wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Test3

Total questions: 56

Worksheet time: 56mins

Name
Class
Date
1.

Укажите какое напряжение возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы?

a)

Плюс в p-области и минус в n-области

b)

Плюс в n-области и минус в p-области

c)

Полярность напряжения определяется длинной волны светового потока

d)

Полярность напряжения определяется интенсивностью светового потока

2.

Чем объясняется скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости?

a)

Наличием двойного электрического слоя за счет нескомпенсированного объемного заряда по обе стороны p-n перехода

b)

Разной концентрацией подвижных носителей

c)

Наличием внешнего источника тока

d)

Изменением структуры кристаллической решетки

3.

Чем объясняются лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора?

a)

Большей скоростью движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля

b)

Малой емкостью коллекторного перехода

c)

Малой толщиной базы

d)

Малым удельным сопротивлением базы

4.

Чем объясняются лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора?

a)

Большей скоростью движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля

b)

Малой емкостью коллекторного перехода

c)

Малой толщиной базы

d)

Малым удельным сопротивлением базы

5.

Чем характеризуется степень сложности интегральной схемы?

a)

степенью интеграции

b)

плотностью упаковки ИС

c)

технологией изготовления

d)

размером ИС

6.

Чем характеризуется уровень технологичности интегральной схемы?

a)

плотностью упаковки ИС

b)

степенью интеграции

c)

технологией изготовления

d)

размером ИС

7.

Чему равен коэффициент усиления по напряжению биполярного транзистора в схеме с общим коллектором

a)

1

b)

100

c)

1000

d)

10000

8.

Чему равен коэффициент усиления по напряжению биполярного транзистора в схеме с общей базой?

a)

1

b)

100

c)

1000

d)

10000

9.

Чему равен коэффициент усиления по напряжению биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером?

a)

1

b)

1000

c)

100

d)

10000

10.

Чему равен коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим коллектором?

a)

1

b)

100

c)

1000

d)

10000

11.

Чему равен коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общей базой?

a)

1

b)

100

c)

1000

d)

10000

12.

Чему равен коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером?

a)

1

b)

100

c)

1000

d)

10000

13.

Чему равно входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общей базой?

a)

Единицы - десятки Ом

b)

Сотни Ом

c)

Тысячи Ом

d)

Десятки тысяч Ом

14.

Чему равно входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером?

a)

Единицы - десятки Ом

b)

Сотни Ом

c)

Тысячи Ом

d)

Десятки тысяч Ом

15.

Чему равно входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим коллектором?

a)

Единицы - десятки Ом

b)

Сотни Ом

c)

Тысячи Ом

d)

Десятки тысяч Ом

16.

Что больше, ток эмиттера или ток инжекции неосновных носителей в базу    транзистора?

a)

Ток инжекции

b)

Ток эмиттера

c)

Оба равны

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси в эмиттере

17.

Что вызывает диффузию основных носителей в базе p-n-p переходе?

a)

увеличение прямого напряжения

b)

увеличение обратного напряжения

c)

повышение потенциального барьера

d)

повышенная концентрация основных носителей

18.

Что вызывает экстракцию основных носителей в p-n-p переходе?

a)

увеличение прямого напряжения

b)

увеличение обратного напряжения

c)

повышение потенциального барьера

d)

повышенная концентрация основных носителей

19.

Что не относится к статическим параметрам диода?

a)

Падение напряжения на диоде

b)

Импульсное обратное напряжение

c)

Предельная частота

d)

Обратный ток

20.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Электронная

c)

Фотоэлектронная

d)

Электростатическая

21.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Термостатическая

c)

Фотоэлектронная

d)

Электросатическая

22.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Электрическая

c)

Фотоэлектронная

d)

Электростатическая

23.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Фотоэлектрическая

c)

Фотоэлектронная

d)

Электростатическая

24.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Электромагнитная

c)

Фотоэлектронная

d)

Электростатическая

25.

Что не относится к электронной эмиссии?

a)

Термоэлектронная

b)

Вторичная электрическая

c)

Вторичная электронная

d)

Электростатическая

26.

Что определяет скорость рекомбинации носителей заряда?

a)

Величина, обратная времени жизни носителей

b)

Величина, времени жизни носителей

c)

Коэффициент диффузии электронов

d)

Диффузионная длина

27.

Что относится к динамическим параметрам диода?

a)

Падение напряжения на диоде

b)

Импульсное обратное напряжение

c)

Предельная частота

d)

Обратный ток

28.

Что такое вентильный режим фотодиода?

a)

Режим освещенного фотодиода без источника напряжения во внешней цепи

b)

Режим с источником напряжения, но без нагрузки во внешней цепи

c)

Режим с источником напряжения и с нагрузкой во внешней цепи

d)

Режим неосвещенного фотодиода в прямом направлении

29.

Что такое внешний фотоэффект?

a)

Уменьшение электрического сопротивления полупроводника под действием падающего света

b)

Возникновение на p-n переходе под действием падающего света разности потенциалов

c)

Испускание электронов с поверхности вещества под действием энергии падающего света

d)

Люминесценция полупроводникового кристалла под воздействием света

30.

Что такое генерация зарядов?

a)

Процесс образования электронов

b)

Процесс образования дырок

c)

Процесс образования  пары  электрон-дырка

d)

Процесс образования ионов

31.

Что такое гибридная ИМС?

a)

Это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные, выполненные в микроминиатюрном исполнении, - крепятся навесным монтажом

b)

Это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов

c)

Это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла

d)

Это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные - в виде пленок располагаются сверху

32.

Что такое двойной электрический слой?

a)

Совокупность положительных ионов у поверхности металла и электронов, появляющихся над поверхностью

b)

Совокупность отрицательных ионов у поверхности металла и электронов, появляющихся над поверхностью

c)

Совокупность положительных ионов внутри ближе к поверхности металла и электронов, появляющихся над поверхностью

d)

Совокупность отрицательных ионов внутри ближе к поверхности металла и электронов, появляющихся над поверхностью

33.

Что такое дизъюнкция?

a)

Логическая функция И

b)

Логическая функция ИЛИ

c)

Логическая функция И-НЕ

d)

Логическая функция ИЛИ-НЕ

34.

Что такое диффузионная длина?

a)

расстояние, пройденное носителем заряда за время его жизни

b)

расстояние, пройденное носителем заряда до диффузии

c)

расстояние, пройденное носителем заряда после диффузии

d)

расстояние, пройденное носителем заряда через p-n переход

35.

Что такое диффузионная емкость p-n перехода?

a)

это емкость, которая появляется при скоплении подвижных носителей заряда в p- и n- областях при обратном включении p-n перехода

b)

это емкость, которая появляется при скоплении подвижных носителей заряда в p- и n- областях при прямом включении p-n перехода

c)

это емкость, которая появляется при скоплении неподвижных носителей заряда в p- и n- областях при прямом включении p-n перехода

d)

это емкость, которая появляется при скоплении неподвижных носителей заряда в n- и n- областях при обратном включении p-n перехода

36.

Что такое диффузия?

a)

самопроизвольное взаимное проникновение молекул одного вещества в промежутки между молекулами другого

b)

самопроизвольное взаимное проникновение атомов одного вещества в промежутки между атомами другого

c)

самопроизвольное взаимное проникновение карпускул одного вещества в промежутки между карпускулами другого

d)

движение атомов одного вещества внутри кристаллической решетки другого

37.

Что такое инжекция носителей в полупроводнике?

a)

Движение носителей за счет разности концентраций

b)

Хаотическое тепловое движение носителей

c)

Обеднение неравновесных носителей заряда при прямом смещении

d)

Появление высокой концентрации неравновесных носителей заряда при прямом смещении

38.

Что такое конъюнкция?

a)

Логическая функция И

b)

Логическая функция ИЛИ

c)

Логическая функция И-НЕ

d)

Логическая функция ИЛИ-НЕ

39.

Что такое полупроводниковая монолитная ИМС?

a)

Это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла

b)

Это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные - выполненные в микроминиатюрном исполнении, крепятся навесным монтажом

c)

Это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов

d)

Это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные - в виде пленок располагаются сверху

40.

Что такое рекомбинация носителей заряда?

a)

Исчезновение пары электрон-дырка

b)

Исчезновение электронов

c)

Исчезновение дырок

d)

Исчезновение ионов

41.

Что такое совмещенная ИМС?

a)

Это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные - в виде пленок располагаются сверху

b)

Это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные - выполненные в микроминиатюрном исполнении крепятся навесным монтажом

c)

Это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла

d)

Это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов

42.

Что такое ток удержания тиристора?

a)

Минимальный прямой ток, при котором тиристор остается во включенном состоянии

b)

Максимальный прямой ток, при котором тиристор остается во включенном состоянии

c)

Минимальный прямой ток, при котором тиристор остается в выключенном состоянии

d)

Максимальный прямой ток, при котором тиристор остается в выключенном состоянии

43.

Что такое ударная ионизация?

a)

Процесс выбивания новых электронов и образование положительных ионов

b)

Процесс выбивания новых электронов и образование отрицательных ионов

c)

Процесс выбивания положительных ионов и образование новых электронов

d)

Процесс выбивания отрицательных ионов и образование новых электронов

44.

Что такое фотогальванический эффект?

a)

Уменьшение электрического сопротивления полупроводника под действием падающего света

b)

Возникновение на p-n переходе под действием падающего света разности потенциалов

c)

Испускание электронов с поверхности вещества под действием энергии падающего света

d)

Люминесценция полупроводникового кристалла под воздействием света

45.

Что такое фоторезистивный эффект?

a)

Уменьшение электрического сопротивления полупроводника под действием падающего света

b)

Возникновение на p-n переходе под действием падающего света разности потенциалов

c)

Испускание электронов с поверхности вещества под действием энергии падающего света

d)

Люминесценция полупроводникового кристалла под воздействием света

46.

Что такое электронная эмиссия?

a)

Проникновение электронов вглубь полупроводника

b)

Выход электронов из полупроводника

c)

Выход электронов из валентной зоны в зону проводимости

d)

Выход электронов из зоны проводимости  в валентную зону

47.

Что такое эффект Ганна?

a)

Образование домена

b)

Электростатическая ионизация атомов

c)

Термоэлектронная ионизация атомов

d)

Расщепление энергетических уровней

48.

Что такое эффект Зинера?

a)

Ударная ионизация атомов электронами

b)

Электростатическая ионизация атомов

c)

Термоэлектронная ионизация атомов

d)

Расщепление энергетических уровней

49.

Что такое эффект Пуля?

a)

Ударная ионизация атомов электронами

b)

Электростатическая ионизация атомов

c)

Термоэлектронная ионизация атомов

d)

Расщепление энергетических уровней

50.

Что такое эффект Штарка?

a)

Ударная ионизация атомов электронами

b)

Электростатическая ионизация атомов

c)

Термоэлектронная ионизация атомов

d)

Расщепление энергетических уровней

51.

Что такое эффект Эрли?

a)

Изменение ширины базы и ее свойств под действием прямого коллекторного напряжения

b)

Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения

c)

Изменение ширины базы и ее свойств под действием прямого базового напряжения

d)

Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного базового напряжения

52.

Что усиливает транзистор, включенный по схеме с общей базой?

a)

Ток

b)

Напряжение

c)

Напряжение и ток

d)

частоту

53.

Что усиливает транзистор, включенный по схеме с общим коллектором?

a)

Ток

b)

Напряжение

c)

Напряжение и ток

d)

частоту

54.

Что усиливает транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером?

a)

Ток

b)

Напряжение

c)

Напряжение и ток

d)

частоту

55.

Что усиливает эмиттерный повторитель?{

a)

Ток

b)

Напряжение

c)

Напряжение и ток

d)

частоту

56.

Эффект Эрли-это?

a)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

b)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

c)

изменение толщины базы из-за влияния высокой температуры

d)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе