TKHTN-W4-Memory

Loại bộ nhớ nào trong vi điều khiển có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi mất điện?

• SRAM

• DRAM

• Flash Memory

• Cache Memory

Bộ nhớ RAM trong vi điều khiển thường được sử dụng để:

• Lưu trữ chương trình

• Lưu trữ dữ liệu tạm thời

• Lưu trữ dữ liệu cố định

• Lưu trữ hệ điều hành

Loại bộ nhớ nào có tốc độ truy cập nhanh nhất trong vi điều khiển?

• EEPROM

• SRAM

• DRAM

• Flash Memory

Bộ nhớ EEPROM thường được sử dụng để:

• Lưu trữ dữ liệu tạm thời

• Lưu trữ chương trình khởi động

• Lưu trữ dữ liệu cần ghi/xóa nhiều lần

• Lưu trữ dữ liệu lớn

Trong vi điều khiển, bộ nhớ Flash thường được dùng để:

• Lưu trữ dữ liệu tạm thời

• Lưu trữ chương trình ứng dụng

• Lưu trữ dữ liệu cache

• Lưu trữ dữ liệu động

Đặc điểm chính của bộ nhớ DRAM so với SRAM là:

• Tốc độ truy cập nhanh hơn

• Tiêu thụ ít năng lượng hơn

• Cần làm mới (refresh) dữ liệu định kỳ

• Không bị mất dữ liệu khi mất điện

Bộ nhớ NOR Flash thường được sử dụng trong vi điều khiển vì:

• Tốc độ đọc nhanh, phù hợp lưu trữ mã chương trình

• Dung lượng lớn, phù hợp lưu trữ dữ liệu

• Tiêu thụ ít năng lượng hơn NAND Flash

• Không cần làm mới dữ liệu

Bộ nhớ NAND Flash thường được sử dụng để:

• Lưu trữ mã chương trình

• Lưu trữ dữ liệu lớn như hình ảnh, video

• Lưu trữ dữ liệu tạm thời

• Lưu trữ dữ liệu cache

Bộ nhớ Cache trong vi điều khiển có vai trò gì?

• Lưu trữ dữ liệu tạm thời

• Tăng tốc độ truy cập dữ liệu thường xuyên sử dụng

• Lưu trữ chương trình khởi động

• Lưu trữ dữ liệu không thay đổi

Trong vi điều khiển, bộ nhớ nào có thể được lập trình và xóa bằng tia UV?

• EEPROM

• Flash Memory

• EPROM

• SRAM