트랜지스터 퀴즈

'MOSFET'이라는 이름이 붙은 이유는 무엇인가요?

• A.

  동작 원리인 '움직임(Move), 산화(Oxidize), 흐름(Flow)'을 의미하기 때문입니다.

• B.

  주요 단자인 소스(Source), 게이트(Gate), 드레인(Drain)의 다른 이름이기 때문입니다.

• C.

  주요 구성 요소인 금속(Metal), 산화물(Oxide), 반도체(Semiconductor)의 앞 글자를 땄기 때문입니다.

• D.

  개발자들의 이름인 '모스(Mos)', '페트(Fet)'를 합쳤기 때문입니다.

본문에서 트랜지스터의 역할을 비유적으로 설명한 것으로 가장 적절한 것은 무엇인가요?

• A.

  전류의 흐름을 조절하는 수도꼭지

• B.

  전기의 방향을 한쪽으로만 흐르게 하는 밸브

• C.

  전압을 높여주는 변압기

• D.

  전하를 저장하는 배터리

본문에 따르면, N채널 및 P채널 MOSFET과 같은 여러 트랜지스터들을 조합하여 무엇을 구성할 수 있다고 하였나요?

• A.

  광센서

• B.

  아날로그 신호 필터

• C.

  논리 회로

• D.

  고효율 전력 변환기

트랜지스터의 주요 기능 중 하나인 '스위칭' 역할은 어떤 원리를 이용한 것인가요?

• A.

  게이트 전압을 조절하여 채널(전류 통로)을 형성하거나 없애는 원리를 이용합니다.

• B.

  드레인 전압을 높여 전류를 포화시키는 원리를 이용합니다.

• C.

  물리적으로 소자와 드레인을 붙였다 떼는 원리를 이용합니다.

• D.

  트랜지스터 자체의 온도를 높였다 낮추는 원리를 이용합니다.

N채널 MOSFET에서 게이트에 약한 양(+)의 전압을 걸었을 때, '공핍 상태'가 발생하는 이유는 무엇인가요?

• A.

  N+ 소스 영역의 전자들이 P형 기판으로 넘어오기 때문입니다.

• B.

  P형 기판의 소수 캐리어인 전자들이 게이트 쪽으로 끌려오기 때문입니다.

• C.

  게이트에 음(-)의 전압이 걸렸을 때 나타나는 현상이기 때문입니다.

• D.

  P형 기판의 다수 캐리어인 정공들이 게이트의 양(+) 전압에 의해 밀려나기 때문입니다.

N채널 MOSFET에서 '반전층(Inversion Layer)'이 전류 통로 역할을 할 수 있는 근본적인 이유는 무엇인가요?

A.

P형 기판의 소수 캐리어였던 전자

• A.

  P형 기판의 소수 캐리어였던 전자들이 모여, N형 반도체처럼 행동하는 층을 형성하기 때문입니다.

• B.

  소스와 드레인의 N+ 영역이 확장되어 서로 만나기 때문입니다.

• C.

  게이트의 금속 입자가 채널로 흘러 들어오기 때문입니다.

• D.

  P형 기판의 정공들이 전자로 변하기 때문입니다.