113-1電機二乙電子學2-2

有關二極體PN電容特性，下列敘述何者有誤？

• 空乏電容與逆向偏壓成反比

• 空乏電容與空乏區寬度成反比

• 擴散電容與順向偏壓成正比

• 擴散電容與電子電洞平均壽命無關

有一P-N接面二極體，若P型的雜質濃度高於N型，其空乏區以哪一型區所佔的寬度較大？

• N型區

• P型區

• 兩區相等

• 無法比較

室溫下，矽二極體的障壁電位(壓)為何？

• 0.1

• 0.3

• 0.5

• 0.7

室溫下，鍺(Ge)二極體每上升1^oC則障壁電壓有何影響？

• +1mV

• -1mV

• +2.5mV

• -2.5mV

障壁電位是因為在空乏區內有什麼？

• 自由電子

• 電洞

• 自由電子與電洞

• 正離子與負離子

PN接面二極體的障壁電位，其極性為何？

• P端為正，N端為負

• P端為負，N端為正

• 視溫度而定

• 視雜質濃度而定

P型半導體與N型半導體結合時，在PN接面會形成空乏區，在靠P側的空乏區內有什麼？

(a)  

PN接面於逆向偏壓時，其電流是如何形成的？

• 由多數載子形成

• 僅由電洞形成

• 由少數載子形成

• 僅由自由電子形成

• 由電洞及自由電子形成

以下二極體符號PN接面標示何者正確？（複選）

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請嘗試畫出二極體以及其實際二極體之等效電路（方向要對）

Answer explanation