Search Header Logo

sesiune

Authored by 4zmfk7n2rr apple_user

Others

47 Questions

Used 10+ times

sesiune
AI

AI Actions

Add similar questions

Adjust reading levels

Convert to real-world scenario

Translate activity

More...

    Content View

    Student View

1.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

  1. Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor?

  1. Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire?

  1. Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire

  1. Informatia este stocata in bistabilele realizate cu tranzistoare MOS

  1. IInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotantA

  1. Informatia este stocata in condensatoare

2.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Media Image

Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis?

  1. Raportul dintre rezistentele R1 si R2

  1. Intrarea Vi setata la 1 logic

  1. Diferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire

  1. Utilizarea unui comparator in locul unui amplificator

3.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Media Image

Se consideră circuitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 răspunsuri)

Circuitul se poate afla doar în stări instabile

Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determină scăderea potentialului în baza tranzistorului Q1

Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potențialului în baza tranzistorului Q1

Circuitul se poate afla in doua stán, una stabilă si una stabil

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (eg. UART), daca se utilizeaza un oscilator un frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (Selectati 1 raspuns):

115

104

75

12

5.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeți 2răspunsuri)?

Operatia de citire nu este distructiva

Este o memorie volatila

Este o memorie nevolatila

Este o memorie adresabila prin continut

Operatia de citire este distructiva


6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

La dispozitivele de căutare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns):

Returnează semnale de matching ce descriu datele cautate

Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate

Primeşte datele căutate şi genereaza adresa datelor

Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

45 sec • 1 pt

Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)

Creste consumul de putere

Poarta nu consumă curent

Toate variantele

Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat

Access all questions and much more by creating a free account

Create resources

Host any resource

Get auto-graded reports

Google

Continue with Google

Email

Continue with Email

Classlink

Continue with Classlink

Clever

Continue with Clever

or continue with

Microsoft

Microsoft

Apple

Apple

Others

Others

Already have an account?