Free Printable tranzystory

1.

W stanie aktywnym między potencjałami na elektrodach tranzystora p-n-p, spełniona jest zależność:

a)

Ve>Vb>Vc

b)

Ve<Vc<Vb

c)

Ve<Vb<Vc

d)

Vb<Ve<Vc

2.

W stanie aktywnym tranzystora bipolarnego złącza polaryzuje się:

a)

E-B zaporowo, C-B w kierunku przewodzenia.

b)

E-B zaporowo, C-B zaporowo

c)

E-B w kierunku przewodzenia, C-B w kierunku przewodzenia.

d)

E-B w kierunku przewodzenia, C-B zaporowo.

3.

Napięcie U_{CE SAT} na nasyconym tranzystorze bipolarnym jest:

a)

bliskie napięciu zasilania;

b)

bliskie 1/2 napięcia zasilania;

c)

bliskie zeru

d)

bliskie 90% napięcia zasilania

4.

Wykres przedstawia charakterystykę:

a)

Wyjściową tranzystora bipolarnego

b)

Przejściową tranzystora bipolarnego

c)

Przejściową tranzystora unipolarnego

d)

Wyjściową tranzystora unipolarnego

5.

Dana charakterystyka odpowiada tranzystorowi:

a)

b)

c)

d)

6.

Równanie dla prądów w tranzystorze bipolarnym ma postać:

a)

$I_E=I_C+I_B$

b)

$I_B=I_C+I_E$

c)

$I_C=I_E+I_B$

7.

$Współczynnik\ \propto to:$

a)

$\propto=\frac{I_C}{I_E}$

b)

$\propto=\frac{I_E}{I_C}$

c)

$\propto=\frac{I_B}{I_E}$

d)

$\propto=\frac{I_B}{I_C}$

8.

Współczynnik β to:

a)

$β=\frac{I_C}{I_B}$

b)

$β=\frac{I_C}{I_E}$

c)

$β=\frac{I_E}{I_B}$

d)

$β=\frac{I_E}{I_C}$

9.

Na obrazku przedstawiono

a)

tranzsytor mosfet z kanałem wzbogacanych typu n

b)

tyrystor

c)

tranzystor bipolarny npn

d)

tranzystor mosfet z kanałem zubożanym typu p

10.

Współczynnik β ma wartość:

a)

od kilkudziesięciu do kilkuset

b)

nieco mniejszą od jedności

c)

bliską zeru

d)

nieco większą od jedności

11.

$Współczynnik\ \propto ma\ wartość:$

a)

nieco mniej niż jeden

b)

dużo więcej od jedności

c)

kilka tysięcy

d)

bliską zeru

12.

Na obrazku przedstawiono

a)

tranzystor bipolarny npn

b)

tranzystor bipolarny pnp

c)

tranzystor JFET

d)

tranzystor MOSFET

13.

Wzmocnienie prądowe spada o 3 dB, czyli:

a)

^{√2 razy}

b)

o 50%

c)

2 razy

d)

maleje do jedności

14.

Tranzystor bipolarny w stanie nasycenia:

a)

stanowi mały opór i napięcie U_CEjest bliskie U_ZAS

b)

stanowi mały opór i napięcie U_CEjest bliskie 0

c)

stanowi duży opór i napięcie U_CEjest bliskie U_ZAS

d)

stanowi duży opór i napięcie U_CEjest bliskie 0

15.

Która z przedstawionych charakterystyk odpowiada

podanemu typowi tranzystora?

a)

a

b)

b

c)

c

d)

d

16.

Dana charakterystyka odpowiada tranzystorowi:

a)

b)

c)

d)

17.

W tranzystorze JFET z kanałem typu p:

a)

napięcie U_DS<0 i U_GS>0

b)

napięcie U_DS>0 i U_GS<0.

c)

napięcie U_DS<0 i U_GS<0

d)

napięcie U_DS>0 i U_GS>0

18.

W tranzystorze krzemowym npn napięcia U_CE=5,56V, U_CB=4,86V

W jakim stanie pracy jest ten tranzystor?

a)

Aktywnym

b)

Nasycenia

c)

Zatkania

d)

Inwersyjnym

19.

U₁= h₁₁I₁+ h₁₂U₂

I₂= h₂₁I₁+ h₂₂U₂

Wykorzystany w tych równaniach parametr h₂₁, ma następujący sens fizyczny:

a)

impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu

b)

współczynnik sprzężenia zwrotnego przy rozwartym wejściu;

c)

admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu.

d)

współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym

wyjściu;

20.

Przedstawionemu układowi pracy tranzystora bipolarnego odpowiada układ pracy tranzystora polowego

a)

ze wspólnym źródłem

b)

ze wspólną bramką.

c)

ze wspólnym drenem

d)

nie istnieje odpowiedni układ

21.

Tranzystor npn pracuje w stanie aktywnym. Dane są: prąd bazy I_B=200μA, α =0,998. Pomijamy prąd I_CBOWspółczynnik β jest równy:

a)

201

b)

221

c)

350

d)

499

22.

Jeżeli dane są: I_B=100μA i β=200 to prąd I_C ma wartość:

a)

2mA

b)

20mA

c)

200mA

d)

20 μA

23.

Parametr h₁₁ tranzystora ma miano:

a)

simens

b)

ohm

c)

amper

d)

nie ma miana

24.

Tranzystor npn pracuje w stanie aktywnym. Dane są

prąd bazy I_B=50μA, β=200. Pomijamy prąd I_CBO

Prąd kolektora I_C jest równy

a)

2,5mA

b)

10mA

c)

100mA

d)

25mA

25.

Jaki opór na złączach powinny wskazać omomierze włączone jak na rysunku dla tego typu sprawnego tranzystora

a)

E-B duży

C-B duży

C-E duży

b)

E-B duży

C-B mały

C-E duży

c)

E-B duży

C-B mały

C-E mały

d)

E-B mały

C-B duży

C-E duży

26.

W tranzystorze krzemowym npn napięcia U_CE=4,04V, U_CB=3,34V

W jakim stanie pracy jest ten tranzystor?

a)

Aktywnym

b)

Nasycenia

c)

Zatkania

d)

Inwersyjnym

27.

Tranzystor pracujący w układzie OE charakteryzuje się:

a)

dużym wzmocnieniem prądowym
dużym wzmocnieniem napięciowym
dużym wzmocnieniem mocy

b)

małym wzmocnieniem prądowym
dużym wzmocnieniem napięciowym
dużym wzmocnieniem mocy

c)

małym wzmocnieniem prądowym
małym wzmocnieniem napięciowym
dużym wzmocnieniem mocy

d)

dużym wzmocnieniem prądowym
dużym wzmocnieniem napięciowym
małym wzmocnieniem mocy

28.

W tranzystorze bipolarnym przesunięcie fazowe o 180⁰ wprowadza układ:

a)

Wspólnej bazy

b)

Wspólnego emitera

c)

Wspólnego kolektora

d)

Żaden

29.

Tranzystor pracujący w układzie OC charakteryzuje się:

a)

dużą rezystancją wejściową

wzmocnieniem napięciowym bliskim jedności
dużym wzmocnieniem prądowym

b)

małą rezystancją wejściową

wzmocnieniem napięciowym bliskim jedności
małym wzmocnieniem prądowym

c)

dużą rezystancją wejściową

dużym wzmocnieniem napięciowym
dużym wzmocnieniem prądowym

d)

dużą rezystancją wejściową

dużym wzmocnieniem napięciowym wzmocnieniem prądowym bliskim jedności

30.

Tranzystor pracujący w układzie OB. ma:

rzędu GHz.

a)

- małą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- wzmocnienie prądowe bliskie jedności

b)

- małą rezystancję wejściową
- małą rezystancję wyjściową
- wzmocnienie prądowe bliskie jedności

c)

- małą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- wzmocnienie do kilkuset

d)

- dużą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- duże wzmocnienie prądowe

31.

W tranzystorze JFET z kanałem typu n:

a)

napięcie UDS<0 i UGS_off>0

b)

napięcie UDS<0 i UGS_off<0

c)

napięcie UDS>0 i UGS_off>0

d)

napięcie UDS>0 i UGS_off<0

32.

Parametr h _12C ma wartość:

a)

bliską zeru;

b)

rzędu setek;

c)

bliską jedności;

d)

rzędu kilkudziesięciu

33.

Wykres I_D=f(U_DS) /U_GS=const. przedstawia charakterystykę:

a)

Wejściową tranzystora bipolarnego

b)

Przejściową tranzystora bipolarnego

c)

Przejściową tranzystora unipolarnego

d)

Wyjściową tranzystora unipolarnego

34.

Dane są parametry tranzystoara bipolarnego: Ki=0,995A/A;Zwe=30W ;W jakim układzie pracuje ten tranzystor?

a)

wspólnej bazy;

b)

wspólnego emitera;

c)

wspólnego kolektora;

d)

za mało danych:

35.

W tyrystorze przejście ze stanu blokowania do stanu przewodzenia odbywa się przez:

a)

Podanie ujemnego impulsu do anody,

b)

Podanie dodatniego impulsu do bramki,

c)

Zmianę znaku napięcia anoda-katoda,

d)

Zmianę znaku napięcia bramka-anoda.

36.

W jaki sposób nie można wyłączyć tyrystora:

a)

Przez przerwanie obwodu anoda –katoda,

b)

Przez zmianę znaku napięcia anoda-katoda,

c)

Przez zmniejszenie prądu anodowego poniżej wartości prądu podtrzymania,

d)

Przez podanie ujemnego impulsu na bramkę.

37.

Parametr h₂₂ tranzystora ma miano:

a)

Simens

b)

ohm

c)

amper

d)

nie ma miana

38.

W stanie aktywnym tranzystora bipolarnego napięcie na złączu p-n U_BE jest:

a)

bliskie napięciu zasilania;

b)

bliskie 1/4 napięcia zasilania

c)

mniejsze od 1V

d)

bliskie 1/2 napięcia zasilania;

39.

Które ze zdań jest prawdziwe?

a)

wtórnik emiterowy odwraca fazę napięcia.

b)

układ wspólnego emitera nie odwraca fazy napięcia;

c)

najmniejsze wzmocnienie prądowe ma układ OB.

d)

układ OB. odwraca fazę napięcia.;

40.

Tranzystor npn pracuje w stanie aktywnym. Dane α =0,998. Pomijamy prąd I_CBO

Współczynnik β jest równy:

a)

201

b)

221

c)

50

d)

499

41.

Która charakterystyka odpowiada przedstawionemu układowi?

a)

b)

c)

d)

42.

Przedstawiony układ

a)

ma bardzo duże wzmocnienie napięciowe i nie odwraca fazy napięcia

b)

ma bardzo duże wzmocnienie prądowe i odwraca fazę napięcia

c)

ma wzmocnienie prądowe bliskie jeden i nie odwraca fazy napięcia

d)

ma wzmocnienie napięciowe bliskie jeden i nie odwraca fazy napięcia

43.

Które ze zdań jest nieprawdziwe?

a)

przy polaryzacji w kierunku przewodzenia, dodatni biegun napięcia jest dołączony do obszaru p;

b)

przy polaryzacji w kierunku zaporowym, płynie tylko niewielki prąd zwany prądem wstecznym.

c)

wartość prądu wstecznego praktycznie nie zależy od wartości przyłożonego napięcia, zależy natomiast od temperatury i własności materiału

d)

napięcie na przewodzącym złączu krzemowym w temperaturze pokojowej ma wartość ok.6-8 V,

44.

Napięcie na przewodzącym krzemowym złączu p-n to około :

a)

600mV

b)

6V

c)

1,6V

d)

60V

45.

Tyrystor to:

a)

element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n,

b)

element półprzewodnikowy o rezystancji zaleznej od temperatury

c)

element półprzewodnikowy o rezystancji zaleznej od napięcia,

d)

element półprzewodnikowy składający się z 3 warstw w układzie p-n-p lub n-p-n

46.

Tranzystor bipolarny w stanie nasycenia:

a)

stanowi mały opór i napięcie U_CEjest bliskie U_ZAS

b)

stanowi mały opór i napięcie U_CEjest bliskie 0

c)

stanowi duży opór i napięcie U_CEjest bliskie U_ZAS

d)

stanowi duży opór i napięcie U_CEjest bliskie 0

47.

Która z przedstawionych charakterystyk odpowiada

podanemu typowi tranzystora?

a)

b)

c)

d)

48.

Która z przedstawionych charakterystyk odpowiada

podanemu typowi tranzystora?

a)

b)

c)

d)

49.

Dana charakterystyka odpowiada tranzystorowi:

a)

b)

c)

d)

50.

Dana charakterystyka odpowiada tranzystorowi:

a)

b)

c)

d)

51.

W tranzystorze MOS z kanałem wzbogacanym typu p:

a)

napięcie U_DS<0 i U_GS>0

b)

napięcie U_DS>0 i U_GS<0.

c)

napięcie U_DS<0 i U_GS<0

d)

napięcie U_DS>0 i U_GS>0

52.

Wykres przedstawia charakterystykę:

a)

Wyjściową tranzystora bipolarnego

b)

Przejściową tranzystora bipolarnego

c)

Przejściową tranzystora unipolarnego

d)

Wyjściową tranzystora unipolarnego

53.

Na obrazku przedstawiono

a)

tranzsytor mosfet z kanałem wzbogacanych typu n

b)

tyrystor

c)

tranzystor bipolarny npn

d)

tranzystor mosfet z kanałem zubożanym typu p

54.

Tranzystor pracujący w układzie OB. ma:

rzędu GHz.

a)

- małą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- wzmocnienie prądowe bliskie jedności

b)

- małą rezystancję wejściową
- małą rezystancję wyjściową
- wzmocnienie prądowe bliskie jedności

c)

- małą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- wzmocnienie do kilkuset

d)

- dużą rezystancję wejściową
- bardzo dużą rezystancje wyjściową
- duże wzmocnienie prądowe

55.

Które ze zdań jest prawdziwe?

a)

wtórnik emiterowy odwraca fazę napięcia.

b)

układ wspólnego emitera nie odwraca fazy napięcia;

c)

najmniejsze wzmocnienie prądowe ma układ OB.

d)

układ OB. odwraca fazę napięcia.;

56.

Największą częstotliwość graniczną ma tranzystor w układzie:

a)

OB

b)

OE

c)

OC

d)

w każdym układzie taką samą

57.

Największą impedancję wejściową ma tranzystor pracujący w układzie:

a)

OB

b)

OE

c)

OC

d)

taką samą we wszystkich układach

58.

Największe wzmocnienie prądowe ma układ:

a)

OB

b)

OC

c)

OE

d)

OB i OE

59.

Najmniejsze wzmocnienie napięciowe ma układ:

a)

OB

b)

OE

c)

OC

d)

OB i OE

60.

W stanie zatkania na zaciskach E-C tranzystora jest napięcie:

a)

bliskie zero

b)

bliskie napięciu zasilania

c)

600mV

d)

bliskie połowy napięcia zasilania

tranzystory

Total questions: 60

Worksheet time: 18mins