sesiune

sesiune

47 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

sus

sus

1st - 5th Grade

51 Qs

Art. 17-H al 17-I

Art. 17-H al 17-I

KG - University

45 Qs

Artículo 17-C al 17-D

Artículo 17-C al 17-D

KG - University

50 Qs

Cuestionario sobre la Flor

Cuestionario sobre la Flor

KG

48 Qs

América del Norte

América del Norte

KG - University

51 Qs

continente de Asia

continente de Asia

KG - University

50 Qs

Nursing Adevarat / Fals

Nursing Adevarat / Fals

KG

46 Qs

proba practica

proba practica

KG

43 Qs

sesiune

sesiune

Assessment

Quiz

Others

Hard

Created by

4zmfk7n2rr apple_user

Used 10+ times

FREE Resource

47 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

  1. Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor?

  1. Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire?

  1. Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire

  1. Informatia este stocata in bistabilele realizate cu tranzistoare MOS

  1. IInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotantA

  1. Informatia este stocata in condensatoare

2.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Media Image

Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis?

  1. Raportul dintre rezistentele R1 si R2

  1. Intrarea Vi setata la 1 logic

  1. Diferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire

  1. Utilizarea unui comparator in locul unui amplificator

3.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Media Image

Se consideră circuitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 răspunsuri)

Circuitul se poate afla doar în stări instabile

Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determină scăderea potentialului în baza tranzistorului Q1

Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potențialului în baza tranzistorului Q1

Circuitul se poate afla in doua stán, una stabilă si una stabil

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (eg. UART), daca se utilizeaza un oscilator un frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (Selectati 1 raspuns):

115

104

75

12

5.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeți 2răspunsuri)?

Operatia de citire nu este distructiva

Este o memorie volatila

Este o memorie nevolatila

Este o memorie adresabila prin continut

Operatia de citire este distructiva


6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

La dispozitivele de căutare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns):

Returnează semnale de matching ce descriu datele cautate

Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate

Primeşte datele căutate şi genereaza adresa datelor

Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

45 sec • 1 pt

Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)

Creste consumul de putere

Poarta nu consumă curent

Toate variantele

Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat

Create a free account and access millions of resources

Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports
or continue with
Microsoft
Apple
Others
By signing up, you agree to our Terms of Service & Privacy Policy
Already have an account?