A IGBT | आईिीबीटी

B Dual-gate MOSFET | ड्यलू गेट MOSFET

C Deplation type MOSFET | ड ्लीशन टरइप MOSFET

D Enhancement type MOSFET | एफहरफच्समेंट टरइप MOSFET

A N- channel depletion type MOSFET | N- िैनल ड ्लीशन टरइप MOSFET

B P- channel depletion type MOSFET | P- िैनल ड ्लीशन टरइप MOSFET

C N- channel enhancement type MOSFET | N- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

D P- channel enhancement type MOSFET | Pchannel एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

A JFET | िेएफईटी

B IGBT | आईिीबीटी

C P channel MOSFET depletion type | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

D N channel MOSFET depletion type | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

A JFET | िेएफईटी

B IGBT | आईिीबीटी

C P channel MOSFET depletion type | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

D N channel MOSFET depletion type | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

A Depletion type MOSFET | ड ्लीशन टरइप MOSFET

B Insulated gate FET | इांसलु ेटे गेट FET

C Enhancement type N-channel MOSFET | एफहरांसमेंट प्रकरर एन-िैनल MOSFET

D Enhancement type P-channel MOSFET | Pchannel एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

A Photo - SCR | फोटो - एससीआorर

B Photo - TRIAC | फोटो - TRIAC

C Photo - Transist | फोटो - ट्रांजिस्टर

D Photo – Darlingtion | फोटो रललिंगटन

A P-channel depletion type MOSFET | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

B N-channel depletion type MOSFET | N- िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

C P-channel Enhancement type MOSFET | पी- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

D N-channel Enhancement type MOSFET | N- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

A N-channel enhancement type MOSFET | एन- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

B P-channel enhancement type MOSFET | पी- िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

C N-channel depletion type MOSFET | एन-िैनल एफहरांसमेंट प्रकरर MOSFET

D P-channel depletion type MOSFET | पी िैनल MOSFET ड ्लीशन टरइप

A High frequency bipolar transistor | हरई फ्रीक्ट्वेंसी बरइपोलर ट्रांलसस्टर

B Junction field effect transistor | िांक्ट्शन फील् इफ़े क्ट्ट ट्रांजिस्टर

C Silicon bilateral switch | लसललकॉन बरईलेटरल जस्वि

D MOSFET TETRODE | मोसफे ट टेटरॉ

A 440 V

B 1000 V

C 5000 V

D 6000 V

A Low input impedance | कम इनपटु इजम्पिेंस

B High input impedance | उच्ि इनपटु इजम्पिेंस

C Medium input impedance | मध्यम इनपटु इजम्पिेंस

D Infinity input impedence | इनकफतनटी इनपटु इजम्पिेंस

A To test the working condition of FET | एफईटी की करमकरिी जस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए

B To test the working condition of UJT | UJT की करमकरिी जस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए

C To test the working condition of IGBT | आईिीबीटी की करयडजस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए

D To test the working condition of LDR | एल ी आर करयडजस्र्तत कर परीक्षण करनेकेललए

A Fast switching speed | तेि गतत सेजस्वचि ांग

B Slow switching speed | िीमी गतत सेजस्वचि ांग

C Higher power gate signal | उच्ि शजक्ट्त गेट सांके त

D Low thermal ionisation of electron-holes | इलेक्ट्ट्ॉन-तछद्रों कर तनम्न तरपीय आयनीकरण

A Superior current conduction capability | बेहतर वतडमरन िरलन क्षमतर

B Low gate signal power requirements | लो गेट लसग्नल पॉवर आवश्यकतर

C Very low on-state voltage | बहुत कम ऑन-स्टेट वोल्टेि

D Low driving power | लो ड्ररइवव ांग पॉवर

A It has low input impedance | इसमेंकम इनपटु प्रततबरिर है

B Low efficiency and slow switching | कम िक्षतर और िीमी गतत सेजस्वचि ांग

C High efficiency and fast switching | उच्ि िक्षतर और तेिी सेजस्वचि ांग

D IGBT is a gate current driven device | IGBT एक गेट करांट सांिरललत ड वरइस हैD IGBT is a gate current driven device | IGBT एक गेट करांट सांिरललत ड वरइस है

A Low driving power | लो ड्ररइवव ांग पॉवर

B Low gate signal power | कम गेट लसग्नल परवर

C Fast switching speed | तेिी सेजस्वचि ांग की गतत

D Used to isolate logic circuits | लॉजिक सककड ट को अलग करनेकेललए उपयोग ककयर िरतर है

A Low | कम

B High | उच्ि

C Unity | एकतर

D Infinity | इनकफतनटी

A Low input impedance | कम इनपटु प्रततबरिर

B High efficiency and fast switching | उच्ि िक्षतर और तेिी सेजस्वचि ांग

C Low gate signal | कम गेट सांके त

D Significant power consumption | बबिली की महत्वपणू डखपत

A Fast switching speed | तेिी सेजस्वचि ांग की गतत

B Superior current conduction capability | बेहतर वतडमरन िरलन क्षमतर

C Reverse bias secondary break downs | ररवसड बरयस सेकें री ब्रेक रउन

D Thermal limits are pushed to the edge | र्मडल सीमरएांककनररेपर पशु कर िी िरती हैं

A 2 layers | 2 परतें

B 3 layers | 3 परतें

C 4 layers | 4 परतें

D Single layer | एकल परत

A Silicon-di-oxide | लसललकॉन रइऑक्ट्सरइ

B Arsenic material | आसेतनक सरमग्री

C Antimony material | एांटीमनी मटेररयल

D Germanium material | िमेतनयम सरमग्री

A Energy | ऊिरड

B Current | करांट

C Voltage | वोल्टेि

D Frequency | आववृि

A Independently controlled | स्वतांत्र रूप से तनयांबत्रत

B Alternately controlled | वैकजल्पक रूप से तनयांबत्रत ककयर िरतर है

C One at a time is controlled | एक बरर मेंएक को तनयांबत्रत ककयर िरतर है

D Both are simultaneously controlled | िोनों एक सरर् तनयांबत्रत होतेहैcc

A Depletion layer | ररजक्ट्तकरण परत

B Inversion layer | उलटर परत

C Insulation layer | इफसलु ेशन परत

D Recombination layer | पनु रुजक्ट्त परत

A Poor switching speed | पअु र जस्वचि ांग गतत

B Poor current conduction capability | पअु र वतडमरन िरलन क्षमतर

C Higher driving power requirement | उच्ि ड्ररइवव ांग शजक्ट्त की आवश्यकतर

D Not suitable for power applications | बबिली अनप्रुयोगों केललए उपयक्ट्ुत नहीांहै

A Direct coupling method | प्रत्यक्ष यग्ुमन ववचि

B Using logic circuitry | तकड सककड टरी कर उपयोग करनर

C Using pulse transformer | पल्स ट्रांसफरमडर कर उपयोग करनर

D Using transistors | ट्रांजिस्टर कर उपयोग करनर

A High frequency switching circuits | उच्ि आववृि जस्वचि ांग सककड ट

B High power amplifier circuits | उच्ि शजक्ट्त एम्पलीफरयर सककड ट

C Low power oscillator circuits | कम शजक्ट्त आसलेटर सककड ट

D Integrated MOS switching circuits | एकीकृत एमओएस जस्वचि ांग सककड ट

A While it holds its state | िबकक यह अपनर स्टेट रखती है

B Always consumes power | हमेशर बबिली की खपत होती है

C Never consumes power | कभी भी बबिली की खपत नहीांहोती है

D During switching | जस्वचि ांग केिौररन

A Low switching speed | कम जस्वचि ांग गतत

B Higher driving power requirement | उच्ि ड्ररइवव ांग शजक्ट्त की आवश्यकतर

C Higher switching repetition rates | उच्ितर जस्वचि ांग पनु ररववृि िर

D Suitability for medium power applications | मध्यम शजक्ट्त अनप्रुयोगों केललए उपयक्ट्ुततर

A 5 MA

B 10 MA

C 20 MA

D 30 MA

A 1.8 V

B 2 V

C 2.1 V

D 2.2 V

A 1.8 V

B 2 V

C 2.1 V

D 2.2 V

A 8 V

B 12 V

C 15 V

D 32 V

A 2.2 V

B 2.1 V

C 2 V

D 1.8 V

A Cadmium sulfide | कै लमयम सल्फरइ

B Lead selenide | ली सेलेनरइ

C Zinc sulfide | जिांक सल्फरइ

D Copper sulfide | कॉपर सल्फरइ

A 0.1MA to 1.2MA | 0.1MA से1.2MA

B 0.2MA to 1.6MA | 0.2MA से1.6MA

C 0.3MA to 2.7MA | 0.3MA से2.7MA

D 0.4MA to 3.8MA | 0.4MA से3.8MA

A Uni - Junction transistor

B NPN - Photo transistor

C PNP - Photo transistor

D Audio frequency transistor

A Amplifier the signal | एम्पलीफरयर लसग्नल

B Converts voltage into current | वोल्टेि को करांट मेंपररवततडत करतर है

C Produces electrical noise signal | ववद्यतु शोर सांके त पैिर करतर है

D Defects the operation of switching signal | जस्वचि ांग लसग्नल केसांिरलन को िोष िेतर है

A 0.5 V

B 0.8 V

C 2 V

D 2.5 V

A Aluminium sulfide | एल्यमू ीतनयम सल्फरइ

B Cadmium sulfide | कै लमयम सल्फरइ

C Zinc sulfide | जिांक सल्फरइ

D Copper sulfide | कॉपर सल्फरइ

A DC circuits | ीसी सककड ट

B AC powered circuits | एसी सांिरललत सककड ट

C Amplifier circuits | एम्पलीफरयर सककड ट

D Counter circuits | करउां टर सककड ट

A DC circuits | ीसी सककड ट

B Counter circuits | करउां टर सककड ट

C Amplifier circuits | एम्पलीफरयर सककड ट

D AC powered circuits | एसी सांिरललत सककड ट

A Low sensitivity in the infrared range | इफफ्रररे रेंि मेंकम सांवेिनशीलतर

B High sensitivity in the infrared range | इफफ्रररे रेंि मेंउच्ि सांवेिनशीलतर

C Medium sensitivity in the infrared range | इफफ्रररे रेंि मेंमध्यम सांवेिनशीलतर

D Low sensitivity in the Ultraviolet range | अल्ट्रवरयलेट रेंि मेंकम सांवेिनशीलत

A BT136

B B3202

C 2N2648

D MOC3020

A LASER diode and pin diode | लेिर रयो और वपन रयो

B Photo transistor and DIAC | फोटो ट्रांजिस्टर और DIAC

C Photo diode and transistor | फोटो रयो और ट्रांजिस्टर

D Photo resistor and TRIAC | फोटो अवरोिक और TRIAC

A Considerably lower sensitivity | करफी कम सांवेिनशीलतर

B Limit voltage handling capacity | वोल्टेि से तनपटनेकी क्षमतर को सीलमत करें

C Considerable greater sensitivity | बहुत अचिक सांवेिनशीलतर

D Vulnerable to electrical sources | ववद्यतु स्रोतों केललए कमिोर

A Used in comparator circuit | करम्पेरेटर सककड ट मेंइस्तेमरल ककयर

B Used as light controlled switch | प्रकरश तनयांबत्रत जस्वि केरूप मेंउपयोग ककयर िरतर है

C Used as oscillator | आसलेटर केरूप मेंइस्तेमरल ककयर

D Used as demodulator | ड मो ुलेटर केरूप में उपयोग ककयर िरतर ह

A More sensitive | अचिक सांवेिनशील

B Available different sizes and specifications | उपलब्ि ववलभफन आकररों और ववलशष्टतरओां

C Cannot be used to determine precise light levels | सटीक प्रकरश स्तर तनिरडररत करनेकेललए उपयोग नहीांककयर िर सकतर ह

D Made of low resistance material with few holes | कुछ छेिों केसरर् कम प्रततरोि सरमग्री सेबनर

A Silicon | लसललकॉन

B Germanium | िमेतनयम

C Aluminium | अल्यमु ीतनयम

D Cadmium sulfide | कै लमयम सल्फरइ

A Voltage rectification | वोल्टेि सिु रर

B Demodulation purpose | ड मॉड्यलू ेशन कर उद्िेश्य

C Controls of street lighting systems | स्ट्ीट लरइदटांग लसस्टम कर तनयांत्रण

D To generate oscillations | िोलन उत्पफन करनर

A Primary cells | प्ररर्लमक कोलशकरएां

B Rechargeable cells | ररिरिेबल कोलशकरएां

C Light dependent resistor | प्रकरश पर तनभडर प्रततरोिक

D Voltage dependent resistor | वोल्टेि पर तनभडर अवरोिक

A By the bias voltage to the photo transistor | फोटो ट्रांजिस्टर केललए पवू रडग्रह वोल्टेि द्वररर

B By the external signal to the transistor | ट्रांजिस्टर केललए बरहरी सांके त द्वररर

C By IR light produced inside the package | पैके ि केअांिर उत्परदित आईआर लरइट द्वररर

D By the light sensitive receiver inside | अांिर प्रकरश सांवेिनशील ररसीवर द्वररर

A Oscilloscope | आस्टसीलस्कप

B Voltmeter | वरल्टमीटर

C Ohmmeter | ओनममीटर

D Ammeter | एजम्मटर

A Photo diodes | फोटो रयो

B Photo resistors | फोटो प्रततरोि

C Photo transistors | फोटो ट्रांजिस्टर

D Photo voltaic cells | फोटोवोजल्टक कोलशकरओ

A Resistance will decrease to 10Ω | प्रततरोि घटकर 10Ω हो िरएगर

B Resistance will decrease to 100Ω | प्रततरोि घटकर 100Ω हो िरएगर

C Resistance will increase to 1KΩ | प्रततरोि 1KΩ तक बढ िरएगर

D Resistance will increase to around 1MΩ | प्रततरोि लगभग 1MΩ तक बढ िरएगर