WorksheetsSEM 2 MODULLE 5
Total questions: 30
Worksheet time: 15mins
What is the full form of the abbreviation MOSFET?
A Minimum output signal FET
B Medium oscillator signal FET
C Metal oxide semiconductor FET
D Metal orgamic serial FET
Which type of MOSFET construction is indicated?
A IGBT | आईिीबीटी
B Dual-gate MOSFET | ड्यलू गेट MOSFET
C Deplation type MOSFET | ड ्लीशन टरइप MOSFET
D Enhancement type MOSFET | एफहरफच्समेंट टरइप MOSFET
What is the name of the electronic component symbol?
A N- channel depletion type MOSFET | N- िैनल ड ्लीशन टरइप MOSFET
B P- channel depletion type MOSFET | P- िैनल ड ्लीशन टरइप MOSFET
C N- channel enhancement type MOSFET | N- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
D P- channel enhancement type MOSFET | Pchannel एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
What is the name of the electronic component symbol?
A JFET | िेएफईटी
B IGBT | आईिीबीटी
C P channel MOSFET depletion type | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
D N channel MOSFET depletion type | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
What is the name of electronic component symbol? VJFET
A JFET | िेएफईटी
B IGBT | आईिीबीटी
C P channel MOSFET depletion type | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
D N channel MOSFET depletion type | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
What is the type of MOSFET?
A Depletion type MOSFET | ड ्लीशन टरइप MOSFET
B Insulated gate FET | इांसलु ेटे गेट FET
C Enhancement type N-channel MOSFET | एफहरांसमेंट प्रकरर एन-िैनल MOSFET
D Enhancement type P-channel MOSFET | Pchannel एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
What is the type of opto coupler?
A Photo - SCR | फोटो - एससीआorर
B Photo - TRIAC | फोटो - TRIAC
C Photo - Transist | फोटो - ट्रांजिस्टर
D Photo – Darlingtion | फोटो रललिंगटन
What is the name of the electronic component symbol?
A P-channel depletion type MOSFET | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
B N-channel depletion type MOSFET | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
C P-channel Enhancement type MOSFET | पी- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
D N-channel Enhancement type MOSFET | N- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
What is the type of MOSFET symbol?
A N-channel enhancement type MOSFET | एन- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
B P-channel enhancement type MOSFET | पी- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
C N-channel depletion type MOSFET | एन-िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET
D P-channel depletion type MOSFET | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप
What is the name of this special type electronic device with four connections?
A High frequency bipolar transistor | हरई फ्रीक्ट्वेंसी बरइपोलर ट्रांलसस्टर
B Junction field effect transistor | िांक्ट्शन फील् इफ़े क्ट्ट ट्रांजिस्टर
C Silicon bilateral switch | लसललकॉन बरईलेटरल जस्वि
D MOSFET TETRODE | मोसफे ट टेटरॉ
What is the maximum blocking voltage of very high current handling IGBT modules?
A 440 V
B 1000 V
C 5000 V
D 6000 V
What is the input impedance of IGBT?
A Low input impedance | कम इनपटु इजम्पिेंस
B High input impedance | उच्ि इनपटु इजम्पिेंस
C Medium input impedance | मध्यम इनपटु इजम्पिेंस
D Infinity input impedence | इनकफतनटी इनपटु इजम्पिेंस
What is the use of the test circuit?
A To test the working condition of FET | एफईटी की करमकरिी जस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए
B To test the working condition of UJT | UJT की करमकरिी जस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए
C To test the working condition of IGBT | आईिीबीटी की करयडजस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए
D To test the working condition of LDR | एल ी आर करयडजस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए
What is the advantage of MOSFET?
A Fast switching speed | तेि गतत सेजस्वचि ांग
B Slow switching speed | िीमी गतत सेजस्वचि ांग
C Higher power gate signal | उच्ि शजक्ट्त गेट सांके त
D Low thermal ionisation of electron-holes | इलेक्ट्ट्ॉन-तछद्रों कर तनम्न तरपीय आयनीकरण
What is the advantage of MOSFET?
A Superior current conduction capability | बेहतर वतडमरन िरलन क्षमतर
B Low gate signal power requirements | लो गेट लसग्नल पॉवर आवश्यकतर
C Very low on-state voltage | बहुत कम ऑन-स्टेट वोल्टेि
D Low driving power | लो ड्ररइवव ांग पॉवर
What is the advantage of IGBT?
A It has low input impedance | इसमेंकम इनपटु प्रततबरिर है
B Low efficiency and slow switching | कम िक्षतर और िीमी गतत सेजस्वचि ांग
C High efficiency and fast switching | उच्ि िक्षतर और तेिी सेजस्वचि ांग
D IGBT is a gate current driven device | IGBT एक गेट करांट सांिरललत ड वरइस हैD IGBT is a gate current driven device | IGBT एक गेट करांट सांिरललत ड वरइस है
What is the advantage of IGBT?
A Low driving power | लो ड्ररइवव ांग पॉवर
B Low gate signal power | कम गेट लसग्नल परवर
C Fast switching speed | तेिी सेजस्वचि ांग की गतत
D Used to isolate logic circuits | लॉजिक सककड ट को अलग करनेकेललए उपयोग ककयर िरतर है
6 What is the input impedance of IGBT?
A Low | कम
B High | उच्ि
C Unity | एकतर
D Infinity | इनकफतनटी
Which is the property of IGBT?
A Low input impedance | कम इनपटु प्रततबरिर
B High efficiency and fast switching | उच्ि िक्षतर और तेिी सेजस्वचि ांग
C Low gate signal | कम गेट सांके त
D Significant power consumption | बबिली की महत्वपणू डखपत
What is the main advantages of IGBT over BJT?
A Fast switching speed | तेिी सेजस्वचि ांग की गतत
B Superior current conduction capability | बेहतर वतडमरन िरलन क्षमतर
C Reverse bias secondary break downs | ररवसड बरयस सेकें री ब्रेक रउन
D Thermal limits are pushed to the edge | र्मडल सीमरएांककनररेपर पशु कर िी िरती हैं
How many alternating layers are there in IGBT?
A 2 layers | 2 परतें
B 3 layers | 3 परतें
C 4 layers | 4 परतें
D Single layer | एकल परत
Which insulation layer is used in MOSFET?
A Silicon-di-oxide | लसललकॉन रइऑक्ट्सरइ
B Arsenic material | आसेतनक सरमग्री
C Antimony material | एांटीमनी मटेररयल
D Germanium material | िमेतनयम सरमग्री
Which electrical quantity controls the operation of the bipolar transistor device?
A Energy | ऊिरड
B Current | करांट
C Voltage | वोल्टेि
D Frequency | आववृि
How the two series connected channel regions of the depletion type dual gate MOSFET is controlled?
A Independently controlled | स्वतांत्र रूप से तनयांबत्रत
B Alternately controlled | वैकजल्पक रूप से तनयांबत्रत ककयर िरतर है
C One at a time is controlled | एक बरर मेंएक को तनयांबत्रत ककयर िरतर है
D Both are simultaneously controlled | िोनों एक सरर् तनयांबत्रत होतेहैcc
What is the name of the layer marked X in the MOSFET construction?
A Depletion layer | ररजक्ट्तकरण परत
B Inversion layer | उलटर परत
C Insulation layer | इफसलु ेशन परत
D Recombination layer | पनु रुजक्ट्त परत
What is the drawback of IGBT compared to the power MOSFET?
A Poor switching speed | पअु र जस्वचि ांग गतत
B Poor current conduction capability | पअु र वतडमरन िरलन क्षमतर
C Higher driving power requirement | उच्ि ड्ररइवव ांग शजक्ट्त की आवश्यकतर
D Not suitable for power applications | बबिली अनप्रुयोगों केललए उपयक्ट्ुत नहीांहै
How the drive circuits for the power MOSFETs are coupled?
A Direct coupling method | प्रत्यक्ष यग्ुमन ववचि
B Using logic circuitry | तकड सककड टरी कर उपयोग करनर
C Using pulse transformer | पल्स ट्रांसफरमडर कर उपयोग करनर
D Using transistors | ट्रांजिस्टर कर उपयोग करनर
Which circuit uses the enhancement type MOSFET?
A High frequency switching circuits | उच्ि आववृि जस्वचि ांग सककड ट
B High power amplifier circuits | उच्ि शजक्ट्त एम्पलीफरयर सककड ट
C Low power oscillator circuits | कम शजक्ट्त आसलेटर सककड ट
D Integrated MOS switching circuits | एकीकृत एमओएस जस्वचि ांग सककड ट
When does the complementary metal oxide type MOSFET configuration consumes power?
A While it holds its state | िबकक यह अपनर स्टेट रखती है
B Always consumes power | हमेशर बबिली की खपत होती है
C Never consumes power | कभी भी बबिली की खपत नहीांहोती है
D During switching | जस्वचि ांग केिौररन
Why the electronic device IGBT is preferred over the power MOSFET?
A Low switching speed | कम जस्वचि ांग गतत
B Higher driving power requirement | उच्ि ड्ररइवव ांग शजक्ट्त की आवश्यकतर
C Higher switching repetition rates | उच्ितर जस्वचि ांग पनु ररववृि िर
D Suitability for medium power applications | मध्यम शजक्ट्त अनप्रुयोगों केललए उपयक्ट्ुततर
