5 CVD и эпитаксия

Какой газ обычно используется в качестве газ-носителя в процессе CVD?

• О2

• H2

• CO2

• Ar

Какой фактор определяет скорость процесса CVD?

• Температура подложки

• Скорость откачки

• Концентрация реагентов

• Скорость наиболее медленной стадии

Какой из следующих факторов не является требованием к идеальному предшественнику для CVD?

• Летучесть

• Токсичность

• Чистота

• Термическая стабильность

Какой метод CVD использует лазерное излучение для нагрева подложки?

• Фотостимулированное CVD

• Металлорганическое CVD

• Гибридное CVD

• Атомно-слоевое CVD

Какое давление в рабочей камере CVD считается низким?

• 1-5 Торр

• 0,25-2,0 Торр

• 10-20 Торр

• 20-50 Торр

Какой из следующих методов CVD использует аэрозоль для транспортировки прекурсоров?

• AACVD

• DLICVD

• MOCVD

• HWCVD

Какой процесс характеризуется ориентированным наращиванием монокристаллических слоев?

• Эпитаксия

• Сублимация

• Кристаллизация

• Дифузия

Какой режим роста реализуется при условии σsubstrate < γinterface + σfilm?

• Странски-Крастанов рост

• Островковый рост

• Гомоэпитаксиальный рост

• Послойный рост

Какой метод используется для получения эпитаксиального кремния?

• Жидкофазная эпитаксия

• Газофазная эпитаксия

• Разложение силана

• Твердофазная эпитаксия

Какой из следующих факторов не влияет на скорость роста пленки в процессе CVD?

• Скорость откачки

• Материал подложки

• Концентрация паров

• Температура подложки