WorksheetsТехнология флеш-памяти
Total questions: 10
Worksheet time: 6mins
Ce este tehnologia memoriei flash?
Что представляет собой технология флеш-памяти?
un fel de tehnologie de semiconductor memorie reprogramabilă EEPROM.
разновидность полупроводниковой технологии перепрограммируемой памяти EEPROM.
dispozitiv de stocare cu acces aleatoriu (dispozitiv de stocare a informațiilor, unitate) bazat pe principiul înregistrării magnetice.
запоминающее устройство (устройство хранения информации, накопитель) произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи.
un mediu optic de stocare sub forma unui disc de plastic cu o gaură în centru, al cărui proces de înregistrare și citire a informațiilor se realizează cu ajutorul unui laser.
оптический носитель информации в виде пластикового диска с отверстием в центре, процесс записи и считывания информации которого осуществляется при помощи лазера.
Cine a descoperit tehnologia memoriei flash?
Кто открыл технологию флеш-память?
Fuji Masuoka
Фудзи Масуока
Kim Chen In
Ким Чен Ын
Elon Musk
Илон Маск
Qi Ching Ping
Ци Цзин Пин
Ce este o celulă de stocare elementară?
Что представляет из себя элементарная ячейка хранения данных?
tranzistor cu poartă plutitoare
транзистор с плавающим затвором
tranzistor cu virgulă mobilă
транзистор с плавающей запятой
tranzistor cu punct mobil
транзистор с плавающей точкой
Nu există niciun răspuns corect
Нет верного ответа
Care sunt principalele tipuri de memorie flash?
Какие основные типы флеш-памяти существуют?
NAND
NOR
XOR
NOT
Specificați versiunile flash hibride.
Укажите гибридные версии флеш-памяти.
NAND
NOR
DiNOR
superAND
Specificați principalele tipuri de celule de memorie.
Укажите основные типы ячеек памяти.
MLC
SLC
SPA
MPA
Celulele sunt mai încăpătoare și mai ieftine, dar ele cu un timp de acces mai lung și mai puține cicluri de scriere/ștergere (aproximativ 10.000) se numesc ...
Ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000) называется ...
Multi-level cell (многоуровневые ячейки памяти)
Single-level cell (одноуровневые ячейки памяти)
Celulele care au numărul maxim de cicluri de scriere/ștergere (100000) și au un timp de acces mai scurt se numesc ...
Ячейки имеющее максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа называется ...
Single-level cell (одноуровневые ячейки памяти)
Multi-level cell (многоуровневые ячейки памяти)
Ce arhitectură de memorie flash este prezentată în imagine?
Какая архитектура флеш-памяти изображена на картинке?
NOR
NAND
DiNOR
superAND
Ce arhitectură de memorie flash este prezentată în imagine?
Какая архитектура флеш-памяти изображена на картинке?
NAND
NOR
DiNOR
superAND
