Diode part 2

Trong tiếp xúc PN vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn

• Kích thước nhỏ hơn

• Có nồng độ pha tạp lớn hơn

• Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

• Loại p

• Loại N

Số lượng diode tối thiểu cho một mạch chỉnh lư một nửa chu kì là

• 1

• 2

• 3

• 4

Để tạo bán dẫn thuần tại sao phải yêu cầu độ sạch cao nhất trong phòng thí nghiệm

• Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

• Giúp dây chuyền sản cuất trơn tru, không bị tác động bởi bên ngoài

• Các phương án trên đều sai

• Sản cuất bán dẫn có hại cho sức khoe độ sach cao giúp bảo vệ sức khoẻ người lao động

Khi diode phân cực ngược phát biểu nào sau đây là đúng

• Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm

• Dòng khuyêchs tán và dòng trôi cùng tăng

• Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hoà

• Dòng khuếch tán giảm. Còn dòng trôi tăng mạnh

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào bùng N của một bùng tiếp giáp PN sẽ khiến

• Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

• Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

• Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

• Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì dùng biến áp vó điểm giữa là

• 1

• 2

• 3

• 4

Về tính dẫn điện trong nhiệt độ thường nhận định nào sau đây là đúng

• Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện

• Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

• Các phương án đưa ra đều sai

• Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

Trong mạng tinh thể silic, liên kết giữa hai nguyên tử silic

• Liên kết đẳng thế

• Các phương án đưa ra đều sai

• Liên kết đồng đều

• Liên kết cộng hoá trị

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện

• Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

• Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn

• Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

• Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi

• Điện áp ngược trên diode lớn hơn gí trị đánh thủng

• Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

• Điện áp thuận trên diode lớn hơn gia trị đánh thủng

• Điện áp ngược đặt trên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng