Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Kiến thức về Diode Bán Dẫn

Total questions: 123

Worksheet time: 1hrs 9mins

Name
Class
Date
1.

Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận

a)

Đúng

b)

Sai

2.

Diode bán dẫn k có cực tính

a)

Đúng

b)

Sai

3.

Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất

a)

Đúng

b)

Sai

4.

Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode

a)

PD=UDxID

b)

PD=UDxRD

c)

PD=UD2xID

d)

các phương án đều sai

5.

Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp

a)

Lỗi trong quá trình sản xuất

b)

Các phương án đều sai

c)

Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường

d)

Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp

6.

Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào

a)

Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn

b)

Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn

c)

Dòng điện chạy qua diode quá lớn

d)

Không có phương án nào đúng

7.

Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tx vs nhau

a)

Dòng trôi của hạt dẫn và ion

b)

Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống

d)

Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử

8.

Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì

a)

Điện tử

b)

Ion dương

c)

Lỗ trống

d)

Không có hạt dẫn nào là đa số

9.

Ý nào dưới đây l�� giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều cả diode

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

b)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

c)

Là lượng biến thiên nội trợ của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược

d)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

10.

Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là

a)

Nhỏ hơn 0

b)

Lớn hơn 0

c)

Bằng 0

d)

Đạt cực đại

11.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)

12.

Chức năng chính của diode zener

a)

Ổn dòng

b)

Ổn áp

c)

Chỉnh lưu

d)

Nhân áp

13.

Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau ở điểm nào

a)

Nội trở rd

b)

Điện áp mở UD0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)

c)

Điện áp mở UD0

d)

Nội trở rd và điện áp mở UD0

14.

Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi

a)

Điện áp ngược tăng lên

b)

Điện áp ngược giảm đi

c)

Ngừng phân cực cho tiếp xúc

d)

Các phương án đưa ra đều sai

15.

Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 550C có giá trị xấp xỉ

a)

28,3mV

b)

25mV

c)

26,1nV

d)

29,9mV

16.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

4 diode

17.

Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode

a)

Khuếch đại tín hiệu

b)

Chỉnh lưu nửa chu kì

c)

Hạn mức điện áp

d)

Chỉnh lưu cả chu kì

18.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

b)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

c)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

d)

Tất cả các diode đều dẫn thông

19.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng ntn đến hoạt động của diode

a)

Dòng ngược bão hòa của diode giảm

b)

Điện áp của diode giảm

c)

Diode không hoạt động được

d)

Dòng điện thuận cực đại tăng

20.

Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ

a)

Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều

b)

Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều

c)

Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn

d)

Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kì và giải phóng trong nửa chu kì còn lại của hình sin

21.

Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến

a)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên

b)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi

c)

Bề rộng vùng nghèo tăng lên

d)

Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên

22.

Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:

a)

Thu hẹp vào ở cả hai phía

b)

Thu hẹp vào ở một phía

c)

Mở rộng ra về cả hai phía

d)

Mở rộng ra về một phía

e)

Cơ bản k thay đổi

23.

Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ

a)

0.7V

b)

0.3V

c)

1.2V

d)

1.5V

24.

Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng

a)

Hút lỗ trống lân cận lại gần

b)

Đẩy lỗ trống lân cận ra xa

c)

Lấy một điện tử ở lk bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mk

d)

Lấy 1 điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mk

25.

Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn

a)

Loại P

b)

Có nồng độ pha tạp lớn hơn

c)

Kích thước lớn hơn

d)

Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

e)

Kích thước nhỏ hơn

26.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kì

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

3 diode

27.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao p yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất

a)

Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

b)

Giúp dây truyền sx trơn tru, k bị tác động bởi bên ngoài

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe ng lđ

28.

Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng

a)

Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm

b)

Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng

c)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa

d)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh

29.

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào cùng N của 1 tiếp giáp PN khiến

a)

Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

b)

DÒng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

c)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

d)

Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

30.

Slg diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 2 nửa CK dùng biến áp có điểm giữa

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

3 diode

31.

Gọi RD là nội trở một chiều của diode, UD và ID lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. RD đc tính bằng công thức

a)

RD=dUD/dID

b)

RD=UD/ID

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

RD=PD/ID

32.

Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất

a)

Kẽm

b)

Silic

c)

Chì

d)

Đồng

33.

Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây đúng

a)

Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện

b)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

34.

Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là

a)

Liên kết đẳng thế

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Liên kết đồng đều

d)

Liên kết cộng hóa trị

35.

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện

a)

Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tx vs nhau

b)

Có dòng điện ngoài chạy qua khỏi bán dẫn

c)

Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tx vs nhau

d)

Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

36.

Khi k có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào

a)

Các phương án đưa ra đều sai

b)

Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triết tiêu lẫn nhau

d)

Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên k có dòng điện khuếch tán

37.

Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 0 0K, phương án nào SAI

a)

Nung nóng khối bán dẫn

b)

Không cần làm j vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể

c)

Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn

d)

Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn

38.

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi

a)

Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

b)

Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

c)

Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng

d)

Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

39.

Khi một diode Si phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận bắt đầu vượt quá

a)

0,7V

b)

0,3V

c)

1,2V

d)

1,5V

40.

Dòng điện trôi là dòng

a)

Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

d)

Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

41.

Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode:

a)

Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức

b)

Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp

c)

Là dòng ngược bão hòa

d)

Bằng 0

e)

Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp

42.

Tác dụng của tụ điện mắc // với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu

a)

nắn điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều

b)

tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi

c)

Giảm độ gợn điện áp đầu ra

d)

Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó

43.

Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode là

a)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt

b)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt

c)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt

d)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ

44.

Trong mỗi lk cộng hóa trị, mỗi nguyên tử Si của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho lk chung

a)

2

b)

7

c)

8

d)

1

45.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)

46.

Diode có nội trở cao khi phân cực thuận

a)

Sai

b)

Đúng

47.

Trong diode, hạt dẫn đa số là

a)

Lỗ trống

b)

Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P

c)

Điện tử

d)

Điện tử bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N

e)

Tấ cả các phương án trên

48.

Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây (Trong BTHHH)

a)

Nhóm III

b)

Nhóm III pha với nhóm IV

c)

Nhóm V

d)

Nhóm IV

e)

Nhóm III pha với nhóm V

49.

Dòng trôi trong diode là dòng của

a)

Hạt dẫn thiểu số

b)

Hạt dẫn đa số

c)

Điện tử

d)

Lỗ trống

50.

Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn

a)

Điện tử nhiều hơn lỗ trống

b)

Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra

c)

Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau

d)

Lỗ trống nhiều hơn điện tử

51.

Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng

a)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

b)

Điện áp mở là 4,7V

c)

Các phương án đều sai

d)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

52.

Nếu Uz=3V thì giá trị điện áp đo trên diode zener là

a)

12V

b)

3V

c)

9V

d)

6V

53.

Một diode lý tưởng hoạt động giống như

a)

Một công tắc

b)

Một dây dẫn

c)

Một điện trở

d)

Một tụ điện

54.

Diode zener có đặc điểm quan trọng j khác vs diode thông thường

a)

CHo phép dòng điện thuận lớn hơn đi qua, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn

b)

Có vùng đánh thủng do điện (zener) rất dốc, phù hợp với ứng dụng ổn áp

c)

Có dòng ngược bão hòa lớn hơn

d)

Có điện áp mở lớn hơn

55.

Đặc tuyến vôn-ampe của một diode KHÔNG phụ thuộc vào:

a)

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

b)

Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc

c)

Nhiệt độ của diode

d)

Bức xạ ion hóa chiều của diode

56.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

Tất cả các diode dẫn thông

b)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

c)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

d)

Có 1 diode dẫn thông, các diode lại đều khóa

57.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của

4 lines
58.

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

4 lines
59.

Có 1 diode dẫn thông, các diode lại đều khóa

4 lines
60.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của

a)

Ion âm

b)

Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại

c)

Lỗ trống không di chuyển

d)

Điện tử hóa trị nhưng theo chiều ngược lại

61.

Ý nào dưới đây giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

b)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển tử pc thuận sang pc ngược

c)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

d)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

62.

Tại hai điểm trên đường đặc tuyến vôn-ampe của diode, ngta đo được nội trở một chiều lần lượt là 3.75 ohm (điểm 1) và 200 kohm (điểm 2). Nhận định nào sau đây là hợp lý nhất về vị trí của hai điểm trên đặc tuyến?

a)

Cả hai điểm đến đều ở nhánh phân cực thuận

b)

Điểm 1 ở gốc tọa độ, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

c)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

d)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở vùng đánh thủng

63.

Bán dẫn P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần

a)

Mức năng lượng của vùng hóa trị

b)

Mức năng lượng của tạp chất cho

c)

Mức năng lượng của tạp chất nhận

d)

Mức năng lượng của vùng dẫn

64.

Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu 2 nửa CK sử dụng biến áp có điểm giữa (1) với mạch chỉnh lưu cầu (2)

a)

Số lượng diode của (1) ít hơn của (2)

b)

Hao hụt điện áp đầu ra của (1) thấp hơn của (2)

c)

Điện áp ngược đăt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)

d)

Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp cho (2)

65.

Công thức nào dưới đây dùng để tính nội trở xoay chiều của diode

a)

rd = m x Ur/Is

b)

rd = UD/ID

c)

rd = dUD/dID

d)

Các phương án đưa ra đều sai

66.

Cho mạch điện gồm 1 nguồn điện cấp cho 1 diode mắc nối tiếp với 1 điện trở R. Gọi UN là điện áp của nguồn. UD là điện áp mở và rd là nội trở của diode. Sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào

a)

UD là đáng kể so với UN và rd là đáng kể so với R

b)

UD là đáng kể so với UN và rd là rất nhỏ so với R

c)

UD là rất nhỏ so với UN và rd là đáng kể so với R

d)

UD là rất nhỏ so với UN và rd là rất nhỏ so với R

67.

Diode bị phân cực ngược khi

a)

Dòng điện ngoài có xu hướng chạy cùng chiều với dòng khuếch đại

b)

Điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

c)

Điện trường ngoài đủ nhỏ, chiều điện trường là không quan trọng

d)

Từ trường ngoài ngược chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

68.

Điện thế nhiệt UT tại nhiệt độ 55 độC có giá trị xấp xỉ

a)

28.1mV

b)

25mV

c)

29.9mV

d)

26.1mV

69.

Bán dẫn loại P có đặc điểm j khác so với bán dẫn thuần

a)

Có 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 5 k tham gia vào lk cộng hóa trị nào

b)

Thiếu 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong 1 lk cộng hóa trị

c)

Không khác bán dẫn thuần

d)

Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn

70.

Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng

a)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

b)

Điện áp mở là 4,7V

c)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

d)

Các phương án đều sai

71.

Câu 83: Dòng trôi là dòng:

a)

Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

c)

Của cả 2 loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

d)

Các phương án đều sai

72.

Câu 1: Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp xúc PN

a)

Đúng

b)

Sai

73.

Câu 2: Tiếp xúc PN có sự tham gia của miền base và miền emitter được gọi là tiếp xúc Base-Emitter.

a)

Đúng

b)

Sai

74.

Câu 3: Trong BJT, hạt dẫn đa số trong miền emitter là hạt dẫn đa số trong miền base

a)

Đúng

b)

Sai

75.

Câu 4: Dòng điện emitter (IE) là tổng của dòng điện collector (IC) và dòng điện base (IB)

a)

Đúng

b)

Sai

76.

Câu 5: Hệ số khuếch đại dòng điện dc của 1 BJT có giá trị nhỏ hơn 20 đến 200 hoặc lớn hơn

a)

Đúng

b)

Sai

77.

Câu 6: Đường tải tĩnh hay đường tải một chiều là một đường thẳng biểu diễn sự phụ thuộc giữa điện áp và dòng điện của BJT trong vùng bão hòa.

a)

Đúng

b)

Sai

78.

Câu 7: Trong cùng một mạch điện, dòng điện collector là lớn nhất khi BJT bão hòa

a)

Đúng

b)

Sai

79.

Câu 8: Một BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βdc= βac= β.

a)

Đúng

b)

Sai

80.

Câu 9: Dòng điện base (IB) của BJT rất nhỏ so với dòng điện collector(IC) và dòng điện emitter(IE)

a)

Đúng

b)

Sai

81.

Câu 10: BJT làm việc ở chế độ cắt dòng khi tiếp xúc base-emitter phân cực thuận

a)

Đúng

b)

Sai

82.

Câu 11: Hệ số khuếch đại có giá trị bằng điện áp đầu ra chia cho dòng điện đầu vào

a)

Đúng

b)

Sai

83.

Câu 12: Thuật ngữ bipolar liên quan tới việc dùng cả lỗ trống và điện tử như là các hạt mang điện trong cấu trúc BJT

a)

Đúng

b)

Sai

84.

Câu 13: Chức năng chính của BJT là tạo dao động

a)

Đúng

b)

Sai

85.

Câu 1: Hệ số β của BJT là

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Hệ số truyền đại dòng điện base

c)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

d)

Hệ số khuếch đại công suất

86.

Câu 2: Có mấy phương pháp phân cực cho BJT

a)

2

b)

3

c)

4

d)

1

87.

Câu 3: Về mặt lý thuyết, nếu tăng UCE trong khi UBE của BJT được giữ nguyên thì

a)

Dòng điện base giảm nhẹ do tỉ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base giảm

b)

dòng điện base k đổi

c)

dòng điện base tăng nhẹ do tỷ lệ hạt dẫn tái hợp tại miền base tăng

d)

dòng điện base tăng tỷ lệ thuận với độ tăng của UCE

88.

Câu 4: Trong 1 BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là

a)

base và emitter

b)

base và collector

c)

emitter và collector

d)

base

89.

Câu 5: Thông thường, đặc điểm miền emitter của 1 BJT là

a)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

c)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất ít nhất

90.

Câu 6: Đặc điểm miền base của một BJT thông thường là

a)

Có kích thước lớn nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

b)

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

c)

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhẹ nhất

d)

Mỏng nhất và được pha tạp chất mạnh nhất

91.

Câu 7: Đặc điểm miền collector của 1 BJT thông thường là

a)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất mạnh nhất

b)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất ít nhất

c)

Có kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình

d)

Có kích thước trung bình, được pha tạp chất mạnh nhất

92.

Dòng điện emitter của 1 BJT được tạo ra do

a)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C

b)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần nhỏ chuyển sang C

c)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

d)

Tiếp xúc emitter-base của nó phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

93.

Khi đang hoạt động, dòng điện base của BJT được tạo ra do

a)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E

b)

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

c)

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

d)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E

94.

Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do

a)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C

b)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

c)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang miền B

d)

Tiếp xúc collector-base của nó phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B

95.

Thông thường, điện áp giữa cực base và emitter của BJT khi tiếp giáp này được phân cực thuận có giá trị xấp xỉ

a)

0.3V

b)

0.7V

c)

0.3V hoặc 0.7V tùy thuộc vào vật liệu bán dẫn là Ge hay Si

d)

0.3V và 0.7V

96.

Khi tiếp xúc emitter-base của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này sẽ

a)

Tăng lên

b)

Giảm đi

c)

Không đổi

d)

Ban đầu không đổi sau đó tăng lên

97.

Để một BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải

a)

Cao hơn cực emitter

b)

Thấp hơn cực emitter

c)

Cao hơn cực collector

d)

Thấp hơn cực emitter và cao hơn cực collector

98.

Để một BJT loại PNP làm việc ở chế độ khuếch đại, điện thế của cực base phải

a)

Cao hơn cực emitter

b)

Thấp hơn cực emitter

c)

Thấp hơn cực collector

d)

Cao hơn cực emitter và thấp hơn cực collector

99.

Thông tin nào sau đây thể hiện BJT loại NPN làm việc ở chế độ khuếch đại

a)

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và nhỏ hơn điện áp ở cực B

b)

Điện áp ở cực E lớn hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B

c)

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và điện áp ở cực B

d)

Điện áp ở cực E nhỏ hơn điện áp ở cực C và lớn hơn điện áp ở cực B

100.

Đối với BJT loại NPN, thông tin nào sau đây thể hiện nó làm việc ở chế độ khuếch đại

a)

Điện áp ở cực C lớn hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E

b)

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và nhỏ hơn điện áp ở cực E

c)

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và lớn hơn điện áp ở cực E

d)

Điện áp ở cực C nhỏ hơn điện áp ở cực B và điện áp ở cực E

101.

Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực emitter luôn

a)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base

b)

Nhỏ hơn giá trị dòng điện ở cực collector

c)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở collector

d)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và lớn giá trị dòng điện ở collector

102.

Khi một BJT đang hoạt động trong vùng khuếch đại, giá trị của dòng điện ở cực collector luôn

a)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base

b)

Bằng giá trị dòng điện ở cực emitter

c)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực base và nhỏ hơn giá trị dòng điện ở emitter

d)

Lớn hơn giá trị dòng điện ở cực emitter

103.

Trong một BJT, hệ số α được định nghĩa là

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

c)

Hệ số khuếch đại công suất

d)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện base

104.

Điện áp trên tiếp xúc BE của BJT loại SI khi phân cực thuận là

a)

0V

b)

0.7V

c)

0.3V

d)

VBB

105.

Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng

a)

0.05

b)

20

c)

0.95

d)

1.05

106.

Hệ số β của BJT là

a)

Hệ số khuếch đại dòng điện

b)

Tỉ số của dòng điện collector với dòng điện emitter

c)

Hệ số khuếch đại công suất

d)

Hệ số truyền đại dòng điện base

107.

Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, điện áp giữa cực C và cực E thường

a)

Nằm trong khoảng từ 0.3V đến điện áp của nguồn cung cấp

b)

Nhỏ và không quá 0.3V

c)

Bằng điện áp giữa cực B và cực E

d)

Xấp xỉ điện áp của nguồn cung cấp

108.

Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào duwois đâu

a)

B chung (CB)

b)

C chung (CC)

c)

C chung (CC) và B chung (CB)

d)

Các phương án đưa ra đều sai

109.

BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân cực theo cách nào trong số sau đây

a)

Phân cực base

b)

Phân cực emitter

c)

Phân cực bằng phân áp

d)

Phân cực bằng hồi tiếp collector

110.

Với một BJT tín hiệu nhỏ (small signal BJT), các điện trở rE, rB, rC trong mô hình tương đương re thường có giá trị sắp xếp theo thứ tự tăng dần từ trái sang phải

a)

rE, rB, rC

b)

rB, rE, rC

c)

rC, rB, rC

d)

rE,

111.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểm

a)

Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp trung bình

b)

Có độ dày trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất

c)

Có kích thước lớn nhất và nồng độ pha tạp nhỏ nhất

d)

Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

112.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm

a)

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất

b)

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

c)

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

d)

Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất

113.

Trong 1 BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền collector có đặc điểm

a)

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất

b)

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất

c)

Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp trung bình

d)

Có kích thước trung bình và có nồng độ pha tạp lớn nhất

114.

Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do

a)

Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần lớn chuyển sang C

b)

Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền C rồi phần nhỏ chuyển sang B

c)

Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

d)

Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C

115.

Dòng điện base của BJT được tạo ra do

a)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E

b)

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, tất cả hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

c)

Các hạt dẫn đa số từ E khuếch tán sang miền B, một lượng nhỏ các hạt dẫn này tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền B

d)

Số lượng lớn các hạt dẫn đa số từ miền B khuếch tán sang miền E và tái hợp với các hạt dẫn đa số tại miền E

116.

Dòng điện collector của 1 BJT được tạo ra do

a)

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền B bị hút sang miền C

b)

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền B bị hút sang miền C

c)

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn thiểu số từ miền C khuếch tán sang B

d)

Tiếp xúc CB phân cực ngược và các hạt dẫn đa số từ miền C khuếch tán sang miền B

117.

Tham số nào liên quan đến việc tính hệ số ổn định của BJT khi đang hoạt động

a)

α

b)

IB

c)

UBE

d)

UCE

118.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm, tham số bị thay đổi

a)

β

b)

UBE

c)

IC

d)

cả β, UBE và IC

119.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây giảm đi

a)

β

b)

UBE

c)

IC

d)

β và IC

120.

Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng lên, tham số nào sau đây tăng lên

a)

IC

b)

UBE

c)

IB

d)

UBE và IB

121.

Đối với một BJT làm việc ở chế độ khuếch đại, điều kiện cần để điểm làm việc tĩnh (một chiều) của nó nằm ở giữa đường tải tĩnh (một chiều) là

a)

Giá trị một chiều UCE đạt cực đại và IC=IC(max)/2

b)

Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Giá trị một chiều UCE bằng một nửa giá trị điện áp nguồn cung cấp và IC=IC(max)/2

122.

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc theo mô hình C chung có đặc điểm

a)

Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1 và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ β

b)

Hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ β và hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ 1

c)

Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn 1 và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn β

d)

Hệ số khuếch đại điện áp lớn hơn β và hệ số khuếch đại dòng điện lớn hơn 1

123.

Một BJT đang làm việc ở chế độ khuếch đại và được phân cực theo kiểu hồi tiếp emitter bởi các điện trở RB, RC và RE nối tới các cực tương ứng. Một trong những giải pháp để tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh (một chiều) là

a)

Giảm giá trị điện trở RE

b)

Tăng giá trị điện trở RE

c)

Mắc nối tiếp với RE một tụ điện

d)

Mắc song song với RE một tụ điện