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Semiconductores en equilibrio térmico (Parte 2)

Total questions: 12

Worksheet time: 6mins

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1.

¿Cuáles son las ecuaciones de balance necesarias para conocer n0n_0 y p0p_0 ?

a)

Balance de carga (neutralidad) y la ley de acción de masas ( n0 p0=ni2n_0\ p_0=n_i^2 )

b)

Balance de carga (neutralidad) y la ley de acción de masas ( n0 p0=nin_0\ p_0=n_i )

c)

Balance de masa  y la ley de acción de masas ( n0 p0=ni2n_0\ p_0=n_i^2 )

d)

Balance de masa y la ley de acción de masas ( n0 p0=nin_0\ p_0=n_i )

2.

El caso de "freeze-out" para un SC tipo N se caracteriza por (marcar todas las que correspondan):

a)

Ocurrir a 0 K

b)

Impurezas que no retienen a sus electrones

c)

nd =0n_{d\ }=0

d)

 nd =Ndn_{d\ }=N_d 

3.

El caso de ionización parcial para un SC tipo N se caracteriza por (marcar todas las que correspondan):

a)

Ocurrir a 0 K

b)

Algunas impurezas retienen a sus electrones

c)

 nd0n_d\ne0  

d)

 0<Nd+<Nd0<N_d^+<N_d  

4.

Para temperaturas muy altas el semiconductor extrínseco se vuelve intrínseco.

a)

Verdadero

b)

Falso

5.

Para un semiconductor degenerado tipo N se cumple que (marcar todas las correctas):

a)

n0 = Nd>NCn_0\ =\ N_d>N_C

b)

La energía de Fermi se encuentra dentro de la banda de conducción.

c)

Los electrones de las impurezas donoras interactúan entre sí formando una banda.

d)

Es válida la ley de acción de masas.

e)

La estructura de bandas del SC original queda perturbada.

6.

La energía de Fermi intrínseca...

a)

Se encuentra más cerca de ECE_C si se dopa con NdN_d 

b)

Se encuentra más cerca de EVE_V si se dopa con NaN_a 

c)

Se encuentra aproximadamente en el midgap

d)

Ninguna es correcta

7.

Las estadísticas de los estados donadores y aceptores están dadas por la distribución de Fermi-Dirac.

a)

Verdadero

b)

Falso

8.

La energía de Fermi EFE_F siempre es menor que el nivel donor EdE_d .

a)

Verdadero 

b)

Falso

9.

La energía de Fermi para un sistema en equilibrio térmico SIEMPRE es constante.

a)

Verdadero

b)

Falso

10.

La conductividad eléctrica (marcar la INCORRECTA)

a)

Aumenta con el dopaje

b)

Depende de la temperatura

c)

Depende de la concentración de portadores

d)

Depende del campo eléctrico aplicado

11.

A temperaturas más bajas, la movilidad típicamente aumenta con la temperatura (porque predomina la dispersión con las impurezas), mientras que a altas temperaturas la movilidad disminuye (porque domina la interacción con los fonones)

a)

Verdadero

b)

Falso

12.

Las movilidades en un semiconductor compensado pueden ser notablemente más bajas que las de un material no compensado con la misma densidad neta de portadores.

a)

Verdadero

b)

Falso