Микротехника

FinFET-транзисторда қандай құрылым жылу шығындарын азайтуға мүмкіндік береді?

• Үшөлшемді құрылым

• Жұқа негізді құрылым

• Параллель өткізгіш құрылым

• Тік орналасқан құрылым

Гетеротранзисторлардың қай түрі жоғары жиілікті және күшейткіш қасиеттерге ие?

• TeraHertz гетеротранзисторлары

• Si/SiGe негізіндегі гетеротранзисторлар

• AlGaN/GaN негізіндегі гетеротранзисторлар

• Көпарналы транзисторлар

MODFET-транзисторлары қандай құрылымның негізінде құрастырылады?

• GaN/GaAs

• InGaP/InAs

• AlGaAs/InP

• Si/SiGe

Кванттық нүктелердегі транзисторларда көлікте қатысатын электрондар қай

өрістерде шоғырланады?

• Күшті электрлер өрісінде

• Нейтрал өрісінде

• Әлсіз электр өрісінде

• Әлсіз магниттік өрісінде

КНИ-транзисторлардың жұқа негізі қандай жағдайды азайтуға мүмкіндік береді?

• Сәулелену төзімділікті

• Электрлік өріс инверсиясын

• Энергия тұтыну

• Құрылымның өткізгіштігін

Гетеротранзистордың шекті кернеуі неге байланысты?

• Оксида қалыңдығында

• Өткізгіштігінде

• Ауа тығыздығына

• Арна қалыңдығында

MESFET-транзисторларында арна қалыңдығы шамамен қанша болады?

• 0,3мкм

• 0,13мкм

• 0,5мкм

• 1мкм

MODFET-транзисторлардың арнасындағы тасымалдаушылардың қозғалысы қандай

мәнге дейін жетеді?

• 1300-2800 см2/(В×с)

• 2000-4000 см2/(В×с)

• 1000-2000см2/(В×с)

• 1200-4200 см2/(В×с)

Жартылай өткізгіш лазерлердегі алғашқы маңызды жетістіктерді кімдер ұсынған?

• Ж. И. Алферов пен Г. Кремер

• Цу мен Л. Эсаки

• .С. Накамура мен Л. Эсаки

• Г.Кремер мен А. Смит

GaAs/AlGaAs негізіндегі гетероқұрылымды қолданудың басты мақсаты қандай

болды?

• Кванттық шұңқырлар жасау

• Жарық түсуін орнату

• Кристалды түзету

• Лазерлік генерацияны үздіксіз режимде іске асыру