WorksheetsSemiconductor Physics Quiz
Total questions: 20
Worksheet time: 10mins
一個電子的電量為多少庫倫？
+1.6×10^–19
–1.6×10^–19
+1.6×10^–23
–1.6×10^–23
電子分布在以原子核為中心的同心球上，從內向外分別為 n = 1 、 2 、 3 ...等殼層（或稱 K 、 L 、 M ...殼層），M 殼層最多可容納的電子數目為多少？
3
6
9
18
下列有關電洞的敘述何者正確？
帶正電荷之離子所留下的空位
帶負電荷之粒子
正電荷脫離原子軌道所留下之空間
電子脫離原子軌道所留下之空位
下列敘述，何者錯誤？
當溫度昇高時，一般金屬導體電阻增加
半導體在溫度上昇時，其電阻下降
在 P 型半導體裡，導電的載子主要是電洞
在 N 型半導體裡，電洞的濃度將隨溫度的昇高而減少
純矽在絕對零度時，其導電性質如同
導體
絕緣體
半導體
超導體
下列敘述何者不正確？
Si 及 Ge 皆為本質半導體
將磷（P）或砷（As）加入一本質半導體可以將此半導體變為 N 型外質半導體
P 型半導體中之多數載子為電洞
在摻入雜質元素硼（B）的半導體中，因硼提供自由電子，所以稱為施體（donor）
下列有關價電子與自由電子的敘述，何者錯誤？
價電子位於原子核最外層軌道
價電子成為自由電子會釋放熱能
自由電子位於傳導帶
價電子脫離原來的軌道所留下之空缺，稱為電洞
下列有關半導體材料之特性何者錯誤？
本質半導體摻入特定之雜質元素稱為雜質半導體
具有 5 個價電子的雜質稱為受體
N 型半導體材料的少數載子是電洞
P 型半導體材料的多數載子是電洞
對矽、鍺半導體之敘述下列何為誤？
導電性隨溫度上升而變小
摻雜雜質後，其導電性變大
自由電子數 = 電洞數
皆為四價元素
P 型半導體與 N 型半導體結合時，在 PN 接合面上形成空乏區，在空乏區靠 P 型側有
電子
電洞
正離子
負離子
在下列何種情況時，PN 接面出現的空乏區會更顯著？
短路時
斷路時
外加順向偏壓時
外加逆向偏壓時
PN 接面半導體在外加逆向偏壓時會有些許電流產生，乃是因為何者所引起？
正離子
負離子
少數載子
多數載子
當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
空乏區變寬、障壁電位增加
空乏區變窄、障壁電位增加
空乏區變寬、障壁電位減少
空乏區變窄、障壁電位減少
下列敘述何者不正確？
Si 及 Ge 的原子序分別為 14 及 32
Si 二極體的障壁電位約為 0.7V
Ge 鍺二極體的障壁電位約為 0.3V
Si 為 3 價元素， Ge 為 5 價元素
一矽質之 PN 接面二極體，欲使順向偏壓產生大的順向電流，則下列 PN 兩端之偏壓何者正確？
P 端電位 2V， N 端電位 1.5V
P 端電位 3V， N 端電位 5V
P 端電位–2V， N 端電位–1V
P 端電位–1V， N 端電位–2V
某一矽質二極體，其兩端的壓降隨溫度變化的改變量約為
–2.5mV/°C
–25mV/°C
+2.5mV/°C
+25mV/°C
二極體施加逆向偏壓後，仍有微小電流流過接合面，其電流是為
電子流
電洞流
少數載子形成之電流
以上皆非
二極體施加逆向偏壓後，其逆向飽和電流受何者影響：
逆偏電壓大小
溫度
雜質摻雜濃度
以上皆非
有關矽與鍺二極體之比較下列何者錯誤？
矽二極體的崩潰電壓高於鍺二極體
矽二極體的工作溫度範圍高於鍺二極體
矽二極體的切入電壓高於鍺二極體
矽二極體的逆向飽和電流高於鍺二極體
下列對於二極體之敘述，何者錯誤？
當溫度升高時，其障壁電位減少
當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容
當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在過渡電容
當加小於崩潰電壓之逆向偏壓於 PN 接面時，仍有很小電流過接合是因 PN 雙方多數載子流動
