wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Test 2

Total questions: 40

Worksheet time: 40mins

Name
Class
Date
1.

Какое свойство p-n перехода положено в основу работы стабилитрона?

a)

Лавинный пробой

b)

Односторонняя проводимость

c)

Туннельный эффект

d)

Диффузионная емкость

2.

Какой вид имеет p-n переход у диода Шоттки?

a)

Полупроводник-полупроводник

b)

Полупроводник-металл

c)

Полупроводник-диэлектрик

d)

Проводник-проводник

3.

Какой домен образуется при эффекте Ганна?

a)

Электрический

b)

Электростатический

c)

Электромагнитный

d)

Магнитный

4.

Какой емкостью p-n перехода можно управлять величиной обратного напряжения?

a)

Диффузионной

b)

Инжекционной

c)

Барьерной

d)

Переходной

5.

Какой из h- параметров является входным сопротивлением?

a)

h11

b)

h12

c)

h21

d)

h22

6.

Какой из h- параметров является коэффициентом передачи тока?

a)

h21

b)

h12

c)

h11

d)

h22

7.

Какой из диодов используют в качестве емкости?

a)

Туннельный

b)

Варикап

c)

Конденсаторный

d)

Пролетный

8.

Какой из транзисторов, дрейфовый или бездрейфовый, обладает лучшими высокочастотными свойствами?

a)

Дрейфовый

b)

Оба одинаковы

c)

Бездрейфовый

d)

Это зависит от толщины базы

9.

Какой способ не относится к управлению тиристором?

a)

Амплитудный

b)

Фазовый

c)

Частотный

d)

Фазовоимпульсный

10.

Какой ток увеличивается с увеличением частоты?

a)

ток эмиттера

b)

ток коллектора

c)

ток базы

d)

никакой

11.

Какой эффект возникает в переходе Шоттки?

a)

Эффект Зинера

b)

Эффект электрического поля

c)

Эффект электромагнитного поля

d)

Эффект Френкеля

12.

Какому диапазону соответствует излучение с длиной волны 0,01...0,4 мкм?

a)

Ультрафиолетовое излучение

b)

Видимое излучение

c)

Инфракрасное излучение

d)

Индуцированное излучение

13.

Какому диапазону соответствует излучение с длиной волны 0,38...0,78 мкм?

a)

Ультрафиолетовое излучение

b)

Видимое излучение

c)

Инфракрасное излучение

d)

Индуцированное излучение

14.

Какому диапазону соответствует излучение с длиной волны 0,78...1000 мкм?

a)

Ультрафиолетовое излучение

b)

Видимое излучение

c)

Инфракрасное излучение

d)

Индуцированное излучение

15.

Какую структуру имеют приборы с зарядовой связью?

a)

металл-диэлектрик-полупроводник

b)

биполярного транзистора

c)

двухбазового диода

d)

четырехслойную p-n структуру

16.

Модуляция толщины базы коллекторным напряжением это?

a)

изменение, при котором уменьшается  воздействие коллекторного тока на эмиттер

b)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

c)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

d)

изменение толщины базы из-за влияния высокой температуры

17.

На каких частотах работает диод Шотки?

a)

250-500 мГц

b)

500-1000 мГц

c)

1000-1500 мГц

d)

1500-2000 мГц

e)

Свыше 2000 мГц

18.

На каких частотах работают диоды Ганна?

a)

До 100МГц

b)

до 1ГГц

c)

до 10ГГц

d)

свыше 10ГГц

19.

На каком этапе изготовления гибридных ИМС используется способ фотолитографии?

a)

V

b)

VI

c)

III

d)

IV

20.

На чем основано управление током в полевом транзисторе с управляющим переходом?

a)

На изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения

b)

На изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжекторных  носителей

c)

На изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения

d)

На изменении емкости перехода

21.

Носители заряда, которыми обусловлен ток коллектора биполярного транзистора

a)

основными носителями заряда в области базы

b)

основными носителями заряда в области коллектора

c)

неосновными носителями заряда, имеющимися в области базы и в области коллектора

d)

неосновными носителями заряда в области эмиттера

22.

Операция Пирса это

a)

Логическая функция И

b)

Логическая функция ИЛИ

c)

Логическая функция И-НЕ

d)

Логическая функция ИЛИ-НЕ

23.

Операция Шеффера это

a)

Логическая функция И

b)

Логическая функция ИЛИ

c)

Логическая функция И-НЕ

d)

Логическая функция ИЛИ-НЕ

24.

Особенности эмиттерного повторителя это

a)

Большой коэффициент усиления по току

b)

Большое выходное сопротивление

c)

Малое выходное сопротивления

d)

Малая зависимость от температуры

25.

От чего зависит удельная электропроводность полупроводника?

a)

От концентрации электронов и дырок и от их подвижности

b)

От концентрации электронов и от их подвижности

c)

От концентрации дырок и от их подвижности

d)

От концентрации ионов  и от их подвижности

26.

По какой траектории двигается электрон в магнитном поле?

a)

По прямой

b)

По кривой

c)

По спирали

d)

Хаотично

27.

По какому закону возрастает концентрация свободных электронов с увеличением температуры?

a)

Прямопропорционально

b)

Прямолинейно

c)

По экспоненте

d)

По параболе

28.

Под модуляцией толщины базы коллекторным напряжением подразумевается

a)

влияние коллекторного напряжения на толщину эмиттера в области вывода базы

b)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

c)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

d)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

29.

Поле объемного заряда в области пространственного заряда в n-p перехода образуется

a)

генерацией отрицательных носителей зарядов

b)

генерацией положительных носителей зарядов

c)

нескомпенсированными зарядами примесей

d)

свободными носителями заряда

30.

Потенциальный барьер p-n перехода, это

a)

Контактная разность потенциалов

b)

Потенциальный барьер электронов

c)

Потенциальный барьер  дырок

d)

Диффузионный барьер

31.

Почему с ростом частоты в схеме с ОЭ падает коэффициент усиления?

a)

Увеличивается ток  коллектора

b)

Увеличивается ток эмиттера

c)

Увеличивается ток базы

d)

Уменьшается ток базы

32.

При внутреннем фотоэффекте происходит

a)

изменение концентрации свободных носителей заряда

b)

изменение  коэффициента сопротиления

c)

изменение  фотонапряжения

d)

изменение  фототока

33.

При обратном включении потенциальный барьер

a)

Уменьшается

b)

Увеличивается

c)

Не изменяется

d)

Ускоряется

34.

При прямом включении потенциальный барьер

a)

Уменьшается

b)

Увеличивается

c)

Не изменяется

d)

Ускоряется

35.

]С какой целью делают площадь коллекторного перехода существенно большей площади эмиттерного перехода?

a)

С целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе

b)

С целью увеличения емкости коллекторного перехода

c)

С целью уменьшения сопротивления коллекторного перехода

d)

С целью уменьшения диффузионного сопротивления базы

36.

Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на низких частотах объясняется?

a)

наличием элемента не пропускающего постоянную составляющую тока

b)

нелинейностью характеристик усилительного элемента

c)

наличием элемента не пропускающего переменную составляющую тока

d)

собственными шумами усилителя

37.

Спад амплитудно-частотной характеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется?

a)

влиянием барьерной емкости транзистора

b)

влиянием диффузионной емкости транзистора

c)

наличием индуктивности

d)

собственными шумами усилителя

38.

Течет ли ток через фотодиод при отсутствии светового потока при обратном смещении?

a)

При отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

b)

Течет небольшой обратный ток через фотодиод

c)

Течет большой ток, т.к. фотодиод подключен в обратном направлении

d)

Течет темновой ток

39.

Транзистор, обладающий лучшими высокочастотными свойствами?

a)

дрейфовый транзистор

b)

бездрейфовый транзистор

c)

транзистор электрическое внутреннее поле в базе которого отсутствует

d)

Диффузионный транзистор

40.

Увеличение толщины обеднённого слоя происходит вследствие

a)

взаимодействия двух электрических полей, возникающих между затвором и подложкой, стоком и истоком

b)

взаимодействия электрического поля, возникающего между затвором и истоком

c)

увеличения напряжения на затворе

d)

уменьшения напряжения на затворе