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WorksheetsMOSFET-2 (11/18)
Total questions: 5
Worksheet time: 13mins
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1.
關於MOS中，半導體表面能帶圖的變化情況如圖所示。下列敘述何者正確？(複選)
a)
若半導體表面為電洞聚集的話，Ψs <0
b)
若半導體表面為電子聚集的話，ΨB >Ψs >0
c)
若半導體表面為平帶狀態的話，Ψs =0
d)
若半導體表面剛開始產生反轉現象的話，Ψs > ΨB >0
2.
關於高頻時，外加偏壓V後，p-MOS的電容值有何變化？下列敘述何者正確？(複選)
a)
當 V>0 時，p-MOS的總電容值等於C0
b)
當 V<0時，p-MOS的半導體表面無空乏層電容存在
c)
當V達到臨界電壓時，p-MOS的總電容值會是最小值
d)
p-MOS的總電容值，會隨著V的增加而增加
3.
p-MOS反轉層電荷密度的來源與特性？(複選)
a)
反轉層電荷密度，由p型基板中的少數載子擴散而來
b)
反轉層電荷密度，來自於外加偏壓
c)
反轉層電荷密度會瞬間的改變
d)
反轉層電荷密度，空間電荷區內因溫度的影響所產生
4.
下列那些界面陷阱與氧化層電荷，是與晶體的方向性有關？(複選)
a)
界面陷阱電荷 Qit
b)
固定氧化層電荷 Qf
c)
氧化層陷阱電荷 Qot
d)
移動離子電荷 Qm
5.
對於p-MOS而言，外加的電壓V，與跨過氧化層電壓Vo，跨過半導體表面電壓Ψs之間的關係式？(單選)
a)
V< (Vo+Ψs)
b)
V=Vo
c)
V=Ψs
d)
V=Vo+Ψs
e)
V>Vo+Ψs
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