Quiz sui MOSFET

Come è fatto un MOSFET a canale n?

Quali sono i principi di funzionamento del MOSFET?

Cosa si intende per canale di inversione?

Come si calcola I_D vs V_DS?

Cosa rappresentano le curve I_D vs V_DS e I_D vs V_GS?

Cosa si intende per modulazione di lunghezza di canale?

Quali sono i simboli circuitali utilizzati?

Cosa sono i circuiti equivalenti in DC?

Come si estende l'analisi ai MOSFET a canale p?

Applicando una tensione positiva (piccola) al drain, con al gate una tensione positiva maggiore della tensione di soglia, Vth, si ha flusso di elettroni (spinti dal campo elettrico) che danno luogo ad una corrente di drain ID. La corrente di drain ID dipende dalla resistività del canale (ossia dal numero di elettroni liberi nel canale). Aumentando la tensione di gate, VG, si aumenta la popolazione di elettroni liberi nel canale n indotto (con conseguente riduzione della resistività di canale) e di conseguenza si aumenta la corrente di drain.