NEW
Font size
Worksheetsdaddy
Total questions: 25
Worksheet time: 12mins
На каком явлении основана работа всех полупроводниковых приборов
односторонней проводимости
двусторонней проводимости
четырехсторонней проводимости
пятисторонней проводимости
У какого полупроводникового диода имеется область отрицательного дифференциального сопротивления?
светодиод
СВЧ
туннельный
фотодиод
Для чего предназначен транзистор?
преобразования
усиление и генерирование электрических сигналов
накопления зарядов
передачи электрическогозаряда
Чем меньше ток в управляющей цепи транзистора, тем больше…:
входное сопротивление
выходной ток
выходное сопротивление
входное сопротивление и выходной ток
Оптоэлектронный прибор, работающий на принципе изменения сопротивления под действием облучения это:
оптрон
фотодиод
варистор
фоторезистор
Как называются основные характеристики фоторезисторов?
световая и вольтамперная
частотная и переходная
вольтамперная и частотная
темновая и световая
Принцип действия полевого транзистора основан на изменении ширины обедненного слоя при изменении…
обратного тока
прямого тока
обратного напряжения
напряжения отсечки
Эти диоды предназначены для выпрямления токов в широком диапазоне частот, для модуляций, детектирования
Туннельные
Стабилитроны
Высокочастотные
Выпрямительные
Где используется эффект воздействия поперечного эл. поля на проводимость канала?
в варисторах
в полевых транзисторах
в тиристорах
в биполярных транзисторах
Как называется режим работы транзистора, когда на эмиттерные и коллекторные переходы, подается Uобр?
инверсный
отсечки
режим ключа
инверсный
Когда возникает ударная ионизация атома?
под действием переменного тока
под действием прямого тока
под действием прямого напряжения
под действием обратного напряжение
Основной недостаток схемы включения транзистора с ОБ?
низкое входное сопротивление
высокий коэффициент усиления
высокое выходное сопротивление
низкий коэффициент усиления
Коэффициент передачи тока для схемы с ОЭ - это…
зависимость Iк от Iб при Uк=const
зависимость Iк от Uкб при Iэ= const
зависимость Iб от Uбэ при Uкэ= const
зависимость Iк от Uбэ при Uкэ= const
Сопротивление при температуре 20º после снятия освещенности в 200 лк ?
входное сопротивление
световое сопротивление
темновое сопротивление
статическое сопротивление
Обратный ток обусловлен движением..
электронов
основных носителей зарядов
обоих видов носителей зарядов
неосновных носителей зарядов
Отчего зависит контактная разность потенциалов в р-n переходе?
от частотных свойств
от материала полупроводника и примеси
от сопротивления
от напряженности поля перехода
Зависимость тока коллектора от тока эмиттера при постоянном напряжении между К и Б
выходная характеристика
переходная характеристика
входная характеристика
вольтамперная
Какой прибор называется оптроном?
прибор, фотоприемник, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости преобразующий энергию оптического излучения в электрические сигналы
оптоэлектронный прибор, работающий на принципе изменения сопротивления под действием облучения
оптоэлектронный прибор, содержащий источник и приемник светового излучения
Полупроводниковый прибор, который имеет 3 вывода, 2 p-n перехода
Что является элементами оптрона?
источник света и фотоприемник
оптическая среда и источник света
фотоприемник и светодиод
источник света и полупроводник
Какой пробой приводит к разрушению кристаллической решетки и является аварийным режимом?
электрический
кристаллический
пробивной
тепловой
Для схемы с общим эмиттером выходным током является:
ток эмиттера
ток базы
ток коллектора
ток истока
Какая характеристика показывает зависимость Iс от Uси при Uзи=0?
переходная
стоковая
затворная
стоко-затворная
Как называется полупроводниковый прибор, который имеет 2 р-n перехода и 3 вывода?
диод
тиристор
транзистор
симмистор
Прохождением, каких носителей зарядов, обусловлен Iэ, при работе транзистора p-n-p типа?
атомов
дырок
электронов
протонов
Чем отличается динамический режим работы транзистора от статического режима?
определяются типом источника
характеристики определяются только свойствами транзистора
характеристики определяются не только свойствами транзистора, но и свойствами элементов схемы
только свойствами элементов схемы
