NAND Flash 퀴즈

오늘 수업에서 배우고 싶은 내용이 있거나

수업에 대하여 제안하고 싶은 것이 있다면

자유롭게 낙서해 주세요.

NAND Flash Memory의 특징이 아닌 것은?

• 저가

  (Low Cost)

• 비휘발성

  (Non-volatile)

• 고속 동장

  (High Speed)

• 저전력

  (Low Power)

Answer explanation

NAND Flash Memory는 저가, 비휘발성, 저전력의 특징이 있지만, DRAM 등 다른 Memory 대비하여 늦은 동작 속도를 가지고 있습니다. 따라서 '고속 동작'은 NAND Flash Memory의 특징이 아닙니다.

플로팅 게이트에서 전자가 빠져 나올 경우 문턱전압은 어떻게 바뀌는가?

• Positive Shift

• Negative Shift

• 변화 없음

• Negative Shift 후

  Positive Shift

Answer explanation

플로팅 게이트에서 전자가 빠져 나가면 게이트의 전하가 감소하여 문턱전압이 낮아집니다. 이로 인해 문턱전압이 감소하므로, 정답은 Negative Shift입니다.

Cell들을 연결한 Cell Array의 최소 단위를 무엇이라 하는가?

• Bit Line

• String

• Word Line

• Source Line

Answer explanation

Cell Array의 최소 단위는 'String'입니다. 이는 여러 Cell들이 연결되어 하나의 단위를 형성하는 구조로, 다른 선택지인 Bit Line, Word Line, Source Line과는 구별됩니다.

다음은 NAND Flash Memory가 2D에서 3D로 전환되면서 바뀐 것을 나타내었다. 잘못 된 것은?

• Floating Gate -->

  Charge Trap Nitride

• 1층짜리 단층 구조 -->

  3차원 아파트 구조

• MIMIS -->

  MONOS

• Tox 물질이 절연체 -->

  반도체

Answer explanation

1층짜리 단층 주택을 3차원적인 아파트로 전환,

전하를 저장하는 물질을 Floating Gate 대신에 Charge Trap Nitride 로 전환하였고, 이로 인해 Cell의 구조가 MIMIS에서 MONOS 구조로 전환

3D NAND Flash를 만들기 위한 4대 핵심 공정이 아닌 것은?

• Slim

• Slit

• Slip

• Plug

Answer explanation

Plug, Slim, Slit, Metal Replacement

3D NAND Flash 제작 공정 중 가장 중요한 Plug 공정에서 발생한 주요 이슈가 아닌 것은?

• 면적 증가

• Not Open

• Bowing

• Top-Bottom

  CD 차이

Answer explanation

면적 증가 이슈는 WL 전압 전달을 위한 Slim 공정의 이슈입니다.