WorksheetsТест лекция #4
Total questions: 5
Worksheet time: 15mins
К причинам появления дислокаций в кристаллах при выращивании методом Чохральского относится:
Плохое качество тигля
Отсутствие перемешивания расплава
Наличие дислокаций в затравке
Объединение вакансий
Какое утверждение верно для винтовой дислокации?
Вектор Бюргерса перпендикулярен линии дислокации
Контур Бюргерса должен проходить достаточно близко от дислокации, чтобы были заметны все изменения структуры кристалла
Вектор Бюргерса параллелен линии дислокации
Если при обходе контуром Бюргерса структуры кристалла с помощью последовательных смещений конечная и начальная точки совпадают, то контур проведен вокруг дислокации
Как дислокации влияют на рост кристаллов? Выберите правильное утверждение.
Винтовые дислокации не влияют на скорость роста кристаллов
Краевые дислокации увеличивают скорость роста кристаллов
Винтовые дислокации увеличивают скорость роста кристаллов
Краевые дислокации мешают росту кристаллов
Толщина обогащенного примесью диффузионного слоя уменьшается если:
Растворимость примеси в кристалле меньше, чем в расплаве
Уменьшается скорость роста кристалла
Увеличивается скорость перемешивания расплава
Растворимость примеси в кристалле больше, чем в расплаве
При отсутствии перемешивания раствора при выращивании кристалла в какой области пересыщение раствора уменьшается?
на поверхности раствора
над растущим кристаллом
сбоку от растущего кристалла
около стенок сосуда
