wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Điôd Bán Dẫn

Total questions: 156

Worksheet time: 2hrs 26mins

Name
Class
Date
1.

Tên 3 mô hình tương đương của diode tần số thấp là:

4 lines
2.

Một tiếp cúc PN đang được phân cực ngược,điện dung của tiếp xúc sẽ giảm đi khi:

4 lines
3.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng thế nào đến sự hoạt động của diode

4 lines
4.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao phải yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất?

4 lines
5.

Gọi RD là nội trở một chiều của diode, UD và ID lần lượt là điệp áp giữa hai đầu và dòng điện chảy qua diode; RD có thể được tính bởi công thức nào trong số công thức:

4 lines
6.

Trong mạng tinh thể silic, liên kết giữa hai nguyên tử silic là:

4 lines
7.

Dòng điện trôi là dòng?

4 lines
8.

Trong mối liên hệ cộng hóa trị,mỗi nguyên tử silic của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho lien kết chung

4 lines
9.

Đặt điện áp ngược 12V lên mạch điện gồm 1 diode zener mắc nối tiếp với 1 điện trở R nếu Uz=3V,thì điện áp do diode zener sẽ là:

4 lines
10.

Phương trình nào dưới đây là phương trình Shockley mô tả đặc tuyến cua diode

4 lines
11.

Tại 25 độ C, một diode có Pd(max)=1W,Ud=0,7V dòng điẹn tối đa cho phép qua diode giảm xấp xỉ bao nhiêu lần nếu nhiệt độ của diode tăng lên 60 độ C? Biết khi đó Pd(max) = 0,4; Ud= 0,55

4 lines
12.

Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN. Phát biểu này đúng hay sai

4 lines
13.

Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter. Phát biểu này đúng hay sai?

4 lines
14.

Trong BJT, hạt dân đa số trong miền emitter là hạt dân đa số trong miền base. Phát biển này đúng hay sai?

4 lines
15.

Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB). Phát biểu này đúng hay sai

4 lines
16.

Hệ số khuếch đại dòng điện dc của một BJT có giá trị từ nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn. Phát biểu này đúng hay sai?

4 lines
17.

Đường tài tình hay đường tài một chiếu là một đường thông biên diễn sự phụ thuộc giữa điện áp và dòng điện của BJT trong vùng bão hòa. Phát biểu này đúng hay sai

4 lines
18.

Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector (I) là lớn nhất khi BJT bị bão hòa. Phát biểu xây đúng hay sai

4 lines
19.

Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi Ba: B= B. Phát biểu này đúng hay sai?

4 lines
20.

Đặc điểm miên base của một BJT thông thường là

4 lines
21.

Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do .

4 lines
22.

Dòng điện collector của một BJT được tạo ra do...

4 lines
23.

Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường

4 lines
24.

Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc tuyến ra của nó mặc theo mô hình nào dưới đây?

4 lines
25.

BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây?

4 lines
26.

BJT trong hình vẽ được chế tao tur silic. Biết Vcc = 10 V; Rc = 1 k; và Uin =0V. Tính Uout

4 lines
27.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào

4 lines
28.

chức năng chính của diode zener là:

a)

A.Ổn dòng

b)

B.Ổn áp

c)

C.Chỉnh lưu

d)

D.Nhân áp

29.

Điện thế nhiệt UT tại nhiệt độ 55oC có giá trị xấp xỉ

a)

A.28,3mV

b)

B.25mV

c)

C.26,1mV

d)

D.29,9mV

30.

Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ:

a)

biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện 1 chiều

b)

biến đổi dòng điện 1 chiều sang dòng xoay chiều

c)

giảm độ nhấp nhô(gợn) cho điện áp ra của các bộ nguồn

d)

lưu trữ năng lượng trong 1 nửa chu kỳ và giải phóng trong 1 nửa còn lại của hình sin

31.

Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:

a)

Thu hẹp vào cả hai phía

b)

Thu hẹp vào ở một phía

c)

Mở rộng ra về cả hai phía

d)

Mở rộng ra về một phía

e)

Cơ bản là không thay đổi

32.

Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode là:

a)

Các phương trình đưa ra đều sai

b)

PD=UD x ID

c)

PD=UD X RD

d)

PD=UD2 X ID

33.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ là

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

4 diode

34.

số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu là:

a)

A.1

b)

B.2

c)

C.3

d)

D.4

35.

Dòng trôi trong diode là dòng của:

a)

Hạt dẫn thiểu số

b)

Hạt dẫn đa số

c)

Điện tử

d)

Lỗ trống

36.

Với diode,sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và phi tuyến hóa từng đoạn(đầy đủ) khác nhau ở điêm nào?

a)

A.Nội trở rD

b)

B.Điện áp mở UD0 và dung kháng khuếch tán(điện dung của tiếp giáp)

c)

C.Điện áp mở UD0

d)

D.Nội trở rD và điện áp UD0

37.

Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng silic là xấp xỉ:

a)

0.7V

b)

0.3V

c)

1.2V

d)

1.5V

38.

Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất, phát biểu này đúng hay sai?

a)

Đúng

b)

Sai

39.

Nếu 1 diode ổn áp có Uz=4,7V;Phát biểu nào sau đây đúng?

a)

Điện áp thuận cực đại là 4.7V

b)

Điện áp mở là 4.7V

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Điện áp đánh thủng do điện là 4.7V

40.

Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây là đúng?

a)

Chất bán dẫn điện kém hơn chất cách điện

b)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

41.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng thế nào đến sự hoạt động của diode

a)

dòng ngược bão hòa của diode giảm

b)

điện áp mở của diode giảm

c)

diode không hoạt động

d)

dòng điện thuận cực đại tăng

42.

ch chỉnh lưu nửa chu kì bằng diode lý tưởng,khi diode ở trạng thái phân cực ngược dòng qua tải là:

a)

A.Đạt cực đại

b)

B.Nhỏ hơn 0

c)

C.Lớn hơn 0

d)

D.Bằng 0

43.

Tên 3 mô hình tương đương của diode tần số thấp là:

a)

A.Lí tưởng,tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản,tuyến tính hóa từng đoạn(đầy đủ)

b)

B. Lí tưởng,tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản,tuyến tính hóa nhiều đoạn(phức tạp)

c)

C.Lí tưởng,gần lí tưởng và thực tế

d)

D.Lí tưởng,phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản,phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)

44.

Trong bán dẫn tạp chất loại P, mỗi lỗ hổng trong mạng tinh thể có xu hướng:

a)

Hút chỗ trống lân cận lại gần

b)

Đẩy chỗ trống lân cận ra xa

c)

Lấy một điện tử ở liên kết bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mình

d)

Lấy một điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử từ tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mình

45.

Diode bán dẫn không có cực tính, phát biểu này đúng hay sai?

a)

Đúng

b)

Sai

46.

Với diode,sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn(đầy đủ)khác nhau ở điểm nào?

a)

A.Nội trở rD

b)

B.Điện áp mở UD0 và dung kháng khuếch tán(điện dung của tiếp giáp)

c)

C.Điện áp mở UD0

d)

D.Nội trở rD và Điện áp mở UD0

47.

Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm

b)

Dòng khuếch tán và dòng trôi cũng tăng

c)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa

d)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng mạnh

48.

Tên gọi thông dụng cho các vùng đặc tuyến vôn-ampe của diode là?

a)

Phân cực thuận,phân cực ngược,quá dòng,đánh thủng do nhiệt

b)

Phân cực thuận,phân cực ngược,quá dòng,quá nhiệt

c)

Phân cực thuận,phân cực ngược,đánh thủng do điện(zenener),đánh thủng do nhiệt

d)

Phân cực thuận,phân cực ngược,đánh thủng do điện(zenener),đánh thủng do từ

e)

Tất cả các phương án trên đều đúng

49.

Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất?

a)

Kẽm

b)

Silic

c)

Chì

d)

Đồng

50.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao phải yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất?

a)

Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

b)

Giúp dây truyền sx trơn tru, không bị tác động bên ngoài

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe người lao động

51.

Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần,số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn?

a)

Điện tử nhiều hơn lỗ trống

b)

Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra

c)

Số lượng điện tử và lỗ trống bằng nhau

d)

Lỗ trống nhiều hơn điện tử

52.

Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là gì?

a)

Điện tử

b)

ion dương

c)

Không có hạt dẫn nào đa số

d)

Lỗ trống

53.

Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào?

a)

Các phương án đưa ra đều sai

b)

Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau

d)

Mật đọ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không còn dòng điện khuếch tán

54.

Các hình A,B và C lần lượt thể hiện giản đồ năng lượng của các chất:

a)

Dẫn điện, cách điện, bán dẫn

b)

Dẫn điện, bán dẫn, cách điện

c)

Cách điện, bán dẫn , dẫn điện

d)

Bán dẫn, cách điện, dẫn điện

55.

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi:

a)

Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

b)

Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

c)

Điện áp ngược đặt trên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng

d)

Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

56.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dung biến áp có điểm giữa là:

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

4 diode

57.

Dòng trôi trong diode là dòng của:

a)

Hạt dẫn thiểu số

b)

Hạt dẫn đa số

c)

Điện tử

d)

Lỗ trống

58.

Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận. Phát biểu sau đúng hay sai?

a)

Đúng

b)

Sai

59.

Trong diode hạt dẫn đa số là:

a)

Lỗ trống

b)

Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P

c)

Điện tử

d)

Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N

e)

Tất cả các phương án đều đúng

60.

Tên 3 mô hình tưởng đương tần số thấp của diode là:

a)

Lí tưởng,tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa nhiều đoạn(phức tạp)

b)

Lí tưởng,phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản và phi tuyến hóa từng đoạn đầy đủ

c)

Lí tưởng,gần lí tưởng và thực tế

d)

Lí tưởng,tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

61.

Trong mạng tinh thể silic, liên kết giữa hai nguyên tử silic là:

a)

Liên kết đẳng thế

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Liên kết đồng đều

d)

Liên kết cộng hóa trị

62.

Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây(trong bảng HT tuần hoàn)

a)

Nhóm V

b)

Nhóm III pha với nhóm IV

c)

Nhóm III pha với nhóm V

d)

Nhóm IV

e)

Nhóm III

63.

Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và Loại P tiếp xúc với nhau?

a)

Dòng trôi của hạt dẫn và ion

b)

Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử và lỗ trống

d)

Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử

64.

Trong mạch chỉnh lưu nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược dòng qua tải là:

a)

Đạt cực đại

b)

Nhỏ hơn 0

c)

Lớn hơn 0

d)

Bằng 0

65.

Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp?

a)

Lỗi trong quá trình sản xuất

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Do dòng trôi của hạt dẫn trong điện trường

d)

Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp

66.

Tác dụng của tụ điện mắc song song với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu là:

a)

Nắn điện áp xoay chiều thành điện áp 1 chiều

b)

Tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi

c)

Giảm độ gợn điện áp đầu ra

d)

Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó

67.

Ý nào dưới đây giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode?

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

b)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu của diode

c)

Là hiện tượng biến thiên nội trở của diode chuyển tử phân cự thuận sang ngược

d)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

68.

Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện đi qua diode?

a)

Bằng 0

b)

Là dòng thuận và giảm theo điện áp

c)

Là dòng ngược bão hòa

d)

Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp

e)

Là dòng thuận cực

69.

Một diode lí tưởng hoạt động giống như:

a)

một công tắc

b)

một dây dẫn

c)

một điện trở

d)

một tụ điện

70.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

A.có duy nhất 1 diode dẫn thông,các diode còn lại đều khóa

b)

B.có 2 diode dẫn thông,các diode còn lại đều khóa

c)

C.Có 3 diode dẫn thông,các diode còn lại đều khóa

d)

D.Tất cả các diode cùng dẫn thông

71.

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào vùng N của một tiếp giáp PN sẽ khiến:

a)

Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

b)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

c)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

d)

Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

72.

Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện đi qua diode?

a)

Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp

b)

Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức

c)

Là dòng ngược bão hòa

d)

Bằng 0

e)

là dòng thuận và giảm theo điện áp

73.

Công thức nào dưới đây để tính nội trở xoay chiều của diode

a)

rd =m x Ur/Is

b)

rd=UD/ID

c)

rd=dUD/dID

d)

Các phương án đưa ra đều sai

74.

Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn:

a)

Kích thước nhỏ hơn

b)

Có nồng độ pha tạp lớn hơn

c)

Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

d)

Kích thước lớn hơn

75.

à nội trở của diode.Sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào?

a)

A.UD là đáng kể so với UN và rd là đáng kể so với R

b)

B. UD là đáng kể so với UN và rd rất nhỏ so với R

c)

C.UD rất nhỏ so với UN và rd là đáng kể so với R

d)

D. UD rất nhỏ so với UN và rd rất nhỏ so với R

76.

Mạch điện trong hình vẽ là mạch:

a)

A.hạn chế mức dưới -E mắc kiểu song song

b)

B.Hạn chế mức trên -E mắc kiểu song song

c)

C.Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu nối tiếp

d)

D.Hạn chế mức trên -E mắc kiểu nối tiếp

77.

Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của 1 tiếp xúc PN sẽ khiến:

a)

dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên

b)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi

c)

Bề rộng vùng nghèo tăng lên

d)

Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên

78.

Bán dẫn loại P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần?

a)

Mức năng lượng của vùng hóa trị

b)

Mức năng lượng của tạp chất cho

c)

Mức năng lượng của tạp chất nhận

d)

Mức năng lượng của vùng dẫn

79.

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện:

a)

Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

b)

Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn

c)

Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau

d)

Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

80.

Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 0oK, phương án nào sau đây là sai?

a)

Nung nóng khối bán dẫn

b)

Không cần làm gì vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể

c)

Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn

d)

Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn

81.

Với diode,sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ và tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản khác nhau ở điểm nào?

a)

điện áp mở UD

b)

Nội trở rD và điện áp mở UD

c)

Nội trở rD

d)

điện áp mở UD và dung kháng khuêch tán(điện dung của tiếp giáp)

82.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của:

a)

Ion dương

b)

Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại

c)

Lỗ trống không di chuyển được

d)

Điện tử hóa trị nhưng theo chiều ngược lại

83.

Diode zener có đặc điểm quan trọng gì khác với diode thông thường?

a)

Cho phép dòng điện thuận lớn hớn đi qua

b)

Có vùng đánh thủng do điện(zener) rất dốc,phù hợp với ứng dụng ổn áp

c)

Có dòng ngược bão hòa lớn

d)

Có điện áp mở lớn hơn

84.

Cho các đặc tuyến như trong kinh về. Hình nào thể hiện đặc tuyển của mạch hạn chế mức dưới âm

a)

A Hình A

b)

B. Hình C

c)

C.Hình B

d)

D. Hình D

85.

Tên của sơ đồ tương đương có đặc tuyến như hình vẽ

a)

A.Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản

b)

B.Lí tưởng

c)

C.Tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

d)

D.Tần số cao

86.

Bán dẫn loại P có đặc điểm gì khác với bán dần thuần

a)

A. Có một điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 5 không tham gia vào liên kết cộng hòa trị nào B. Thiếu một điện từ lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong một liên kết cộng hóa trị

b)

C. Không khác bán đần thuần

c)

D. Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn

87.

Diode trong hình vẽ đang hoạt động trong vùng đánh thủng do điện (vùng zener). Khi điện áp vào tăng trong một phạm vi cho phép để không làm hỏng diode thi:

a)

A. Điện áp trên Rt tăng theo

b)

B. Dòng Iz giảm

c)

C. Điện áp trên Rt giảm đi

d)

D. Dòng I giảm

e)

E. Dòng It không đổi

88.

Điện thế nhiệt Ut tại nhiệt độ 55 độ C có giá trị xấp xỉ:

a)

A.28,3mv

b)

b.25mv

c)

c29.9mv

d)

D.26.1mv

89.

Hệ số B của BJT là

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Hệ số truyền đại dòng điện base

c)

Ti số của dòng điện collector với dòng điện emitter

d)

Hệ số khuếch đại công suất

90.

Cho mạch điện như hình vẽ trên,biết diode zener đã hoạt động trong vùng đánh thủng do điện(vùng zener) dòng điện đi qua diode là:

a)

A.4mA

b)

B.2mA

c)

C.3mA

d)

D.1mA

91.

Cho mạch điện như hình vẽ bên,với E=5V,R=8Ω,rD=1Ω và diode được làm từ silic để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10% áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất?

a)

tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

b)

Lí tưởng

c)

tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản

d)

tần số cao

92.

Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào, Phát biểu này dùng hay sai?

a)

True

b)

False

93.

Dòng điện base (Is) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector (le) và dòng điện emitter (Ja Phát hiện này đúng hay said

a)

True

b)

False

94.

Mạch điện trong hình về làm

a)

A. Hạn chế trái phải

b)

B. Hạn chế trên

c)

C. Hạn chế dưới

d)

D. Hạn chế cả trên và dưới

95.

Cho mạch điện gồm 1 nguồn điẹn cấp cho 1 diode mắc nối tiếp với 1 điện trở R.Gọi UN là điện áp của nguồn,UD là điện áp mở và rd là nội trở của diode.Sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào?

a)

UD là đáng kể so với UN và rd là đáng kể so với R

b)

UD là đáng kể so với UN và rd rất nh

96.

Tại hai điểm trên đặc tuyến vôn-ampe của diode,người ta đo được nội trở 1 chiều lần lượt là 3,75Ω(điêm 1) và 200KΩ(điểm 2).Nhận định nào sau đây là hợp lý nhất về vị tr�� của hai điểm trên đặc tuyến

a)

cả hai điểm đều trên nhánh phân cực thuận

b)

Điểm 1 ở gốc tọa độ,điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

c)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận,điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

d)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận,điểm 2 ở vùng đánh thủng

97.

Dòng trôi là dòng:

a)

Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

c)

Của cả 2 loại hạt dân dưới tác động của điện trường

d)

Các phương án đưa ra đều sai

98.

BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận. Phát biểu này đúng hay sai?

a)

True

b)

False

99.

Có mấy phương pháp phân cực cho BJT mà anh/chị đã được học?

a)

2

b)

3

c)

4

d)

1

100.

Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi Ba: B= B. Phát biểu này đúng hay sai?

a)

True

b)

False

101.

Mạch điện trong hình vẽ là mạch:

a)

Hạn chế mức dưới mặc kiểu song song

b)

Hạn chế mức trên mặc kiểu song song

c)

Hạn chế mức dưới mặc kiểu nói tiếp

d)

Hạn chế mức trên mặc kiểu nối tiếp

102.

Về mặt lý thuyết, nếu tăng Uc trong khi Uce của BJT được giữ nguyên thì ...

a)

Dòng điện base giảm nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm

b)

Dòng điện base không đổi

c)

Dòng điện base tăng nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng

d)

Dòng điện base tăng tỷ thuận với độ tăng của Uc

103.

cho 1 diode với các thông số sau:m=1; UT=25mV; IS=1nA; UD=0,4V dòng điện chạy qua diode xấp xỉ:

a)

A.6,2mA

b)

B.3mA

c)

C.14mA

d)

D.8,9mA

104.

Đặc điểm miên base của một BJT thông thường là

a)

A. Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

b)

B. Mong nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

c)

C. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất

d)

D. Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

105.

Trong một BJT loại NPN, các miền được tạo nếu từ bán dẫn loại N là

a)

base và emitter

b)

Base và collector

c)

Emitter và collector

d)

Base

106.

Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì sử dụng biến áp có điểm giữa(1) với mạch chỉnh lưu cầu(2)

a)

số lượng diode của (1) ít hớn của (2)

b)

Hao hụt điện áp đầu ra của (1) thấp hơn của (2)

c)

Điện áp ngược đặt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)

d)

Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp điện cho (2)

107.

Đặc tuyến vôn-ampe của 1 diode không phụ thuộc vào:

a)

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

b)

Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc

c)

Nhiệt độ của diode

d)

Bức xạ ion hóa chiều vào

108.

Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT. Phát biểu này đúng hay sai?

a)

True

b)

False

109.

Chức năng chính của BJT là tạo dao động. Phát biểu này đúng hay sai?

a)

True

b)

False

110.

Cho đặc tuyến thể hiện mối quan hệ giữa Vout và Vin như hình vẽ.đây là đặc tuyến của mạch

a)

A.Hạn chế mức trên

b)

B.Chỉnh lưu cầu

c)

C.Hạn chế mức dưới

d)

D.Chỉnh lưu một nửa chu kỳ

111.

Diode bị phân cực ngược khi

a)

A. Dòng điện ngoài có xu hướng chảy cùng chiều với dòng khuếch tán

b)

B. Điện trường ngoài cùng chiều với diện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

c)

C. Điện trường ngoài đã nhỏ, chiều điện trường là không quan trọng

d)

D. Từ trường ngoài ngược chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

112.

Đặc tuyến vôn-ampe của 1 diode không phụ thuộc vào:

a)

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

b)

Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc

c)

Nhiệt độ của diode

d)

Bức xạ ion hóa chiều vào diode

113.

Diode không bị hỏng bởi nguyên nhân nào sau đây

a)

Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn

b)

Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn

c)

Dòng điện chạy qua diode quá lớn

d)

Không có đáp án đúng

114.

Có mấy phương pháp phân cực cho BJT mà anh/chị đã được học?

a)

A. 2

b)

B. 3

c)

C.4

d)

D. 1

115.

Khi nhiệt độ của diode (có m=1) tăng từ 25 độ C(UT=25mV;IS=1nA;UD=0,5V) lên 60 độ C(UT=28,7mV;IS=200nA;UD=0,45V) dòng điện chạy qua diode tăng xấp xỉ bao nhiêu lần?

a)

A.1,2 lần

b)

B.2,7 lần

c)

C.5 lần

d)

D.12 lần

116.

Cho một diode với các thông số sau:UD=0,8V;Ut=25mV;Is=1mA;ID=20mA Nội trở một chiếu của diode la

a)

A. 20 ohm

b)

B. 30 ohm

c)

C. 40 ohm

d)

D. 60 ohm

117.

Thông thường, đặc điểm miền emitter của một BJT LÀ

a)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

c)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất

118.

Đặc điểm miền collector của một BJT thông thường là...

a)

A. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

B. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất

c)

C. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

D. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

119.

Cho một diode với các thông số sau m=1; U=0, 25m, Is =1mA;ID=500mA. Điện áp trên diode xấp xỉ

a)

A. 1.2V

b)

B. 0.5V

c)

C. 0.8V

d)

D. 0.1V

120.

Dòng điện collector của một BJT được tạo ra do...

a)

A. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dân đa số tin miền B bị hút sang miền C

b)

B. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

c)

C. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang mien B

d)

D. Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dân đa số từ miền C khuếch tán sang mien B

121.

Trong một BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là...

a)

A. Base và emitter

b)

B. Base và collector

c)

C. Emitter và collector

d)

D. Base

122.

Hệ số β của BJT là ..

a)

A. Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

B. Hệ số truyền đại dòng diện base

c)

C. Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

d)

D. Hệ số khuếch đại công suất

123.

Đặc điểm miền collector của một BJT thông thường là...

a)

A. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

B. Có kích thư

124.

Ứng dụng nào dưới đây,không phải là ứng dụng đặc trưng của diode

a)

A.khuếch đại tín hiệu

b)

B.chỉnh lưu nửa chu kỳ

c)

C.hạn mức điện áp

d)

D.Chỉnh lưu cả chu kỳ

125.

Về mặt lý thuyết, nếu tăng UCE trong khi UBE của BJT được giữ nguyên thì...

a)

A. Dòng điện base giảm nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm

b)

B. Dòng diện base không đòi

c)

C. Dòng điện base tăng nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng

d)

D. Dòng điện base tăng tỷ thuận với độ tăng của UCE

126.

Tại 25 độ C, một diode có Pd(max)=1W,Ud=0,7V dòng điẹn tối đa cho phép qua diode giảm xấp xỉ bao nhiêu lần nếu nhiệt độ của diode tăng lên 60 độ C? Biết khi đó Pd(max) = 0,4; Ud= 0,55V.

a)

A. 4 Lần

b)

B.2 lần

c)

C. 1,3 lần

d)

D.2.8 lần

127.

Khi đang hoạt động. dòng điện base của BJT được tạo ra do

a)

A. Số luợng lớn các hạt dân ca sản tốt tiền B khuếch tán sang min là

b)

B. Các hạt dân đa số từ miền E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dân này tái hợp với các hạt dân đa số tại miền B cho các hạt dân đa số từ miền E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

c)

C. Số lượng lớn các hạt dân đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt đa số tại mien E

128.

Nếu một diode Zener có Uz bằng 4.7V, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

Điện áp mở là 4,7V

b)

Điện áp thuận cực đại là 4.7V

c)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

d)

các phương án trên đều sai

129.

Thông thường, đặc điểm miền emitter của một BJT là...

a)

A. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

B. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

c)

C. Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

D. Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất

130.

Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ

a)

0.3 V

b)

0.7 V

c)

0.3 V hoặc 0.7 V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si.

131.

Đặc điểm miền base của một BJT thông thường là

a)

A. Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

b)

B. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

c)

C. Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất

d)

D. Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

132.

Với một BJT tín hiệu nhỏ (small signal BJT), các điện trở ra. In và tạ trong mô hình tương đương r, thường có giá trị sắp xếp theo thứ tự tăng dần từ trái sang phải là...

a)

A. re, rb, rc

b)

B. rb, re, rc

c)

C. rc, rb, re

d)

D. re, rc, rb

133.

Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do...

a)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C

b)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C

c)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận và các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

d)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

134.

Diode đang được phân cực thuận bằng nguồn điện một chiều. Khi cấp thêm một thành phần điện áp xoay chiều có biên độ là 0.1V vào diode, dòng điện qua diode biển thiên trong khoảng 20mA. Vậy, nội trở động của diode xấp xỉ là:

a)

A. 10 ohm

b)

B. 20 ohm

c)

C.0.1 ohm

d)

D. 1 ohm

135.

Khi dang hoạt động, dòng điện base của BJT được tạo ra do ...

a)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E

b)

Các hạt dần đa số từ miền E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

c)

Các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tải hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

d)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt đa số tại miền E

136.

Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại Si khi phân cực thuận là...

a)

0V

b)

0.7 V

c)

0.3 V

d)

VBB

137.

Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thể của cực base phải...

a)

Cao hơn các emitter

b)

Tháp hơn cục emitter

c)

Tháp hơn cực collector

d)

Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector

138.

Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng...

a)

0.05

b)

20

c)

0.95

d)

1.05

139.

Phương pháp phân cực cho BJT trong hình là...

a)

A. Phân áp

b)

B. Phân cực base (phân cực có định)

c)

C. Phân cực emitter

d)

D. Phân cực hồi tiếp collector

140.

Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải.

a)

Cao hơn các emitter

b)

Tháp hơn cục emitter

c)

Tháp hơn cực collector

d)

Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector

141.

dòng điện ở cực emitter luôn...

a)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cục base

b)

Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector

c)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector

d)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và lớn hơn giá trị dòng điện ở collector

142.

Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn...

a)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cục base

b)

Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector

c)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector

d)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base v

143.

Phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây?

a)

A. Phân cực base

b)

B. Phân cục emitter

c)

C. Phân cục bằng phân áp

d)

D. Phân cực bằng hối tiếp collector

144.

Một BJT được làm từ silic, có β = 150, đang ở trong mạch điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà B tăng lên, dòng collector sẽ...

a)

A. Tăng lên

b)

B. Giảm di

c)

C. Không đổi

d)

D. Không kết luận được

145.

Dòng điện collector của một BJT được tạo ra do...

a)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dân đa số từ miền B bị hút sang miền C

b)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dân thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

c)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiếu số từ miến C khuếch tán sang miền B

d)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dân đa số từ miến C khuếch tán sang miền B

146.

Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại?

a)

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B

b)

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cục C và điện áp ở cực B

c)

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B

d)

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B

147.

Một BJT được làm từ silic đang ở trong mạch điện như hình vẽ. Nếu vì một lý do nào đó mà β tăng lên, dòng điện base sẽ...

a)

A. Giảm đi

b)

B. Tăng lên

c)

C. Không đổi

d)

D. Ban đầu không đổi, sau đó giảm mạnh

148.

Hệ số β của BJT là

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

c)

Hệ số khuếch đại công suất

d)

Hệ số truyền đại dòng điện base

149.

Trong một BJT, hệ số a được định nghĩa là...

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

c)

Hệ số khuếch đại công suất

d)

Ti số của dòng điện collector với dòng điện base

150.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi theo là....

a)

A. β

b)

B. Ube

c)

C. Ic

d)

D. Cả B, Ube, Ic

151.

Đặc điểm miền collector của một BJT thông thường là...

a)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất

c)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

152.

Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch đại?

a)

Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E

b)

Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E

c)

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E

153.

BJT trong hình vẽ được làm từ silic. Nếu Vcc tăng lên gấp đôi, dòng điện base sẽ...

a)

A. Giảm đi một nửa

b)

B. Tăng lên gấp đôi

154.

Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn...

a)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base

b)

Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter

c)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter

d)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở emitter

155.

Khi tiếp xúc emitter - base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ.

a)

Tăng lên

b)

Giảm đi

c)

Không đổi

d)

Ban đầu không đổi sau đó tăng lên

156.

Nếu một diode Zener có Uz bằng 4.7V, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

A. Điện áp mở là 4,7V

b)

B. Điện áp thuận cực đ

Similar Resources on Wayground

chương 2 ( chỉ sugar)

152 questions

chương 2 ( chỉ sugar)

quiz

Worksheet

•

1st Grade

kinh tế vi mô tn2

160 questions

kinh tế vi mô tn2

quiz

Worksheet

•

1st Grade