optografia

Które techniki epitaksjalne są metodami chemicznymi?

• MOVPE i HVPE

• MBE i MOVPE

• MBE i LPE

• LPE i HVPE

Na podstawie poniższego rysunku zaznacz prawidłowy wzór na współczynnik masy powietrza AM

• AM = X / Y

• AM = X / cosΘ

• AM = Y / X

• AM = cosΘ

• AM = 1 / cosΘ

Zaznacz poprawne stwierdzenia odnośnie przejść absorpcyjnych i promienistych przejść emisyjnych

• Dzięki szybkiej termalizacji wzbudzonych nośników widma emisyjne są bardzo szerokie (w odróżnieniu od widm absorpcyjnych)

• Teoretycznie przejścia promieniste są możliwe między wszystkimi stanami, dla których dopuszczalne są przejścia absorpcyjne

• Dzięki szybkiej termalizacji wzbudzonych nośników widma emisyjne są bardzo wąskie (w odróżnieniu od widm absorpcyjnych)

• W praktyce, w procesie emisji światła bierze udział tylko niewielka część stanów w pobliżu dna pasma przewodnictwa i w pobliżu wierzchołka pasma podstawowego

• Nośniki, które po wzbudzeniu mają nadmiar energii w stosunku do ekstremów pasm, szybko termalizują przez relaksację, zanim nastąpi ich rekombinacja promienista

Wewnętrzna sprawność kwantowa diody LED ηwew:

• Zależy od parametrów materiałowych diody LED (np. poziomu domieszkowania)

• Oznacza efektywność generacji fotonów w obszarze czynnym diody LED (złączu p-n)

• Oznacza sprawność wyprowadzenia generowanego promieniowania na zewnątrz diody LED

• Nie zależy od parametrów materiałowych diody LED

• Jest iloczynem efektywności wstrzykiwania elektronów do złącza p-n oraz wewnętrznej sprawności rekombinacji promienistej

Wydajność świetlna (sprawność) diod LED to

• Wskaźnik wydajności diody LED w porównaniu z początkiem jej pracy (wyrażony w % początkowego strumienia)

• Stosunek strumienia świetlnego diody LED do doprowadzonej mocy elektrycznej (Im/W)

• Stosunek strumienia świetlnego diody LED, padającego prostopadle na powierzchnię oświetlaną, do tej powierzchni (1x)

• Sprawność wyprowadzenia światła na zewnątrz diody LED (%)

Pasma energetyczne w kryształach

• Oddzielone są od siebie pasmem wzbronionym (tzw. przerwą energetyczną)

• Powstają na wskutek oddziaływań pomiędzy elektronami sąsiednich (blisko położonych względem siebie) atomów

• Tworzą kwaziciągłe pasma zwane dozwolonymi pasmami energetycznymi

• Są wszystkie całkowicie zapełnione

• Powstają w odizolowanym pojedynczym atomie

Patrząc na poniższe wzory, zdefiniuj parametry n i k oraz ośrodek, w którym propaguje się światło, gdy jego przewodność elektryczna σ dąży do zera:

• n - część rzeczywista zespolonego współczynnika załamania, k - część urojona zespolonego współczynnika załamania, ośrodek staje się izolatorem i przezroczysty dla promieniowania

• n - część urojona zespolonego współczynnika załamania, k - współczynnik ekstynkcji, ośrodek staje się izolatorem i przezroczysty dla promieniowania

• n - część rzeczywista zespolonego współczynnika załamania, k - współczynnik ekstynkcji, ośrodek staje się izolatorem i silnie pochłania promieniowanie

• n - część rzeczywista zespolonego współczynnika załamania, k - współczynnik ekstynkcji, ośrodek staje się przewodnikiem prądu i przezroczysty dla promieniowania

• n - część rzeczywista zespolonego współczynnika załamania, k - współczynnik ekstynkcji, ośrodek staje się izolatorem i przezroczysty dla promieniowania

Podstawowe funkcje rezonatora w laserze to

• Wymusza oscylacje na częstościach rezonansowych

• Odpowiada za pompowanie obszaru czynnego

• Zapewnia dodatnie sprzężenie zwrotne konieczne do podtrzymania oscylacji

• Zapewnia inwersję obsadzeń dozwolonych stanów energetycznych

• Zapewnia lepszą monochromatyczność oraz równoległość wiązki emisyjnej

Grubość krytyczna warstwy epitaksjalnej hcr

• Maleje ze wzrostem niedopasowania sieciowego

• Nie zależy od niedopasowania sieciowego warstwy epitaksjalnej w stosunku do podłoża

• Rośnie ze wzrostem niedopasowania sieciowego

• To maksymalna grubość warstwy epitaksjalnej, niedopasowanej do podłoża, która nie powoduje generacji defektów niedopasowania

Zdefiniuj konstrukcję diody LED z poniższego rysunku

• Biheterozłączowa dioda Burrusa o emisji powierzchniowej SLED

• Dioda krawędziowa ELED o konstrukcji paskowej

• Dioda o emisji powierzchniowej SLED, dostosowana do sprzęgania ze światłowodem

• Dioda o emisji powierzchniowej SLED ze wzmocnieniem wnękowym - RCE LED