Free Printable 論文分享 Backend dielectric etch induced wafer arcing mechanism and

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Wafer arcing 通常都發生在下列哪一種tool type?

Dielectric Chamber

(RIE / MERIE)

Conductor Chamber

(TCP/ ICP)

下面哪項不是產生電漿的方式?

電磁耦合電漿

(Magnetic Couple Plasma)

變壓耦合電漿

(Transformer Couple Plasma)

感應耦合電漿

(Inductively Couple Plasma)

電容耦合電漿

(Capacitively Coupled Plasma)

下面哪一種Type 不是Wafer 表面arcing 的特徵?

蛇狀

蟲狀

焦黑痕跡

凹陷

本文的介紹中產生Arcing 的type 有幾個?

下列哪一種type 不是產生arcing defect 的機制?

由wafer 晶邊的敏感結構使金屬層易裸露

局部的瞬態不穩定電漿而引起arcing

局部高溫引發arcing

導致wafer 表面arcing 的關鍵因素有哪些?

Chamber design

Operator parameter

(Recipe setting)

Wafer surface patterning

Film structure

以上皆是

100 %

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