Font size
WorksheetsТест по лекциям #3 и #4
Total questions: 9
Worksheet time: 9mins
Каким методом выращивается кристалл кремния?
Методом Бриджмена
Методом Стокбаргера
Методом Чохральского
Методом Киропулуса
К достоинствам горизонтального метода Бриджмена по сравнению с вертикальным относятся:
Простота извлечения готового кристалла
Бóльшая площадь установки
Воздействие стенок огнеупорного сосуда минимально
Приближенность к плоскому волновому фронту
Равномерное распределение легирующей примеси в растущем из расплава кристалле достигается следующими путями
уменьшением скорости перемешивания расплава
увеличением объема тигля
ускорением подъёма кристалла
непрерывным добавлением примеси в расплав в процессе роста
В рентгенофазовом анализе используется метод
электронов
вращения
Лауэ
порошка
«Дендриты» выращиваются при выполнении следующего условия роста кристаллов:
Растущий кристалл переохлажден
Граница раздела фаз переохлаждена
Отвод тепла при кристаллизации происходит через растущий кристалл
Маточный расплав переохлажден
К причинам появления дислокаций в кристаллах при выращивании методом Чохральского относится:
Плохое качество тигля
Отсутствие перемешивания расплава
Наличие дислокаций в затравке
Объединение вакансий
Какое утверждение верно для винтовой дислокации?
Вектор Бюргерса перпендикулярен линии дислокации
Контур Бюргерса должен проходить достаточно близко от дислокации, чтобы были заметны все изменения структуры кристалла
Вектор Бюргерса параллелен линии дислокации
Если при обходе контуром Бюргерса структуры кристалла с помощью последовательных смещений конечная и начальная точки совпадают, то контур проведен вокруг дислокации
Как дислокации влияют на рост кристаллов? Выберите правильное утверждение.
Винтовые дислокации не влияют на скорость роста кристаллов
Краевые дислокации увеличивают скорость роста кристаллов
Винтовые дислокации увеличивают скорость роста кристаллов
Краевые дислокации мешают росту кристаллов
Квазичастица, скорость которой превышает скорость света в вакууме
фотон
бозон
плазмон
тахион
