เงื่อนไขใดที่ทำให้ SCR หยุดนำกระแส

(a)  

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดที่จัดเป็นประเภท snubberless

(a)  

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่มีวงจรสมมูลประกอบด้วยทรานซิสเตอร์สองตัว คืออุปกรณ์

อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใด

(a)  

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดใดที่ไม่สามารถควบคุมได้

(a)  

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดที่สามารถปิดกั้นกระแสได้ทั้ง 2 ทิศทาง

(a)  

อุปกรณ์สวิตช์กำลังใดต่อไปนี้ ไม่เหมาะสมที่จะนำมาใช้งานที่ต้องทนกระแสสูงและแรงดันตกคร่อมมากกว่า 100 โวลต์

(a)  

อุปกรณ์สวิตช์กำลังใดต่อไปนี้ เหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวงจรแปลงผันไฟตรงที่มีพิกัดแรงดันต่ำ กระแสสูง

(a)  

Transistor ตัวหนึ่งขณะนำกระแสมีแรงดันตกคร่อม Vce(sat) = 2 V

และมีกระแสไหลผ่านตัวมัน 4 A จงคำนวณหากำลังงานสูญเสียที่เกิดขึ้น

(a)  

ในการขับนำ MOSFET ให้ทำงานที่ความถี่สูงมาก คุณสมบัติของวงจรขับนำข้อใดสำคัญที่สุด

(a)  

ผลเสียของการขับกระแสเบสของ Transistor ที่มีค่ามากเกินไปคืออะไร

(a)  

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ไม่สามารถคบคุมให้หยุดนำกระแสด้วยสัญญาณควบคุม

ของตัวอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เองคืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใด

(a)  

ไดโอดชนิดใดต่อไปนี้ ให้สำหรับสร้างแรงดันอ้างอิง

(a)  

IGBT มีคุณสมบัติเด่นด้านใด ที่เหนือกว่า MOSFET

(a)  

อุปกรณ์ชนิดใดต่อไปนี้ ซึ่งตามโครงสร้างเสมือนมีไดโอดต่อกลับทาง

กับทิศทางของกระแสหลักเสมอ

(a)  

ลักษณะที่แตกต่างในการขับอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์กำลังกับมอสเฟตกำลังที่ชัดเจน

(a)  

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่นำทรานซิสเตอร์หลายตัวมาต่อรวมกันเพื่อให้มีอัตราขยายรวมสูงขึ้น และทำงานเป็นสวิตช์กำลังได้คือข้อใด

(a)  

โครงสร้างของไทริสเตอร์ เมื่อ p และ n คือสารกึ่งตัวนำตามลำดับ

(a)  

จะทำให้ไทริสเตอร์ที่กำลังนำกระแสไฟหยุดนำกระแสได้โดย

(a)  

GTO แตกต่างกับ SCR ในแง่ของการนำไปใช้อย่างไร

(a)  

ข้อใดที่ IGBT มีคุณสมบัติคล้ายคลึงกับ BJT

(a)  

IGBT มีคุณสมบัติผสมผสานระหว่างอุปกรณ์ใดกับอุปกรณ์ใด

(a)  

Switching devices ที่นิยมใช้ใน switching power supply คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในข้อใด

(a)  

ข้อใดไม่ใช่หน้าที่ของวงจร Snubber

(a)  

SCR สามารถเปลี่ยนสถานะจาก ไม่นำกระส เป็น นำกระแสได้อย่างไร

เมื่อปล่อยให้ขา เกต ไม่มีการควบคุม

(a)  

ข้อใดต่อไปนี้ถูกต้อง เมื่ออุปกรณ์สวิชต์กำลังเป็น SCR

(a)  

UJT (Unijunction Transistor) มีคุณสมับติหลัก คือ

(a)  

ข้อดีของ Power MOSFET ที่เหนือกว่า IGBT คือ

(a)  

ในการป้องกันไม่ให้อัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันต่อเวลา ที่เกิดขึ้นระหว่าง

ขั้ว Anode และ Cathode ของ SCR สูงเกินไปทำได้โดย

(a)  

อุปกรณ์สวิตช์กำลัง DIAC นิยมนำไปประยุกต์ใช้ในวงจรที่ทำหน้าที่ใด

(a)  

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สวิตช์กำลังแบบใด ที่จัดได้ว่าเป็นอุปกรณ์แบบ voltage-controlled

(a)  

ในการใช้งานทรานซิสเตอร์ (BJT) เป็นสวิตช์เปิด-ปิด การนำกระแสในวงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลัง โหมดการทำงานใดไม่นิยมใช้

(a)  

อุปกรณ์สวิตชิ่งใดอาศัยการคอมมิวเตท

(a)  

อุปกรณ์สวิตชิ่งใดจำเป็นต้องมี Baker’s clamp

(a)  

การที่อุปกรณ์สวิตช์ทำงานที่ความถี่สูงส่งผลให้เกิดอะไร

(a)  

การสร้างสัญญาณจุดชนวน SCR ในกรณีที่โหลดเป็น R-L ควรเป็นสัญญาณแบบใด

(a)  

อุปกรณ์ใดไม่ได้อยู่ในตระกูล thyristor

(a)  

อุปกรณ์ใดไม่ได้อยู่ในตระกูล thyristor

(a)  

ความสัมพันธ์ของหม้อแปลงไฟฟ้ากับตัวเหนี่ยว

(a)  

แกนแม่เหล็ก (Magnetic cores) ที่ใช้ทำหม้อแปลงควรมีคุณสมบัติเช่นใด

(a)  

ปรากฏการณ์ทางผิว (Skin effect) คือ

(a)  

ช่องว่างอากาศในแกนแม่เหล็กสำหรับการออกแบบตัวเหนี่ยวนำเกิดผลอย่างไร

(a)