1

2

3

4

5

E B1 B2

S D E

C B E

S D G

K A G

ควบคุมแรงดันไบแอสกลับที่ขา K

ควบคุมแรงดันไบแอสกลับที่ขา A

ควบคุมแรงดันไบแอสกลับที่ขา S

ควบคุมแรงดันไบแอสกลับที่ขา D

ควบคุมแรงดันไบแอสกลับที่ขา G

ขนาดเล็กกะทัดรัด

กินไฟน้อย

ควบคุมง่าย

ทนความร้อนได้ดีกว่า

ความเพี้ยนน้อย

เป็นศูนย์

ติดลบ

เปลี่ยนแปลงไปมาระหว่างบวกกับลบ

กระแสเดรนมีค่าสูงสุด

กระแสเดรนมีค่าต่ำสุด

Pinch off voltage

Peak off voltage

Pulse off voltage

Break over voltage

A valance Voltage

V_GS = 0

V_DS = 0

V_DD = 0

V_GG = 0

V_DG = 0

ตัวต้านทาน

ตัวเก็บประจุ

ตัวเหนี่ยวนำ

ไดโอด

ทรานซิสเตอร์

เจเฟท

ยูเจที

เอสซีอาร์

ไดโอด

ซีเนอร์ไดโอด

ค่าแรงดันระหว่างเกทกับซอร์ทที่ตำแหน่งต่างๆ

ค่ากระแสเกทที่ $$V_{GS}=0\ V$$  

แรงดันพินช์ออฟที่ทำให้ $$I_D=0\ V$$  

กระแส $$I_D\ ที่\ V_{GS}=0\ V$$

กระแส $$I_D\ ที่\ V_{GS}=1\ V$$

Join Unijunction transistor

Junction field effect transistor

Junk Fet transistor

Junction field thyristor

ไม่มีข้อใดถูก

ไม่มีข้อใดถูก

ไม่มีข้อใดถูก

$$I_D=I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2$$  

$$I_{DSS}=I_D\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2$$

$$I_D=I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^3$$

$$I_{DSS}=I_D\left(1-\frac{V_{GS}}{V_P}\right)^3$$

ค่า V_GS เป็นลบน้อย ค่า I_D จะน้อย ค่า V_GS เป็นลบมาก ค่า I_D จะมาก

ค่า V_GS เป็นลบน้อย ค่า I_D จะมาก ค่า V_GS เป็นลบมาก ค่า I_D จะน้อย

ค่า V_GS เป็นบวกน้อย ค่า I_D จะมาก ค่า V_GS เป็นบวกมาก ค่า I_D จะน้อย

ค่า V_GS เป็นบวกน้อย ค่า I_D จะน้อย ค่า V_GS เป็นบวกมาก ค่า I_D จะมาก

ค่า V_GS ไม่มีผลต่อการเปลี่ยนแปลงของค่า I_D

ใช้กระแสอินพุตควบคุมกระแสเอาต์พุต

ใช้แรงดันอินพุตควบคุมกระแสเอาต์พุต

ใช้กระแสอินพุตควบคุมแรงดันเอาต์พุต

ใช้แรงดันคงที่ควบคุมกระแสเอาต์พุต

ใช้แรงดันอินพุตควบคุมแรงดันเอาต์พุต