WorksheetsKIẾN TRÚC MÁY TÍNH CHƯƠNG 4
Total questions: 99
Worksheet time: 50mins
Name
Class
Date
1.
Câu 1: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 256MB, dung lượng bộ nhớ Cache 64KB, Kích thước một Line 64byte, độ dài ngăn nhớ 4byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp dạng địa chỉ Tag + Line + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:
a)
A. 11+11+5
b)
B. 12+11+4
c)
C. 12+12+3
d)
D. 11+12+4
2.
Câu 2: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 24 đường và bus dữ liệu là 8 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?
a)
A. 32 MegaByte
b)
B. 8 MegaByte
c)
C. 64 MegaByte
d)
D. 16 MegaByte
3.
Câu 3: Trong cấu trúc bộ nhớ dạng 2N×M, phát biểu nào dưới đây đúng?
a)
A. Bộ nhớ gồm 2N từ nhớ và M module
b)
B. Bộ nhớ gồm 2N ngăn nhớ, mỗi ngăn nhớ gồm M bit
c)
C. Bộ nhớ gồm 2N Byte và M module nhớ
d)
D. Bộ nhớ gồm 2N từ nhớ và M module nhớ
4.
Câu 4: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 4GB, dung lượng bộ nhớ Cache 512KB, Kích thước một Line 32byte, độ dài ngăn nhớ 1 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp dạng địa chỉ Tag + Line + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 13+5+14
b)
B. 5+14+13
c)
C. 14+13+5
d)
D. 13+14+5_x000D_
5.
Câu 5: Bộ nhớ Cache hoạt động nhờ vào nguyên lý:_x000D_
a)
A. Nguyên lý hoạt động của máy tính
b)
B. Nguyên lý điều khiển ghi dữ liệu_x000D_
c)
C. Cục bộ hóa tham chiếu bộ nhớ
d)
D. Nguyên lý điều khiển đọc dữ liệu_x000D_
6.
Câu 6: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ và m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:_x000D_
a)
A. 2m x n byte
b)
B. 2n x m byte
c)
C. 2m x n bit
d)
D. 2n x m bit_x000D_
7.
Câu 7: Xét bộ nhớ Cache, có các kỹ thuật ánh xạ địa chỉ nào sau đây_x000D_
a)
A. Trực tiếp, liên kết toàn phần, liên kết tập hợp
b)
B. Trực tiếp, liên kết liên tục, liên kết gián đoạn_x000D_
c)
C. Liên kết tập hợp, liên kết phần tử, liên kết hợp
d)
D. Trực tiếp, gián tiếp, kết hợp_x000D_
8.
Câu 8: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 32 đường và bus dữ liệu là 16 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 8 MegaByte
b)
B. 4 MegaByte
c)
C. 8 GigaByte
d)
D. 4 GigaByte_x000D_
9.
Câu 9: Bộ nhớ chính thường được cấu tạo từ phần tử nhớ nào sau đây?_x000D_
a)
A. EPROM
b)
B. EEPROM
c)
C. DRAM
d)
D. SRAM_x000D_
10.
Câu 10: Đặc điểm của bộ nhớ RAM nói chung_x000D_
a)
A. Chỉ cho phép đọc dữ liệu_x000D_
b)
B. Cho phép ghi dữ liệu_x000D_
c)
C. Không bị mất dữ liệu khi không có nguồn cấp_x000D_
d)
D. Cho phép ghi/đọc dữ liệu đồng thời tại một vị trí nhớ_x000D_
11.
Câu 11: Cấu tạo của một ô nhớ DRAM như thế nào?_x000D_
a)
A. Gồm hai tụ điện và hai Transistor
b)
B. Gồm hai tụ điện và hai Transistor_x000D_
c)
C. Gồm hai tụ điện và một Transistor
d)
D. Gồm một tụ điện và một Transistor_x000D_
12.
Câu 12: Đối với phương pháp ghi dữ liệu vào Cache, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi chậm vì phải ghi đồng thời vào cả Cache và bộ nhớ chính_x000D_
b)
B. Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi chậm vì phải tìm xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không_x000D_
c)
C. Ghi trả sau (Write-back) là chỉ ghi vào Cache, khi Block tương ứng trong Cache bị thay thế thì mới ghi trả cả Block về bộ nhớ chính._x000D_
d)
D. Ghi xuyên qua (Write-through) là ghi đồng thời vào cả Cache và bộ nhớ chính_x000D_
13.
Câu 13: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:_x000D_
a)
A. Là loại bộ nhớ không khả biến_x000D_
b)
B. Là bộ nhớ đọc/ghi tùy ý_x000D_
c)
C. Có hai loại RAM là SRAM và DRAM_x000D_
d)
D. Là nơi lưu trữ thông tin tạm thời khi thực thi chương trình_x000D_
14.
Câu 14: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 64K x 8bit, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Các đường dữ liệu từ D0 -> D15
b)
B. Các đường dữ liệu từ D0 -> D8_x000D_
c)
C. Các đường địa chỉ từ A0 -> A15
d)
D. Các đường địa chỉ từ A0 -> A7_x000D_
15.
Câu 15: Trong các máy tính hiện đại, thiết bị nhớ nào trong số các loại bộ nhớ sau thường có dung lượng lớn nhất?_x000D_
a)
A. Ổ đĩa cứng
b)
B. RAM
c)
C. ROM
d)
D. Cache_x000D_
16.
Câu 16: Phát biểu nào sau đây về PROM là đúng_x000D_
a)
A. Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
b)
B. Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện_x000D_
c)
C. Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện_x000D_
d)
D. Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
17.
Câu 17: Đối với bộ nhớ ROM, điều nào sau đây không đúng?_x000D_
a)
A. Luôn có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM
b)
B. Là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên_x000D_
c)
C. Chỉ cho phép đọc dữ liệu
d)
D. Không được sử dụng làm bộ nhớ Cache_x000D_
18.
Câu 18: So với bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài của máy tính có ưu điểm là:_x000D_
a)
A. Giá thành trên 1 bit nhớ thấp
b)
B. Kích thước nhỏ gọn_x000D_
c)
C. Tốc độ truy cập nhanh
d)
D. Cấu tạo đơn giản_x000D_
19.
Câu 19: Trong các bộ nhớ sau, bộ nhớ nào yêu cầu làm tươi theo chu kỳ?_x000D_
a)
A. DRAM
b)
B. EPROM
c)
C. SRAM
d)
D. PROM_x000D_
20.
Câu 20: Đặc điểm của bộ nhớ Cache là:_x000D_
a)
A. Có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM_x000D_
b)
B. Cho phép truy nhập nhanh hơn so với các thanh ghi của CPU_x000D_
c)
C. Cho phép truy nhập nhanh hơn so với bộ nhớ DRAM_x000D_
d)
D. Là bộ nhớ cố định_x000D_
21.
Câu 21: Xét về chức năng, hệ thống nhớ máy tính có thể có ở các vị trí:_x000D_
a)
A. Các thanh ghi, ROM, băng từ_x000D_
b)
B. Bên trong bộ xử lý, RAM, đĩa từ_x000D_
c)
C. Bên trong CPU (các thanh ghi), bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài_x000D_
d)
D. Các thanh ghi, bộ nhớ trong, CD-ROM_x000D_
22.
Câu 22: Xét theo phân cấp hệ thống nhớ máy tính, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Mức Cache là mức trung gian giữa CPU và RAM_x000D_
b)
B. Mức thanh ghi là mức trao đổi nhanh nhất_x000D_
c)
C. Mức Cache là mức gần thanh ghi nhất_x000D_
d)
D. Mức thanh ghi là mức trao đổi chậm nhất_x000D_
23.
Câu 23: Bộ nhớ ROM là bộ nhớ:_x000D_
a)
A. Cho phép ghi/đọc dữ liệu đồng thời tại một vị trí nhớ_x000D_
b)
B. Cho phép ghi dữ liệu trong quá trình chạy chương trình_x000D_
c)
C. Chỉ cho phép đọc dữ liệu_x000D_
d)
D. Bị mất dữ liệu khi không có nguồn cấp_x000D_
24.
Câu 24: Bộ nhớ nào sau đây là bộ nhớ khả biến_x000D_
a)
A. PROM
b)
B. RAM
c)
C. EEPROM
d)
D. EPROM_x000D_
25.
Câu 25: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 512MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 16byte, độ dài ngăn nhớ 2byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết toàn phần dạng địa chỉ Tag + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 23+3
b)
B. 25+3
c)
C. 25+5
d)
D. 23+5_x000D_
26.
Câu 26: Dung lượng của bộ nhớ được xác định bởi_x000D_
a)
A. Số lượng Module nhớ có trong bộ nhớ_x000D_
b)
B. Số lượng bit dữ liệu được bộ nhớ trao đổi trong một đơn vị thời gian_x000D_
c)
C. Số lượng dây dữ liệu trên Bus dữ liệu truy nhập bộ nhớ_x000D_
d)
D. Số lượng bit hoặc từ mà bộ nhớ có thể lưu trữ_x000D_
27.
Câu 27: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:_x000D_
a)
A. Được chế tạo từ mạch lật
b)
B. Được chế tạo từ diode_x000D_
c)
C. Được chế tạo từ Transistor hoặc diode
d)
D. Được chế tạo từ Transistor_x000D_
28.
Câu 28: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, các trường địa chỉ là:_x000D_
a)
A. Tag + Word + Set
b)
B. Tag + Set + Word
c)
C. Tag + Word
d)
D. Tag + Line_x000D_
29.
Câu 29: Đối với bộ nhớ Cache, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ chính có tốc độ nhanh hơn Cache_x000D_
b)
B. Cache có thể được đặt trên cùng chip với CPU_x000D_
c)
C. Bộ nhớ Cache không thể được đặt trên cùng chip với CPU_x000D_
d)
D. Bộ nhớ Cache được đặt giữa bộ nhớ chính và bộ nhớ ngoài_x000D_
30.
Câu 30: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu A0 -> A13, D0 -> D15, RD, WR, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu
b)
B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu_x000D_
c)
C. RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu
d)
D. Dung lượng của chip là 32KB_x000D_
31.
Câu 31: Điểm nào sau đây không phải là ưu điểm của bộ nhớ ngoài so với bộ nhớ chính của máy tính:_x000D_
a)
A. Tốc độ truy cập bộ nhớ thường rất cao
b)
B. Dung lượng lớn_x000D_
c)
C. Giá thành thấp
d)
D. Không mất dữ liệu khi mất nguồn_x000D_
32.
Câu 32: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 16K x 8bit, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Có 7 đường dữ liệu
b)
B. Có 14 đường địa chỉ_x000D_
c)
C. Các đường dữ liệu từ D0 -> D8
d)
D. Các đường địa chỉ từ A0 -> A14_x000D_
33.
Câu 33: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 128MB, dung lượng bộ nhớ Cache 64KB, Kích thước một Line 16byte, độ dài ngăn nhớ 1byte, kích thước Set 4Line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp dạng địa chỉ Tag + Set + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 14+9+4
b)
B. 14+10+5
c)
C. 13+9+5
d)
D. 13+10+4_x000D_
34.
Câu 34: Trong sự trao đổi giữa Cache và bộ nhớ chính, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ chính chia thành các Line nhớ
b)
B. Bộ nhớ chính chia thành các Block nhớ_x000D_
c)
C. Cache chia thành các Line nhớ
d)
D. Kính thước Line bằng kích thước Block_x000D_
35.
Câu 35: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 24 đường và bus dữ liệu là 16 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 8 MegaByte
b)
B. 16 MegaByte
c)
C. 32 MegaByte
d)
D. 64 MegaByte_x000D_
36.
Câu 36: Chương trình BIOS được lưu trữ trong bộ nhớ thuộc loại nào?_x000D_
a)
A. Ổ đĩa cứng
b)
B. Cache
c)
C. RAM
d)
D. ROM_x000D_
37.
Câu 37: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết toàn phần, các trường địa chỉ là:_x000D_
a)
A. Tag + Word + Line
b)
B. Tag + Line + Word
c)
C. Tag + Word
d)
D. Tag + Line_x000D_
38.
Câu 38: Cấu tạo của một ô nhớ SRAM như thế nào?_x000D_
a)
A. Là mạch lật gồm ba tụ điện và hai Transistor_x000D_
b)
B. Là mạch tích điện gồm bốn tụ điện và hai Transistor_x000D_
c)
C. Là mạch tích điện gồm hai tụ điện và ba Transistor_x000D_
d)
D. Là mạch lật gồm sáu Transistor_x000D_
39.
Câu 39: Trong các máy tính hiện đại, thiết bị nhớ nào trong số các loại bộ nhớ sau có thời gian truy nhập nhỏ nhất?_x000D_
a)
A. Cache
b)
B. ROM
c)
C. Ổ đĩa cứng
d)
D. RAM_x000D_
40.
Câu 40: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:_x000D_
a)
A. Có thể dùng điện để xóa EPROM_x000D_
b)
B. PROM là loại ROM có thể xóa và ghi lại nhiều lần_x000D_
c)
C. EPROM là loại ROM có thể xóa và ghi lại nhiều lần_x000D_
d)
D. Có thể dùng điện để xóa PROM_x000D_
41.
Câu 41: Xét về phương pháp truy nhập hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ
b)
B. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong_x000D_
c)
C. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ Cache
d)
D. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ Cache_x000D_
42.
Câu 42: Phát biểu nào sau đây về EPROM là đúng_x000D_
a)
A. Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
b)
B. Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
c)
C. Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện_x000D_
d)
D. Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện_x000D_
43.
Câu 43: Đối với bộ nhớ Cache, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ ngoài nhận cả khối dữ liệu từ Cache_x000D_
b)
B. Việc truyền dữ liệu giữa CPU và Cache theo đơn vị từ nhớ_x000D_
c)
C. Việc truyền dữ liệu giữa CPU và Cache theo đơn vị khối nhớ_x000D_
d)
D. Khi cần, CPU nhận dữ liệu trực tiếp từ bộ nhớ chính_x000D_
44.
Câu 44: Trong các phát biểu sau, phát biểu nào đúng?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ Cache có tốc độ cao hơn bộ nhớ trong_x000D_
b)
B. Bộ nhớ ROM không phải là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên_x000D_
c)
C. Bộ nhớ trong có dung lượng lớn hơn bộ nhớ ngoài_x000D_
d)
D. Bộ nhớ RAM luôn có dung lượng nhỏ hơn bộ nhớ Cache_x000D_
45.
Câu 45: Một ưu điểm của bộ nhớ ngoài so với bộ nhớ trong của máy tính là:_x000D_
a)
A. Tốc độ truy cập nhanh
b)
B. Dung lượng lớn_x000D_
c)
C. Kích thước nhỏ gọn
d)
D. Cấu tạo đơn giản_x000D_
46.
Câu 46: Xét theo phân cấp hệ thống nhớ máy tính, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Từ bộ nhớ ngoài đến thanh ghi dung lượng giảm dần_x000D_
b)
B. Từ thanh ghi đến bộ xử lý tốc độ tăng dần_x000D_
c)
C. Từ bộ nhớ trong đến bộ nhớ Cache giá thành/1bit giảm dần_x000D_
d)
D. Từ bộ nhớ Cache đến bộ nhớ ngoài tốc độ tăng dần_x000D_
47.
Câu 47: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:_x000D_
a)
A. RAM là viết tắt của Read Access Memory_x000D_
b)
B. Là loại bộ nhớ không khả biến_x000D_
c)
C. Là nơi lưu trữ thông tin mà máy tính đang xử lý_x000D_
d)
D. SRAM được chế tạo từ các tụ điện_x000D_
48.
Câu 48: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 512MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 32byte, độ dài ngăn nhớ 2byte, kích thước Set 4Line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp dạng địa chỉ Tag + Set + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 12+12+4
b)
B. 14+10+4
c)
C. 13+11+4
d)
D. 13+9+6_x000D_
49.
Câu 49: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 15 đường và bus dữ liệu là 8 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 32 MegaByte
b)
B. 16 MegaByte
c)
C. 32 KiloByte
d)
D. 16 KiloByte_x000D_
50.
Câu 50: Đặc điểm của bộ nhớ ROM là_x000D_
a)
A. Lưu trữ được nhiều thông tin hơn bộ nhớ RAM_x000D_
b)
B. Được sử dụng làm bộ nhớ Cache_x000D_
c)
C. Cho phép truy nhập nhanh hơn bộ nhớ RAM_x000D_
d)
D. Nội dung không bị thay đổi_x000D_
51.
Câu 51: Có các kiểu truy nhập bộ nhớ nào?_x000D_
a)
A. Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập khối nhớ._x000D_
b)
B. Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập liên kết_x000D_
c)
C. Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập tuần tự, truy nhập trực tiếp, truy nhập khối nhớ, truy nhập liên kết_x000D_
d)
D. Có 4 kiểu truy cập bộ nhớ là: Truy nhập trực tiếp, truy nhập từ nhớ, truy nhập ngẫu nhiên, truy nhập liên kết_x000D_
52.
Câu 52: Đối với phương pháp ghi dữ liệu vào Cache, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi nhanh vì không phải kiểm tra xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không_x000D_
b)
B. Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi chậm vì phải tìm xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không_x000D_
c)
C. Ghi trả sau (Write-back) tốc độ ghi nhanh vì chỉ ghi vào Cache, khi Block tương ứng trong Cache bị thay thế thì mới ghi trả cả Block về bộ nhớ chính_x000D_
d)
D. Ghi xuyên qua (Write-through) tốc độ ghi chậm vì phải kiểm tra xem Block tương ứng trong Cache có bị thay thế hay không_x000D_
53.
Câu 53: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 4GB, dung lượng bộ nhớ Cache 512KB, Kích thước một Line 32byte, độ dài ngăn nhớ 4byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết toàn phần dạng địa chỉ Tag + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 27+3
b)
B. 29+3
c)
C. 27+5
d)
D. 29+5_x000D_
54.
Câu 54: Đối với bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên, điều nào sau đây đúng?_x000D_
a)
A. Dữ liệu trong bộ nhớ có giá trị ngẫu nhiên_x000D_
b)
B. Dữ liệu của bộ nhớ được đọc hay ghi tại các thời điểm ngẫu nhiên_x000D_
c)
C. Thời gian truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ đều bằng nhau_x000D_
d)
D. Dữ liệu trong bộ nhớ không được đọc hay ghi một cách tuần tự_x000D_
55.
Câu 55: Đối với bộ nhớ Cache, xét kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, thứ tự tìm Block trong cache được thực hiện dựa theo các trường trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:_x000D_
a)
A. Line -> Word -> Tag
b)
B. Line -> Tag -> Word_x000D_
c)
C. Tag -> Line -> Word
d)
D. Tag -> Word -> Line_x000D_
56.
Câu 56: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 512MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 16byte, độ dài ngăn nhớ 4byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết toàn phần dạng địa chỉ Tag + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 22+6
b)
B. 24+4
c)
C. 22+4
d)
D. 24+2_x000D_
57.
Câu 57: Đối với bộ nhớ chính máy tính, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Chứa các chương trình và dữ liệu dưới dạng thư viện_x000D_
b)
B. Việc quản lý logic bộ nhớ chính tùy thuộc vào từng hệ điều hành_x000D_
c)
C. Về nguyên tắc, người lập trình có thể can thiệp vào toàn bộ bộ nhớ chính_x000D_
d)
D. Được đánh địa chỉ trực tiếp bởi bộ xử lý_x000D_
58.
Câu 58: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 128MB, dung lượng bộ nhớ Cache 64KB, Kích thước một Line 8byte, độ dài ngăn nhớ 1byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp dạng địa chỉ Tag + Line + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 10+14+3
b)
B. 11+13+3
c)
C. 11+14+2
d)
D. 11+12+4_x000D_
59.
Câu 59: Đặc điểm của bộ nhớ SRAM_x000D_
a)
A. Không phải làm tươi theo chu kỳ_x000D_
b)
B. Thời gian truy nhập lớn hơn so với DRAM_x000D_
c)
C. Phải được làm tươi theo chu kỳ_x000D_
d)
D. Chi phí trên một bit nhớ thấp hơn so với DRAM_x000D_
60.
Câu 60: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 64K x 8bit, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Dung lượng của chip nhớ là 64KB
b)
B. Có 8 đường dữ liệu_x000D_
c)
C. Có 14 đường địa chỉ
d)
D. Có 24 đường địa chỉ và 8 đường dữ liệu_x000D_
61.
Câu 61: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 64K x 8bit, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Các đường dữ liệu từ D0 -> D7
b)
B. Các đường địa chỉ từ A0 -> A15_x000D_
c)
C. Có 16 đường địa chỉ và 8 đường dữ liệu
d)
D. Có 8 đường địa chỉ và 16 đường dữ liệu_x000D_
62.
Câu 62: Bộ nhớ Flash Disk là bộ nhớ dạng:_x000D_
a)
A. Bộ nhớ bán dẫn cực nhanh
b)
B. Đĩa từ_x000D_
c)
C. Đĩa quang
d)
D. Đãi mềm_x000D_
63.
Câu 63: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu A0 -> A13, D0 -> D15, RD, WR, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Dung lượng của chip là 32KB
b)
B. Dung lượng của chip là 16KB_x000D_
c)
C. RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu
d)
D. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu_x000D_
64.
Câu 64: Chức năng của bộ nhớ Cache trong máy tính là gì?_x000D_
a)
A. Giúp mở rộng dung lượng bộ nhớ_x000D_
b)
B. Chứa các toán hạng là hằng số_x000D_
c)
C. Lưu giữ dữ liệu mà bộ vi xử lý thường xuyên sử dụng_x000D_
d)
D. Lưu giữ các tham số hệ thống_x000D_
65.
Câu 65: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 20 đường và bus dữ liệu là 8 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 4 MegaByte
b)
B. 16 MegaByte
c)
C. 8 MegaByte
d)
D. 1 MegaByte_x000D_
66.
Câu 66: Trong các bộ nhớ SRAM và DRAM, loại nào tiêu thụ nguồn nuôi lớn hơn?_x000D_
a)
A. DRAM
b)
B. SRAM
c)
C. Bằng nhau
d)
D. Không so sánh được_x000D_
67.
Câu 67: Phát biểu nào sau đây đúng?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ SRAM rẻ hơn bộ nhớ DRAM_x000D_
b)
B. Bộ nhớ SRAM được sử dụng chỉ tại thời điểm khởi động máy tính_x000D_
c)
C. Bộ nhớ SRAM được sử dụng cho bộ nhớ Cache_x000D_
d)
D. Bộ nhớ SRAM có thời gian truy nhập lớn hơn DRAM_x000D_
68.
Câu 68: Tốc độ truy nhập của bộ nhớ SRAM so với bộ nhớ DRAM như thế nào?_x000D_
a)
A. Không xác định được
b)
B. Chậm hơn_x000D_
c)
C. Bằng nhau
d)
D. Nhanh hơn_x000D_
69.
Câu 69: Trong các máy tính hiện đại, thiết bị nhớ nào trong số các loại bộ nhớ sau có tốc độ truy nhập thấp nhất?_x000D_
a)
A. Ổ đĩa cứng
b)
B. ROM
c)
C. RAM
d)
D. Cache_x000D_
70.
Câu 70: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 256MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 32byte, độ dài ngăn nhớ 4byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết toàn phần dạng địa chỉ Tag + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 25+3
b)
B. 23+5
c)
C. 23+3
d)
D. 25+5_x000D_
71.
Câu 71: Đối với bộ nhớ ROM, điều nào sau đây đúng?_x000D_
a)
A. Là bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên
b)
B. Luôn có dung lượng lớn hơn bộ nhớ RAM_x000D_
c)
C. Cho phép ghi dữ liệu
d)
D. Có thể được sử dụng làm bộ nhớ Cache_x000D_
72.
Câu 72: Với chip nhớ DRAM có bus địa chỉ 15 đường và bus dữ liệu là 16 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 64 MegaByte
b)
B. 64 KiloByte
c)
C. 32 KiloByte
d)
D. 32 MegaByte_x000D_
73.
Câu 73: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu A0 -> A13, D0 -> D15, RD, WR, phát biểu nào sau đây là sai?_x000D_
a)
A. Dung lượng của chip là 32KB
b)
B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu_x000D_
c)
C. RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu
d)
D. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu_x000D_
74.
Câu 74: Xét bộ nhớ Cache, mỗi Line được gắn thêm Tag là để:_x000D_
a)
A. Xác định Block nào của bộ nhớ chính đang ở trong Line_x000D_
b)
B. Xác định Cache có dung lượng bao nhiêu_x000D_
c)
C. Xác định Line có dung lượng bao nhiêu_x000D_
d)
D. Xác định Cache có bao nhiêu Line_x000D_
75.
Câu 75: Đối với bộ nhớ chính máy tính, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Có những loại máy tính không có bộ nhớ chính_x000D_
b)
B. Bộ nhớ máy tính do bộ xử lý đánh địa chỉ trực tiếp_x000D_
c)
C. Các ngăn nhớ của bộ nhớ chính không tổ chức theo byte_x000D_
d)
D. Việc đánh địa chỉ cho bộ nhớ chính tùy thuộc vào từng hệ điều hành_x000D_
76.
Câu 76: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 32 đường và bus dữ liệu là 8 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 4 GigaByte
b)
B. 16 MegaByte
c)
C. 1 GigaByte
d)
D. 64 MegaByte_x000D_
77.
Câu 77: So với bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài của máy tính có ưu điểm là:_x000D_
a)
A. Tốc độ truy cập nhanh
b)
B. Kích thước nhỏ gọn_x000D_
c)
C. Không mất dữ liệu khi mất nguồn
d)
D. Cấu tạo đơn giản_x000D_
78.
Câu 78: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là sai:_x000D_
a)
A. Là nơi chứa các vi chương trình_x000D_
b)
B. Là loại bộ nhớ khả biến_x000D_
c)
C. Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)_x000D_
d)
D. Có tất cả 5 loại ROM_x000D_
79.
Câu 79: Đối với hệ thống nhớ máy tính, phát biểu nào sau đây không phải là đặc tính vật lý?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ chỉ đọc
b)
B. Bộ nhớ khả biến_x000D_
c)
C. Bộ nhớ xóa được
d)
D. Bộ nhớ không khả biến_x000D_
80.
Câu 80: Trong các máy tính hiện đại, thiết bị nhớ nào trong số các loại bộ nhớ sau thường có dung lượng nhỏ nhất?_x000D_
a)
A. RAM
b)
B. Ổ đĩa cứng
c)
C. Cache
d)
D. ROM_x000D_
81.
Câu 81: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:_x000D_
a)
A. Tag + Word + Line
b)
B. Tag + Line + Word
c)
C. Tag + Line
d)
D. Tag + Word_x000D_
82.
Câu 82: Phát biểu nào sau đây về ROM mặt nạ (Maskable ROM) là đúng?_x000D_
a)
A. Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
b)
B. Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím_x000D_
c)
C. Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện_x000D_
d)
D. Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
83.
Câu 83: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 4GB, dung lượng bộ nhớ Cache 512KB, Kích thước một Line 32byte, độ dài ngăn nhớ 1byte, kích thước Set 4Line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp dạng địa chỉ Tag + Set + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 13+14+5
b)
B. 15+12+5
c)
C. 14+13+5
d)
D. 12+15+5_x000D_
84.
Câu 84: Khi CPU truy nhập bộ nhớ Cache, có hai khả năng sau xảy ra:_x000D_
a)
A. Sai Cache, hoặc đúng Cache_x000D_
b)
B. Trên Cache, hoặc dưới Cache_x000D_
c)
C. Có dữ liệu trong Cache, hoặc không có dữ liệu trong Cache_x000D_
d)
D. Trong Cache, hoặc ngoài Cache_x000D_
85.
Câu 85: Đặc điểm của bộ nhớ Cache là:_x000D_
a)
A. Dung lượng lớn
b)
B. Chi phí thấp_x000D_
c)
C. Thời gian truy nhập lớn
d)
D. Thời gian truy nhập nhỏ_x000D_
86.
Câu 86: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:_x000D_
a)
A. SRAM không cần phải làm tươi
b)
B. SRAM được chế tạo từ mạch lật_x000D_
c)
C. DRAM được chế tạo từ mạch lật
d)
D. DRAM được chế tạo từ tụ điện_x000D_
87.
Câu 87: Đặc điểm của bộ nhớ DRAM_x000D_
a)
A. Chi phí trên một bit nhớ cao hơn so với SRAM_x000D_
b)
B. Thời gian truy nhập nhỏ hơn so với SRAM_x000D_
c)
C. Không phải làm tươi theo chu kỳ_x000D_
d)
D. Phải được làm tươi theo chu kỳ_x000D_
88.
Câu 88: Đối với bộ nhớ Cache, xét kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, thứ tự tìm Block trong cache được thực hiện dựa theo các trường trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:_x000D_
a)
A. Set -> Word -> Tag
b)
B. Word -> Tag -> Set
c)
C. Set -> Tag -> Word
d)
D. Word -> Set -> Tag_x000D_
89.
Câu 89: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 265MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 16byte, độ dài ngăn nhớ 2byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp dạng địa chỉ Tag + Line + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 11+14+2
b)
B. 11+13+3
c)
C. 10+14+3
d)
D. 11+12+4_x000D_
90.
Câu 90: Phát biểu nào sau đây về EEPROM là đúng_x000D_
a)
A. Người dùng có thể nạp hoặc xóa dữ liệu bằng điện_x000D_
b)
B. Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
c)
C. Được nhà sản xuất nạp sẵn dữ liệu, người dùng không thể xóa được dữ liệu_x000D_
d)
D. Người dùng có thể xóa dữ liệu bằng thiết bị sử dụng tia cực tím và nạp dữ liệu bằng điện_x000D_
91.
Câu 91: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 16K x 8bit, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Các đường địa chỉ từ A0 -> A12
b)
B. Có 7 đường dữ liệu_x000D_
c)
C. Có 13 đường địa chỉ
d)
D. Các đường dữ liệu từ D0 -> D7_x000D_
92.
Câu 92: Cho một máy tính có dung lượng bộ nhớ chính 256MB, dung lượng bộ nhớ Cache 128KB, Kích thước một Line 128byte, độ dài ngăn nhớ 4byte, kích thước Set 8Line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp dạng địa chỉ Tag + Set + Word do bộ xử lý phát ra để truy nhập Cache là:_x000D_
a)
A. 13+7+6
b)
B. 13+8+5
c)
C. 14+8+6
d)
D. 14+7+5_x000D_
93.
Câu 93: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng bộ nhớ 64K x 8bit, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Các đường dữ liệu từ D0 -> D15
b)
B. Các đường dữ liệu từ D0 -> D7_x000D_
c)
C. Các đường địa chỉ từ A0 -> A7
d)
D. Các đường địa chỉ từ A0 -> A16_x000D_
94.
Câu 94: Với chip nhớ SRAM có bus địa chỉ 20 đường và bus dữ liệu là 16 đường cho phép quản lý bộ nhớ với dung lượng tối đa bằng bao nhiêu?_x000D_
a)
A. 4 MegaByte
b)
B. 1 MegaByte
c)
C. 2 MegaByte
d)
D. 8 MegaByte_x000D_
95.
Câu 95: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu A0 -> A7, D0 -> D7, RD, WR, phát biểu nào sau đây là đúng?_x000D_
a)
A. Dung lượng của chip là 32KB
b)
B. Dung lượng của chip là 128B_x000D_
c)
C. Dung lượng của chip là 16KB
d)
D. Dung lượng của chip là 256B_x000D_
96.
Câu 96: Xét dưới góc độ kiểu vật lý có những loại bộ nhớ nào?_x000D_
a)
A. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang, bộ nhớ vi mạch_x000D_
b)
B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang_x000D_
c)
C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ trong, bộ nhớ ngoài_x000D_
d)
D. Bộ nhớ vi mạch, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang_x000D_
97.
Câu 97: Đối với bộ nhớ truy nhập ngẫu nhiên, điều nào sau đây không đúng?
a)
A. Thời gian truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ đều bằng nhau
b)
B. Địa chỉ các ngăn nhớ bao gồm địa chỉ hàng và địa chỉ cột
c)
C. Để truy nhập vào bất kỳ ngăn nhớ nào trong bộ nhớ, ta chỉ cần xác định địa chỉ của nó
d)
D. Dữ liệu trong bộ nhớ không được đọc hay ghi một cách tuần tự theo địa chỉ của bộ nhớ
98.
Câu 98: ROM BIOS không chứa các chương trình nào sau đây?
a)
A. Chương trình CMOS Setup
b)
B. Thông tin cấu hình hệ thống
c)
C. Các trình điều khiển vào-ra cơ bản
d)
D. Chương trình Bootstrap loader
99.
Câu 99: Các bộ nhớ nào sau đây cho phép truy nhập ngẫu nhiên?
a)
A. Bộ nhớ bán dẫn (RAM, ROM, …)
b)
B. Cache
c)
C. DRAM
d)
D. ROM
100 %