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Diodos y semiconductores

Total questions: 20

Worksheet time: 10mins

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1.

¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de Ge a temperatura ambiente?

a)

0,3 V

b)

0,7 V

c)

1 V

d)

2 mV por cada grado Celsius

2.

Cuando un diodo se encuentra en la región de no conducción se puede asemejar como

a)

Circuito abierto

b)

Positivamente cargado

c)

Negativamente cargado

d)

Circuito cerrado

3.

En la región de polarización directa las magnitudes de corriente son de:

a)

Magnitud de A

b)

Magnitud de mA

c)

Magnitud de μA

d)

0 A

4.

Normalmente, en un diodo de Si, la corriente inversa

a)

Es muy pequeña

b)

Es muy grande

c)

Equivale a cero

d)

Se encuentra ubicada en la región de disrupción

5.

Si a un SC se le añaden impurezas:

a)

Está en la región de disrupción

b)

Intrínseco

c)

Extrínseco

d)

Está en la región Zener

6.

En la región de no polarización las magnitudes de la corriente son de:

a)

Magnitud de A

b)

Magnitud de mA

c)

Magnitud de μA

d)

0 A

7.

Un SC intrínseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente, ¿Qué causa estos huecos?

a)

Dopaje

b)

Electrones libres

c)

Energía térmica

d)

Electrones de valencia

8.

¿Cuál de los siguientes términos describe un SC tipo N?

a)

Neutro

b)

Positivamente cargado

c)

Negativamente cargado

d)

Que tiene muchos huecos

9.

A temperatura ambiente, un cristal de Si intrínseco se comporta de manera similar a:

a)

Una batería

b)

Un conductor

c)

Un aislante

d)

Un fragmento de Cu

10.

Seleccione que elemento debo agregar para formar un SC tipo N:

a)

B

b)

Ga

c)

C

d)

Sb

11.

Comparado con un diodo de Ge, la corriente inversa de saturación de un diodo de Si es:

a)

Igual a altas temperaturas

b)

Menor

c)

Igual a bajas temperaturas

d)

Mayor

12.

En un SC intrínseco, el número de huecos es:

a)

Igual al de electrones libres

b)

Mayor al número de electrones libres

c)

Menor al número de electrones libres

d)

Ninguna de las anteriores

13.

Un diodo permite la conducción de corriente:

a)

A una sola dirección

b)

A dos direcciones

c)

A tres direcciones

d)

A cuatro direcciones

14.

Para producir un SC tipo n, ¿qué se utilizaría?

a)

Átomos aceptores

b)

Átomos donantes

c)

Impurezas pentavalentes

d)

El Silicio

15.

En un diodo ideal ¿cuál es la tensión en directa de un diodo?

a)

0 V

b)

0,7 V

c)

Mayor que 0,7 V

d)

1 V

16.

Un SC tipo P contiene huecos y:

a)

Iones positivos

b)

Iones negativos

c)

Átomos pentavalentes

d)

Átomos donantes

17.

Los huecos son:

a)

Átomos

b)

Cristales

c)

Cargas negativas

d)

Cargas positivas

18.

Para los niveles de resistencia de dc y ac, mientras menor sea el nivel de corriente utilizado para determinar la potencia promedio, cómo será el nivel de resistencia:

a)

Mayor

b)

Menor

c)

Igual

d)

Ninguna de las otras respuestas

19.

¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de Si a temperatura ambiente?

a)

0,3 V

b)

0,7 V

c)

1 V

d)

2 mV por cada grado Celsius

20.

Seleccione que elemento debo agregar para formar un SC tipo P:

a)

Sb

b)

P

c)

Ga

d)

As