Вопросы по полупроводникам

Какое включение р-n – перехода называется обратным?

• плюс внешнего источника к n – области, минус – к р – области

• способствующее движению подвижных носителей к р-n – переходу

• плюс внешнего источника к p – области, минус – к n – области

• уменьшающее скачок потенциала на p-n – переходе

• правильного ответа нет

Какой двойной слой зарядов образует барьерную емкость p-n – перехода?

• отрицательных ионов

• положительных ионов

• отрицательных ионов и дырок

• положительных ионов и электронов

• двойной слой молекул

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n – типа?

• пятивалентные

• трехвалентные

• с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

• с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

• правильного ответа нет

Какова зависимость тока через р-n – переход от величины приложенного внешнего напряжения?

• I=I0(eU/т-1)

• I=aU3/2

• I=I0(1-eU/т)

• I=US/2

• ток от напряжения не зависит

Как изменяется диффузионная емкость р-n – перехода при обратном включении?

• уменьшается

• увеличивается

• не изменяется

• толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается

• сначала уменьшается затем за счет увеличения тока увеличивается

Укажите значение подвижности для дырок

• n=0,025 м2/В*с

• n=0,25 м2/В*с

• n=0,75 м2/В*с

• n =1,2 м2/В*с

• n=0,12 м2/В*с

Укажите значение подвижности для электронов

• n=0,12 м2/В*с

• n=0,025 м2/В*с

• n=0,25 м2/В*с

• n=0,75 м2/В*с

• n=1,2 м2/В*с

Почему фотодиод невыгодно использовать в прямом включении?

• фототок мал допустимый прямой ток

• мало прямое сопротивление

• возникает туннельный эффект

• возникает перегрев диода

• фототок << прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

Какое положительное напряжение стабилизирует стабистор?

• 0,7 В

• 10 В

• 1,5 В

• 1,2 В

• 5 В

На каких частотах работает диод Шоттки?

• 10÷15 ГГц

• 10÷20 кГц

• 1÷30 МГц

• 500÷1000 Гц

• 100÷300 кГц