wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Викторина без названия

Total questions: 39

Worksheet time: 20mins

Name
Class
Date
1.

Укажите схему диода

a)

b)

c)

d)

e)

2.

Укажите схему варикапа

a)

b)

c)

d)

3.

Укажите схему туннельного диода

a)

b)

c)

d)

4.

Укажите схему Диода Шоттки

a)

b)

c)

d)

5.

Укажите схему одностороннего стабилитрона

a)

b)

c)

d)

6.

Укажите схему биполярного транзистора с ОБ

a)

b)

c)

7.

Укажите схему биполярного транзистора с ОЭ

a)

b)

c)

8.

Укажите схему биполярного транзистора с ОК

a)

b)

c)

9.

Какой тут электро-дырочный переход

a)

Прямой

b)

Обратный

10.

Какой тут электро-дырочный переход

a)

Прямой

b)

Обратный

11.

Параметры диодов

a)

Крутизна

b)

Статический коэффициент передачи тока

c)

внутреннее сопротивление

d)

Максимально допустимая температура перехода

e)

Допустимая мощность

12.

Укажите схему динистора

a)

b)

c)

d)

e)

13.

Укажите схему тиристора

a)

b)

c)

d)

e)

14.

Состояние потенциального барьера в случае если положительный полюс источника постоянного напряжения подключен к n-области, отрицательный полюс к p-области

a)

не изменяется

b)

разрушается

c)

уплотняется

d)

увеличивается

15.

Формула диффузионного емкости

a)

b)

c)

d)

e)

16.

Электропреобразавательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом имеющий 2 вывода

a)

полупроводниковый диод

b)

тиристор

c)

фототранзистор

d)

биполярный транзистор

17.

Полупроводник проводимость которого обусловлена отрицательными зарядами

a)

полупроводник p-типа

b)

полупроводник n-типа

c)

полупроводник n-p-n типа

d)

полупроводник p-n типа

18.

низкоомная область биполярного транзистора

a)

Эмиттер

b)

Коллектор

c)

База

d)

Сток

19.

Процесс который сводится к бомбардировке в вакууме нагретой полупроводниковой пластины ионами примеси, ускоренными до определенной скорости

a)

травление

b)

вакуумное напыление

c)

электролитическое и химическое осаждение

d)

ионное легирование

20.

Полупроводниковый элемент к основным параметрам которого относятся: начальная емкость, добротность, коэффициент перекрытия по емкости

a)

транзистор

b)

варикап

c)

стабилитрон

d)

диод Шотки

21.

Выражение определяющий коэффициент передачи базового тока

a)

b)

c)

d)

22.

Параметр определяющий долю носителей зарядов инжектированных в базу и достигших в следствие диффузии коллектора

a)

статический коэффициент

b)

коэффициент усиления

c)

коэффициент передачи эмиттерного тока

d)

коэффициент передачи коллекторного тока

23.

Коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером

a)

b)

c)

d)

24.

Формула коэффициент усиления по напряжению полевого транзистора

a)

b)

c)

d)

25.

Формула крутизны полевого транзистора

a)

b)

c)

d)

e)

26.

Выражение дифференциального выходного сопротивления полевого транзистора

a)

b)

c)

d)

e)

27.

Условное обозначение триодного тиристора проводящего в обратном направлении выключаемый

a)

b)

c)

d)

e)

28.

Условное обозначение диодного тиристора проводящего в обратном направлении

a)

b)

c)

d)

e)

29.

a)

b)

c)

d)

e)

30.

Параметр не относящий к тиристорам

a)

b)

c)

d)

e)

31.

a)

b)

c)

d)

e)

32.
a)

b)

c)

d)

e)

33.
a)

b)

c)

d)

e)

34.
a)

b)

c)

d)

e)

35.
a)

b)

c)

d)

e)

36.
a)

b)

c)

d)

e)

37.
a)

b)

c)

d)

e)

38.
a)

b)

c)

d)

e)

39.
a)

b)

c)

d)

e)