
sesiune
Authored by 4zmfk7n2rr apple_user
Others
Used 10+ times

AI Actions
Add similar questions
Adjust reading levels
Convert to real-world scenario
Translate activity
More...
Content View
Student View
47 questions
Show all answers
1.
MULTIPLE SELECT QUESTION
45 sec • 1 pt
Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor?
Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor?
Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire?
Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Informatia este stocata in bistabilele realizate cu tranzistoare MOS
IInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotantA
Informatia este stocata in condensatoare
2.
MULTIPLE SELECT QUESTION
45 sec • 1 pt
Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis?
Raportul dintre rezistentele R1 si R2
Intrarea Vi setata la 1 logic
Diferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire
Utilizarea unui comparator in locul unui amplificator
3.
MULTIPLE SELECT QUESTION
45 sec • 1 pt
Se consideră circuitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 răspunsuri)
Circuitul se poate afla doar în stări instabile
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determină scăderea potentialului în baza tranzistorului Q1
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potențialului în baza tranzistorului Q1
Circuitul se poate afla in doua stán, una stabilă si una stabil
4.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (eg. UART), daca se utilizeaza un oscilator un frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (Selectati 1 raspuns):
115
104
75
12
5.
MULTIPLE SELECT QUESTION
45 sec • 1 pt
Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeți 2răspunsuri)?
Operatia de citire nu este distructiva
Este o memorie volatila
Este o memorie nevolatila
Este o memorie adresabila prin continut
Operatia de citire este distructiva
6.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
La dispozitivele de căutare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns):
Returnează semnale de matching ce descriu datele cautate
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate
Primeşte datele căutate şi genereaza adresa datelor
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate
7.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
45 sec • 1 pt
Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)
Creste consumul de putere
Poarta nu consumă curent
Toate variantele
Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat
Access all questions and much more by creating a free account
Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports

Continue with Google

Continue with Email

Continue with Classlink

Continue with Clever
or continue with

Microsoft
%20(1).png)
Apple
Others
Already have an account?