROM

• odmiana pamięci EPROM

• odmiana pamięci DDR

• odmiana pamięci ROM

Flash zapisuje dane

• sekwencyjnie

• na dowolnym obszarze (przeciwieństwo sekwencyjności)

Wykorzystuje do przechowywania danych tranzystory polowe_____ posiadającą dodatkową warstwę określaną jako bramka pływająca (swobodna), izolującą bramkę sterującą od dielektryka

NOR ---- Zaznacz informacje prawidłowe (wypisz liczby w jednym ciągu):

1. 1. komórki są łączone równolegle - macierzowa
   2.komórki są łączone szeregowo

2. 3. dane są pobierane w postaci stron (kolumn)

3. 4.swobodny dostęp do danych w poszczególnych komórkach

4. 5. uniemożliwia odczyt pojedynczej komórki

5. 6. proces zapisu i kasowania jest wolny

6. 7.proces kasowania jest szybki

7. 8. duża gęstość zapisu

8. 9. główną rolę odgrywa szybkość odczytu

9. 10. stosowane np. do przechowywania oprogramowania niskopoziomowego(firmware)

10. 11. stosowane np. w pamięciach masowych typu pendrive, dyski SSD, karty pamięci

11. 12. Proces P/E - brak możliwości zapisania bitu bez uprzedniego skasowania i nadpisania bardzo dużych bloków danych

NAND ---- Zaznacz informacje prawidłowe (wypisz liczby w jednym ciągu):

1. 1. komórki są łączone równolegle - macierzowa
   2.komórki są łączone szeregowo

2. 3. dane są pobierane w postaci stron (kolumn)

3. 4.swobodny dostęp do danych w poszczególnych komórkach

4. 5. uniemożliwia odczyt pojedynczej komórki

5. 6. proces zapisu i kasowania jest wolny

6. 7.proces kasowania jest szybki

7. 8. duża gęstość zapisu

8. 9. główną rolę odgrywa szybkość odczytu

9. 10. stosowane np. do przechowywania oprogramowania niskopoziomowego(firmware)

10. 11. stosowane np. w pamięciach masowych typu pendrive, dyski SSD, karty pamięci

11. 12. Proces P/E - brak możliwości zapisania bitu bez uprzedniego skasowania i nadpisania bardzo dużych bloków danych

klasa prędkości UHS

• minimalna prędkość zapisu

• szybkość wczytywania danych

• szybkość łączenia się z pamięcią RAM i systemem operacyjnym (w nowszych z procesorem)

• minimalna szybkość odczytu

SLC

• mała gęstość zapisu

• duża odporność na wysoką temperaturę

• wydajna praca

• wykorzystywany głównie w serwerach

• duża trwałość

TLC

• pozwala przechowywać nawet do 3-bitów jednocześnie

• odczytywanie i zapisywanie wolniejsze od SLC i mniejsza żywotność

• do użytku domowego

• pozwala przechowywać nawet do 4-bitów jednocześnie

MLC

• kompromis między szybkością i trwałością SLC

• duża gęstość zapisu

• duża odporność na wysoką temperaturę

• mała trwałość

3D NAND oraz V-NAND

• komórki mogą być układane warstwami

• zwiększa pojemność nośników

• pozwala na automatyczne łączenie nośnika ( w nowszych x4) z magistralą PCI Express

• odpowiada za wymianę informacji między pamięcią a interfejsem dysku