Вопросы по полупроводникам

Вопросы по полупроводникам

12th Grade

37 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

Dasar Desain Grafis

Dasar Desain Grafis

12th Grade

40 Qs

QuiZ TKJEZ

QuiZ TKJEZ

12th Grade

40 Qs

Microsoft Excel - Formulae

Microsoft Excel - Formulae

9th Grade - University

32 Qs

MINH ÔN TẬP TIN HỌC LỚP 3

MINH ÔN TẬP TIN HỌC LỚP 3

1st - 12th Grade

35 Qs

2 Python (переменные, типы данных)

2 Python (переменные, типы данных)

5th - 12th Grade

33 Qs

Intro to Mobile Apps:  Unit 1 Review

Intro to Mobile Apps: Unit 1 Review

9th - 12th Grade

40 Qs

Sistem Komunikasi Seluler Lanjut

Sistem Komunikasi Seluler Lanjut

12th Grade

37 Qs

AP CSP Programming Test

AP CSP Programming Test

9th - 12th Grade

40 Qs

Вопросы по полупроводникам

Вопросы по полупроводникам

Assessment

Quiz

Computers

12th Grade

Practice Problem

Hard

Created by

Shark Shark

Used 1+ times

FREE Resource

AI

Enhance your content in a minute

Add similar questions
Adjust reading levels
Convert to real-world scenario
Translate activity
More...

37 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Какое включение р-n – перехода называется обратным?

плюс внешнего источника к n – области, минус – к р – области

способствующее движению подвижных носителей к р-n – переходу

плюс внешнего источника к p – области, минус – к n – области

уменьшающее скачок потенциала на p-n – переходе

правильного ответа нет

2.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Какой двойной слой зарядов образует барьерную емкость p-n – перехода?

отрицательных ионов

положительных ионов

отрицательных ионов и дырок

положительных ионов и электронов

двойной слой молекул

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n – типа?

пятивалентные

трехвалентные

с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

правильного ответа нет

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Какова зависимость тока через р-n – переход от величины приложенного внешнего напряжения?

I=I0(eU/т-1)

I=aU3/2

I=I0(1-eU/т)

I=US/2

ток от напряжения не зависит

5.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Как изменяется диффузионная емкость р-n – перехода при обратном включении?

уменьшается

увеличивается

не изменяется

толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается

сначала уменьшается затем за счет увеличения тока увеличивается

6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Укажите значение подвижности для дырок

n=0,025 м2/В*с

n=0,25 м2/В*с

n=0,75 м2/В*с

n =1,2 м2/В*с

n=0,12 м2/В*с

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Укажите значение подвижности для электронов

n=0,12 м2/В*с

n=0,025 м2/В*с

n=0,25 м2/В*с

n=0,75 м2/В*с

n=1,2 м2/В*с

Create a free account and access millions of resources

Create resources

Host any resource

Get auto-graded reports

Google

Continue with Google

Email

Continue with Email

Classlink

Continue with Classlink

Clever

Continue with Clever

or continue with

Microsoft

Microsoft

Apple

Apple

Others

Others

Already have an account?