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Arreglos atómicos e iónicos

Total questions: 76

Worksheet time: 40mins

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1.

Los átomos o iones pueden arreglarse en los materiales sólidos en un orden de corto o largo alcances.

a)

Cierto

b)

Falso

2.

Los materiales _____ sólo tienen un orden de corto alcance. Dichos materiales se forman cuando la cinética de un proceso involucrado en su fabricación no permite que los átomos o iones asuman las posiciones de equilibrio.

a)

Amorfos

b)

Cristalinos

c)

Alotrópicos

d)

Polimórficos

3.

Los materiales _____ tienen orden de corto y largo alcances. La periodicidad de largo alcance de estos materiales está descrita por su estructura cristalina.

a)

Amorfos

b)

Cristalinos

c)

Alotrópicos

d)

Polimórficos

4.

Los arreglos atómicos o iónicos de los materiales cristalinos son descritos por siete sistemas cristalinos generales, los cuales incluyen 14 redes de Bravais específicas. Entre los ejemplos se incluyen las redes:

a)

Cúbica sencilla

b)

Cúbica centrada en el cuerpo

c)

Cúbica centrada en la cara

d)

Hexagonal

5.

Es un conjunto de puntos organizados de manera única.

a)

Base o motivo

b)

Red

c)

Estructura Cristalina

6.

Está definida por la combinación de una red y una base.

a)

Base o motivo

b)

Red

c)

Estructura Cristalina

7.

Se relaciona con uno o más átomos asociados con cada punto de red.

a)

Base o motivo

b)

Red

c)

Estructura Cristalina

8.

Se caracteriza por medio de los parámetros de red de la celda unitaria.

a)

Base o motivo

b)

Red

c)

Estructura Cristalina

9.

La _________ es la subdivisión más pequeña de la estructura cristalina que sigue describiendo la red.

a)

Base o motivo

b)

Celda unitaria

c)

Estructura Cristalina

d)

Red

10.

La estructura cristalina tiene otras características que incluyen:

a)

El número de puntos de red y los átomos por celda unitaria

b)

El número de coordinación de los átomos localizados en la celda unitaria

c)

Factor de empaquetamiento de estos en dicha celda

11.

Los materiales alotrópicos, o polimórficos, tienen más de una estructura cristalina posible. En gran medida, las propiedades de los materiales pueden depender del tipo de polimorfo o alótropo en particular.

a)

Cierto

b)

Falso, no dependen del tipo de material polimorfo o alótropo

12.

Los átomos de los metales que tienen estructuras cristalinas cúbicas centradas en la cara y compactas hexagonales están arreglados de tal manera que ocupan la menor fracción del espacio.

a)

Cierto

b)

Falso, ocupan la mayor fracción del espacio

13.

Las estructuras CCCa y CH logran el empaquetamiento más compacto por medio de distintas secuencias de apilamiento de los planos compactos de los átomos.

a)

Cierto

b)

Falso

14.

Que tiene propiedades diferentes en direcciones distintas.

a)

Isotrópico

b)

Anisotrópico

15.

Que tiene las mismas propiedades en todas las direcciones.

a)

Isotrópico

b)

Anisotrópico

16.

La mayor fracción de empaquetamiento posible con esferas de un tamaño es ____ y es independiente del radio de las esferas.

a)

0.56

b)

0.74

c)

0.9

d)

1.0

17.

Dentro de la estructura cristalina pueden identificarse de manera formal por medio de la asignación de sus coordenadas y sus índices de Miller.

a)

Los puntos

b)

Las direcciones

c)

Los planos

18.

Las propiedades mecánicas, magnéticas, ópticas y dieléctricas pueden diferir cuando se miden a lo largo de direcciones o planos distintos dentro de un cristal; en este caso, se dice que el cristal es

a)

Anisotrópico

b)

Isotrópico.

19.

Si las propiedades son idénticas en todas las direcciones, el cristal es

a)

Anisotrópico

b)

Isotrópico.

20.

El efecto de la anisotropía cristalográfica puede estar enmascarado en un material cristalino debido a la orientación aleatoria de los granos.

a)

Cierto

b)

Falso, es debido al límite de grano

21.

Los sitios intersticiales, u orificios entre los átomos normales de una estructura cristalina, pueden ser llenados por otros átomos o iones.

a)

Cierto

b)

Falso, porque esos sitios están ocupados por vacancias

22.

La estructura cristalina de varios materiales cerámicos puede comprenderse si se considera cómo están ocupados estos sitios.

a)

Sitios intersticiales

b)

Átomos o iones localizados

c)

Vacancias

23.

Las estructuras cristalinas de los materiales enlazados de manera ______ tienden a ser abiertas. Entre algunos ejemplos se incluyen la cúbica del diamante (por ejemplo, Si, Ge).

a)

Covalente

b)

Iónica

c)

Metálica

24.

Los __________ en los sitios intersticiales desempeñan una función importante en el __________, pues influyen en sus propiedades físicas y controlan su procesamiento.

a)

Sitios intersticiales

b)

Átomos o iones localizados

c)

Vacancias

d)

Desplazamiento

e)

Reforzamiento de los materiales

25.

Grupo de átomos asociados con un punto de red (lo mismo que el motivo).

a)

Sitios intersticiales

b)

Átomos o iones localizados

c)

Base

d)

Celda Unitaria

26.

Subdivisión de la red que mantiene las características generales de la red completa.

a)

Sitios intersticiales

b)

Átomos o iones localizados

c)

Base

d)

Celda Unitaria

27.

La _____________ y la ________________ se utilizan para determinar la estructura cristalina de los materiales cristalinos.

a)

DRX

b)

Estructura cristalina

c)

Difracción de electrones

d)

Microscopía electrónica

28.

Estudio formal de los arreglos de los átomos en los sólidos.

a)

Cristales líquidos

b)

Cristalografía

c)

Cristalización

d)

Cristalización inducida por un esfuerzo

29.

Proceso de formación de cristales por medio de la aplicación de un esfuerzo externo.

a)

Cristales líquidos

b)

Cristalografía

c)

Cristalización

d)

Cristalización inducida por un esfuerzo

30.

Proceso responsable de la formación de cristales, por lo general en un material amorfo.

a)

Cristales líquidos

b)

Cristalografía

c)

Cristalización

d)

Cristalización inducida por un esfuerzo

31.

Por lo general son amorfos, pero que pueden que pueden adquirir características parcialmente cristalinas cuando se les aplica un campo eléctrico externo. El efecto del campo eléctrico es reversible

a)

Cristales líquidos

b)

Cristalografía

c)

Cristalización

d)

Cristalización inducida por un esfuerzo

32.

Estructura cristalina cúbica del carbono, silicio y otros materiales enlazados de manera covalente.

a)

Cristales líquidos

b)

Cristalografía

c)

Cúbica del diamante (CD)

d)

Cristalización inducida por un esfuerzo

33.

Las estructuras cristalinas de muchos materiales iónicos están formadas por el ________________ [por ejemplo, iones oxígeno (O2-)].

a)

Empaquetamiento de cationes

b)

Empaquetamiento de aniones

34.

La conjetura de Johannes Kepler que, en 1611, estableció que la fracción de empaqueta miento máxima con esferas de tamaño uniforme no podía exceder de:

a)

0.68

b)

0.74

c)

1.0

d)

pi/raíz de 18

35.

Característica microestructural que implica una interrupción en el arreglo periódico perfecto de los átomos/iones de un material cristalino.

a)

Defecto

b)

Defectos a nivel atómico

36.

Defectos como vacancias, dislocaciones, etc., que ocurren a una escala de longitud comparable a unas cuantas distancias interatómicas.

a)

Defecto

b)

Defectos a nivel atómico

37.

Número de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una dirección.

a)

Densidad lineal

b)

Densidad planar

38.

Microscopía electrónica de transmisión es una técnica para obtener imágenes y analizar microestructuras por medio de un haz electrónico de alta energía.

a)

Cierto

b)

Falso

39.

Número de átomos por unidad de área cuyos centros se encuentran en el plano.

a)

Densidad lineal

b)

Densidad planar

40.

Interferencia o reforzamiento constructivo de un haz de rayos x o electrones que interacciona con un material.

a)

Difracción

b)

Difracción de electrones

41.

Proceso que se utiliza para formar botellas de plástico.

a)

Difracción

b)

Moldeado de estirado-soplado

42.

Técnica para analizar materiales cristalinos por medio de un haz de rayos x.

a)

Difracción

b)

Difracción de electrones

c)

Difracción de rayos x

43.

Método para determinar el nivel de cristalinidad a escalas de longitud relativa mente pequeñas. Por lo general se lleva a cabo con un microscopio electrónico de transmisión.

a)

Difracción

b)

Difracción de electrones

c)

Difracción de rayos x

44.

Direcciones en un cristal a lo largo de las cuales los átomos están en contacto.

a)

Direcciones compactas

b)

Direcciones de una forma o direcciones de una familia

c)

Estructura compacta

d)

Estructura interplanar

e)

Estructura cristalina

45.

Direcciones cristalográficas que tienen las mismas características. Se denotan por corchetes angulares <> .

a)

Direcciones compactas

b)

Direcciones de una forma o direcciones de una familia

c)

Estructura compacta

d)

Estructura interplanar

e)

Estructura cristalina

46.

Distancia entre dos planos paralelos adyacentes con los mismos índices de Miller.

a)

Estructura compacta

b)

Estructura interplanar

c)

Estructura cristalina

47.

Distancia de un punto de red al punto de red adyacente a lo largo de una dirección.

a)

Direcciones compactas

b)

Direcciones de una forma o direcciones de una familia

c)

Estructura compacta

d)

Distancia Repetitiva

48.

Estructuras que muestran una fracción de empaquetamiento de 0.74 (CCCa y CH).

a)

Direcciones compactas

b)

Direcciones de una forma o direcciones de una familia

c)

Estructura compacta

d)

Distancia Repetitiva

49.

Arreglo de átomos en un material en una red repetitiva regular. Una estructura cristalina se describe por medio de una red y una base.

a)

Direcciones compactas

b)

Estructura cristalina

c)

Estructura compacta

d)

Distancia Repetitiva

50.

Fracción de espacio en una celda unitaria ocupada por átomos.

a)

Grano

b)

Factor de empaquetamiento

c)

Índices de Miller-Bravais

d)

Índices de Miller

51.

Cristal pequeño en un material policristalino.

a)

Grano

b)

Factor de empaquetamiento

c)

Índices de Miller-Bravais

d)

Índices de Miller

52.

Notación abreviada para describir ciertas direcciones y planos cristalográficos de una celda unitaria.

a)

Grano

b)

Factor de empaquetamiento

c)

Índices de Miller-Bravais

d)

Índices de Miller

53.

Grupo de átomos afiliados con un punto de red (lo mismo que la base).

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Número de coordinación

d)

Orden de largo alcance

e)

Parámetros de red

54.

Número de vecinos más cercanos a un átomo en su arreglo atómico.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Número de coordinación

d)

Orden de largo alcance

e)

Parámetros de red

55.

Longitudes de los lados de la celda unitaria y los ángulos entre ellos.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Número de coordinación

d)

Orden de largo alcance

e)

Parámetros de red

56.

Nombre especial dado al plano compacto de las celdas unitarias compactas hexagonales.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Plano basal

d)

Orden de largo alcance

e)

Planos de una forma o planos de una familia

57.

Planos cristalográficos que tienen las mismas características, aunque sus orientaciones son distintas. Se denotan por medio de llaves {}.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Plano basal

d)

Orden de largo alcance

e)

Planos de una forma o planos de una familia

58.

Compuestos que exhiben más de un tipo de estructura cristalina, lo cual depende de la temperatura y la presión.

a)

Polimorfismo

b)

Puntos de red

c)

Red

d)

Radio atómico

e)

Redes de Bravais

59.

Puntos que constituyen la red. Los entornos de cada punto de red son idénticos.

a)

Polimorfismo

b)

Puntos de red

c)

Red

d)

Radio atómico

e)

Redes de Bravais

60.

Colección de puntos que divide el espacio en segmentos menores de igual tamaño.

a)

Polimorfismo

b)

Puntos de red

c)

Red

d)

Radio atómico

e)

Redes de Bravais

61.

Las 14 redes posibles que pueden crearse en tres dimensiones utilizando los puntos de red.

a)

Polimorfismo

b)

Puntos de red

c)

Red

d)

Radio atómico

e)

Redes de Bravais

62.

Radio aparente de un átomo, que por lo general se calcula a partir de las dimensiones de la celda unitaria, utilizando direcciones compactas (depende del número de coordinación).

a)

Polimorfismo

b)

Puntos de red

c)

Red

d)

Radio atómico

e)

Redes de Bravais

63.

Arreglo regular y predecible de los átomos en una distancia corta, por lo general de uno o dos espaciados atómicos.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Número de coordinación

d)

Orden de largo alcance

e)

Parámetros de red

64.

Arreglo repetitivo regular de átomos en un material sólido que se extiende sobre escalas de distancias de ~10nm o superiores.

a)

Motivo

b)

Orden de corto alcance

c)

Número de coordinación

d)

Orden de largo alcance

e)

Parámetros de red

65.

Notación abreviada especial para describir los planos cristalográficos de las celdas unitarias compactas hexagonales.

a)

Grano

b)

Factor de empaquetamiento

c)

Índices de Miller-Bravais

d)

Índices de Miller

66.

Relación que describe el ángulo al cual un haz de rayos x de una longitud de onda particular se difracta de los planos cristalográficos de un espaciado interplanar dado.

a)

Conjetura de Kepler

b)

Ley de Bragg

c)

Índices de Miller-Bravais

d)

Índices de Miller

67.

Regiones entre los granos de un material policristalino.

a)

Grano

b)

Límites de grano

c)

Índices

d)

Índices de Miller

68.

Secuencia en la que se apilan los planos compactos. Si la secuencia es ABABAB, se produce una celda unitaria compacta hexagonal; si la secuencia es ABCABCABC, se produce una estructura cúbica centrada en la cara.

a)

Secuencia de apilamiento

b)

Sistemas cristalinos

69.

Arreglos cúbicos, tetragonales, ortorrómbicos, hexagonales, monoclínicos, romboédricos y triclínicos de puntos en el espacio que conducen a las 14 redes de Bravais y a cientos de estructuras cristalinas.

a)

Secuencia de apilamiento

b)

Sistemas cristalinos

70.

Posición intersticial cuyo número de coordinación es ocho.

a)

Sitio cúbico

b)

Sitios intersticiales

c)

Sitio octaédrico

d)

Sitio tetraédrico

71.

Posición intersticial cuyo número de coordinación es seis.

a)

Sitio cúbico

b)

Sitios intersticiales

c)

Sitio octaédrico

d)

Sitio tetraédrico

72.

Posición intersticial cuyo número de coordinación es cuatro.

a)

Sitio cúbico

b)

Sitios intersticiales

c)

Sitio octaédrico

d)

Sitio tetraédrico

73.

Localizaciones entre los átomos o iones “normales” de un cristal en las que se coloca otro átomo o ion, por lo general distinto. A menudo, el tamaño de esta ubicación intersticial es menor que el átomo o ion que se va a introducir.

a)

Sitio cúbico

b)

Sitios intersticiales

c)

Sitio octaédrico

d)

Sitio tetraédrico

74.

La solidificación rápida es una técnica que se utiliza para enfriar metales y aleaciones de manera muy rápida.

a)

Falso, se utiliza para enfriar cerámicos

b)

Cierto

75.

Metales o aleaciones amorfos que se obtienen por medio de la solidificación rápida.

a)

Vidrio metálico

b)

Vidrios

76.

Materiales sólidos no cristalinos (por lo regular derivados a partir del estado fundido) cuyo orden atómico sólo es de corto alcance.

a)

Vidrio metálico

b)

Vidrios