WorksheetsEvaluación Grado 11°
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De acuerdo con la siguiente información de la distribución espectral del silicio y germanio y resistividades de los diferentes materiales eléctricamente analizados , se puede afirmar que
el germanio es mejor conductor que el silicio por tener más lejos los cuatro electrones de valencia.
los materiales semiconductores solo pueden ser construidos en silicio y germanio por ser materiales muy abundantes en la naturaleza
el germanio es menos conductor que el silicio por tener los electrones de valencia a mayor distancia del núcleo
todo material para ser semiconductor debería tener resistividades cercanas a las mostradas en la tabla No.1
De acuerdo con la distribución espectral del silicio y el germanio (ver figura), puede inferirse que en la fabricación y aplicación de dispositivos electrónicos de potencia se prefiere el uso del silicio porque
el germanio requiere mayor cantidad de energía eléctrica para entrar en conducción por tener más lejos del núcleo los cuatro electrones de valencia
el silicio soporta mayores niveles de energía eléctrica por tener los cuatro electrones de valencia más cercanos al núcleo.
el germanio es menos abundante en la naturaleza y por tanto se agotarían las reservas existentes.
el cristal de silicio tiene mayor dureza que el del germanio y es más parecido al diamante.
La tabla que se muestra pretende
comparar el silicio con el germanio
comparar la resistividad de los diferentes materiales eléctricos
hacer una clasificación eléctrica de materiales
hacer una comparación entre materiales
De la información suministrada en el recuadro puede inferirse que
la corriente eléctrica en los semiconductores siempre es negativa.
en los materiales semiconductores existen dos corrientes eléctricas.
siempre el número de electrones es mayor que los huecos.
la carga eléctrica del material tipo N es mayor que la carga del material tipo P.
De la información suministrada en el recuadro se puede concluir que la corriente de portadores mayoritarios en el material tipo P será
siempre positiva.
siempre negativa.
dependiente de la polarización.
o mayor que la del material tipo N
Si se tiene en cuenta la información del cuadro se puede establecer que en todo material semiconductor se conduce una corriente de portadores minoritarios llamada corriente de fuga. Al compararla con la corriente principal (de portadores mayoritarios) puede afirmarse que
las corrientes de fuga de los dos materiales son iguales en magnitud y dirección.
al unirse los dos materiales se forma un diodo semiconductor con corriente contrarias.
la corriente de fuga es menor en magnitud y contraria a la corriente principal del material.
la corriente de fuga del material tipo P es contraria con la principal del material tipo N.
Si se unen dos tipos de materiales semiconductores (N y P), como los mostrados en la figura, se obtiene un dispositivo llamado “diodo semiconductor”. Este dispositivo cuenta entonces con dos terminales: ánodo y cátodo. De esto puede afirmarse que
el terminal del ánodo corresponde con el material P por tener carga negativa.
el terminal del cátodo corresponde con el material tipo N por tener carga negativa.
los dos terminales ahora no tienen carga eléctrica porque su suma es cero.
el diodo no tiene polaridad.
En el circuito de la figura se puede afirmar que la lámpara de 10W funciona porque
el voltaje de la lámpara es el mismo que el voltaje de la fuente.
el diodo D1 se encuentra polarizado directamente y por tanto conduce.
el diodo D1 está en serie con la fuente y la lámpara.
el diodo D1 y la fuente VT .proporcionan la potencia de 10W que requiere la lámpara
De acuerdo con el circuito de la figura los semiciclos positivo y negativo, de la señal de salida (Vo), solo serán iguales en amplitud si
los valores de las dos fuentes (V1 y V2) son iguales.
los dos diodos son iguales.
si el valor de V1 es mayor que V2.
se varía la resistencia R.
A continuación se presenta la forma correcta de polarizar un transistor BJT PNP para que funcione correctamente en todas sus aplicaciones. De esta polarización puede afirmarse que
el Emisor estará siempre polarizado en inverso y el Colector en directo.
la base estará siempre polarizada en directo e inverso.
el Emisor debe estar siempre polarizado en directo y el Colector en inverso
no se puede definir la polaridad de la base
