Font size
WorksheetsПМ 12 Итоговый тест по методам производства
Total questions: 37
Worksheet time: 1hrs 18mins
Кратчайшее из возможных расстояний между одинаковыми точками в ряду кристаллической решетки
Узел
Элементарная трансляция
Направление
индекс Миллера
Определите символ направления проходящий через начало координат и точку с координатами (a/8, b/4, 7c/8)
[117]
[127]
(117)
(127)
Определите символ направления, проходящего через точки A (a/3, b/3 c/3) и B (a/3, 2b/3, 2c/3)
[011]
(111)
(110)
[233]
Какое из приведённых направлений относится к семейству эквивалентных направлений <143>
[312]
[286]
[142]
[967]
Согласно методу замены индексов чему эквивалентен элемент S1321
S16
S43
S56
S17
Базовый срез на кремниевой пластине позволяет определить
Вес
Верх пластины
Ориентацию кристаллической решетки внутри пластины
Позволяет посмотреть сечение пластины
Какой дефект пластины обозначен под буквой в
Вогнутость
Неплоскопараллельность
Выпуклость
Коробление
Под какой буквой изображен дефект коробление
а
б
в
г
Как называется неодинаковость физических свойств материалов по разным направлениям внутри этого материала
Анизотропность
Анизотропия
анизотропность
анизотропия
Что из перечисленного обозначено в маркировке кремниевой пластины
Удельное сопротивление
Легирование
Кристаллографическая плоскость
Мера анизотропного эффекта
На каком из рисунков изображен поликристаллический кремний
А
В
Постоянная кристаллической решетки это
Угол между кристаллографическими осями
Коэффициент поперечного сжатия к относительному продольному растяжению
Число атомов в одной кристаллографической ячейке
Элементарная трансляция кристаллической решетки
Арсенид Галия (AlGa) особо ценится за то что
Он обладает высокой проводимостью
Обладает хорошими оптическими свойствами
Обладает хорошими механическими свойствами
Не ценится
Сколько независимых модулей упругости имеет кремний
1
12
3
36
Под какой буквой изображен материал применяемый для изготовления МЭМС устройств
a
b
c
d
Что из приведенного является методом получения металлических плёнок
Сухое травление
Жидкое травление
Анодное или термическое окисление поверхности
Поверхностная обработка
Эпитаксия это -
Попадание сторонних примесей в материал подложки
Наращивания на кристаллической подложке монокристаллической структуры
Жидкое травление
Процесс механического удаления лишнего материала
Что из перечисленного Не является этапом фотолитографического процесса
Изготовление макета
Удаление материала согласно рисунку на фоторезисте
Ионизация макета
Формирование рисунка на фоторезисте
Что обозначено цифрой 3 на иллюстрации совмещения фотошаблонов
Фотошаблоны
Реперные знаки
Пластина обрабатываемого материала
Внешние слои МЭМС структуры
Какие виды сканирующих систем применяются при электронно-лучевой литографии
Растровая и векторная
Быстрая и медленная
Горячая и холодная
Сфокусированная и рассеянная
Чем характерно изотропное травление
Травление происходит с разной скоростью, в зависимости от направления
Травление происходит только при определенном температурном воздействии
Травление происходит с одинаковой скоростью во всех направлениях
Травление происходит только при определенном электрическом воздействии
От чего из перечисленного НЕ зависит скорость изотропного травления
Кристаллографического направления
Скорости отвода продуктов реакции и подвода реагентов
Типа травителя и его температуры
Наличия дефектов в полупроводнике или защитной маске
От чего из перечисленного зависит скорость анизотропного травления
Кристаллографического направления
Скорости отвода продуктов реакции и подвода реагентов
Типа травителя и его температуры
Наличия дефектов в полупроводнике или защитной маске
Каким образом распределяется скорость травления кремния по кристаллографическим направлениям?
V[100] < V[110] < V[210] < V[211] < V[221] < V[111]
V[100] = V[110] = V[210] = V[211] = V[221] = V[111]
V[100] > V[110] > V[210] > V[211] > V[221] > V[111]
Для каждой пластины кремния это соотношение будет индивидуальным
Какую форму профиля травления не возможно получить анизотропным травлением
Прямоугольник
Трапеция
Полукруг
Треугольник
На чем основан оптический способ контроля травления
Контроль цвета отраженного от кремниевой пластины света
Непосредственный контроль цвета пластины
Контроль цвета кремниевой пластины на просвет
Контроль отражающих свойств кремния
Сколько чувствительных элементов на изображении?
20
16
1
6
Сколько кремниевых пластин на изображении?
1
16
20
6
В каком из этих методов соединения пластин используется напряжение
Соединение методом сплавления
Низкотемпературное стеклянное
Анодное соединение
Какими свойствами должен обладать фоторезист
Менять под действием света растворимость в определенном растворителе
Сохранять под действием света растворимость в любом растворителе
Растворяться в растворителе использующемся для травления
Не растворяться в растворителе использующемся для травления
Какой тип сварочного соединения показа на изображении
Нахлесточная
Перпендикулярная
Тавровая
Параллельная
Какой тип сварки более надежен
Нахлесточная
Тавровая
На каком из изображений показана односторонняя сварка с одним электродом
а
б
в
г
В чем самая большая сложность упаковки МЭМС устройств в корпус
Часть датчика должна иметь доступ к окружающей среде, а остальная защищена
Малые габариты
Ограничение используемых материалов
Хрупкость упаковываемой конструкции
Какой корпус считается герметичным
Внутри корпуса поддерживается вакуум
Корпус полностью изолирует датчик от окружающей среды
Скорость утечки газа составляет < 1 • 10-5 мм/с
Скорость утечки газа составляет > 1 • 10-5 мм.с
Что из перечисленного НЕ является типом испытаний МЭМС материалов
Испытание прямолинейным растяжением
Испытание изгибом
Испытание кручением
Испытание циклической нагрузкой
Какие факторы влияют на физические свойства материала
Направление нагружения (кристаллографическая плоскость)
Процесс которым был получен образец
Метод организации нагружения
