Worksheets5 CVD и эпитаксия
Total questions: 10
Worksheet time: 15mins
Какой газ обычно используется в качестве газ-носителя в процессе CVD?
О2
H2
CO2
Ar
Какой фактор определяет скорость процесса CVD?
Температура подложки
Скорость откачки
Концентрация реагентов
Скорость наиболее медленной стадии
Какой из следующих факторов не является требованием к идеальному предшественнику для CVD?
Летучесть
Токсичность
Чистота
Термическая стабильность
Какой метод CVD использует лазерное излучение для нагрева подложки?
Фотостимулированное CVD
Металлорганическое CVD
Гибридное CVD
Атомно-слоевое CVD
Какое давление в рабочей камере CVD считается низким?
1-5 Торр
0,25-2,0 Торр
10-20 Торр
20-50 Торр
Какой из следующих методов CVD использует аэрозоль для транспортировки прекурсоров?
AACVD
DLICVD
MOCVD
HWCVD
Какой процесс характеризуется ориентированным наращиванием монокристаллических слоев?
Эпитаксия
Сублимация
Кристаллизация
Дифузия
Какой режим роста реализуется при условии σsubstrate < γinterface + σfilm?
Странски-Крастанов рост
Островковый рост
Гомоэпитаксиальный рост
Послойный рост
Какой метод используется для получения эпитаксиального кремния?
Жидкофазная эпитаксия
Газофазная эпитаксия
Разложение силана
Твердофазная эпитаксия
Какой из следующих факторов не влияет на скорость роста пленки в процессе CVD?
Скорость откачки
Материал подложки
Концентрация паров
Температура подложки
