Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Test 2

Total questions: 50

Worksheet time: 13hrs 30mins

Name
Class
Date
1.

Ақиқаттылық кестесінде үш кіретін функциялар кезінде сәйкестендірулер саны қанша?

a)

8

b)

2

c)

4

d)

16

e)

32

2.

Дешифратордың негізгі функциясы қандай?

a)

Әр кіретін ауыспалы комбинацияға бірегей шығыс дабылын қалыптастыру.

b)

Шығатын сигналдарды көбейту.

c)

Сандық сигналдарды аналогқа айналдыру.

d)

Сигналдарды қысу.

e)

Кіріс сигналдарын көбейту.

3.

Дешифратордың қанша кірісі бар?

a)

4

b)

2

c)

3

d)

5

e)

6

4.

Мультиплексордың қызметі қандай?

a)

Бірнеше ақпарат көздерінен бір шығатын арнаға мәліметтердің берілуін басқару.

b)

Сандық сигналдарды аналогқа айналдыру.

c)

Аналог сигналдарын сандыққа айналдыру.

d)

Кіріс сигналдарын қысу.

e)

Шығатын сигналдарды көбейту.

5.

Мультиплексордың қанша кіріс тобы болады?

a)

Екі

b)

Бір

c)

Үш

d)

Төрт

e)

Бес

6.

Сумматор қандай құрылғы?

a)

Еселенген кодта берілген екі санды қосуға арналған құрылғы.

b)

Бір ғана сигналды шығаруға арналған құрылғы.

c)

Кіріс сигналдарын қысу құрылғысы.

d)

Сандық сигналдарды аналогқа айналдыру құрылғысы.

e)

Екі сигналды ажыратуға арналған құрылғы.

7.

Бірразрядты сумматор неше комбинациялық сызбадан тұрады?

a)

Екі

b)

Бір

c)

Үш

d)

Төрт

e)

Бес

8.

Компараторлар не үшін қолданылады?

a)

Еселенген кодта жазылған екі дабылды салыстыруға.

b)

Шығыс сигналдарды көбейту үшін.

c)

Кіріс сигналдарды қысу үшін.

d)

Аналог сигналдарды сандыққа айналдыру үшін.

e)

Сигналдарды уақыт бойын

9.

Компаратордың F шығатын дабылы қашан 1 болады?

a)

A1= B1, A2= B2, A3= B3 кезінде.

b)

Барлық кіріс сигналдары 0 кезінде.

c)

Барлық кіріс сигналдары 1 кезінде.

d)

Тек A1 мен B1 тең болғанда.

e)

Тек бір кіріс сигналы болғанда.

10.

Тұрақты жадтау құрылғысының кірісінде не орнатылған?

a)

Дешифратор

b)

Сумматор

c)

Компаратор

d)

Мультиплексор

e)

Сигнал күшейткіш

11.

Төмен өлшемді құрылым деп қандай құрылымды атайды?

a)

Кем дегенде бір өлшемі нөлге тең немесе жақын

b)

Үш өлшемді құрылым

c)

Тек екі өлшемді құрылым

d)

Тек нөлмерлі құрылым

e)

Барлық өлшемдері бірдей құрылым

12.

Кванттық шұңқыр дегеніміз не?

a)

Заряд тасымалдаушылардың екі өлшемді қозғалысы

b)

Үш өлшемді құрылым

c)

Нөлмерлі нысан

d)

Екі нанометрлік өлшемдегі құрылым

e)

Толығымен бос кеңістік

13.

Төмен өлшемді құрылымның энергетикалық спектрі қалай өзгереді?

a)

Дискретті болады

b)

Үздіксіз болады

c)

Спектр өзгермейді

d)

Спектр тек үш өлшемде өзгереді

e)

Спектр толығымен жойылады

14.

Кванттық жіп қандай өлшемдерге ие?

a)

Бір немесе екі нанометрлік өлшемдер

b)

Тек екі өлшем

c)

Нөлмерлі өлшем

d)

Үш өлшем

e)

Бір өлшемі 100 нм

15.

Кванттық нүкте қандай құрылым болып табылады?

a)

Нөлмерлі нысан

b)

Екі өлшемді құрылым

c)

Бір өлшемді құрылым

d)

Үш өлшемді құрылым

e)

Тек көлемдік құрылым

16.

Электрондардың баллистикалық тасымалдауы қай жағдайда орын алады?

a)

Шашырау болмаған кезде

b)

Жоғары температурада

c)

Тек металл құрылымдарда

d)

Тек үш өлшемде

e)

Электрондар тек диффузиялық қозғалғанда

17.

Бос жүрістің орташа ұзындығы қай жағдайда анықталады?

a)

Шашырау процесінде

b)

Электрондардың энергиясы жоғары болғанда

c)

Нөлмерлі құрылымда

d)

Тек металл материалдарда

e)

Құрылымның өлшемі шексіз болғанда

18.

Баллистикалық өткізгіштік немен сипатталады?

a)

Әмбебап баллистикалық өткізгіштікпен

b)

Тек диффузиялық қозғалыспен

c)

Электрондардың шашырауымен

d)

Қозғалыстың толық тоқтауымен

e)

Тек жартылай өткізгіштермен

19.

Металдарда электрондардың бос жүрісінің орташа ұзындығы қанша?

a)

10 нм-ден аспайды

b)

100 нм

c)

1 микрометр

d)

Шексіз үлкен

e)

50 нм

20.

Туннель әсері қай жағдайда байқалады?

a)

Әлеуетті кедергі бөлшектердің толық қуатынан көп болғанда

b)

Электрондар толығымен еркін қозғалғанда

c)

Барлық өлшемдер бірдей болғанда

d)

Жоғары температурада

e)

Шашырау болмаған кезде

21.

Туннель әсерінің ықтималдығы немен азаяды?

a)

Бөлшектер массасының, әлеуетті кедергі енінің, энергияның "тапшылығының" ұлғаюымен

b)

Кедергінің ені азайғанда

c)

Электрондардың жылдамдығы жоғарылағанда

d)

Тек металл құрылымдарда болғанда

e)

Электрондардың шашырауы азайғанда

22.

Кедергі квантын не сипаттайды?

a)

Электр тогының кедергісінің ең төменгі тұрақты мәні

b)

Ток пен кернеу арасындағы сызықтық тәуелділік

c)

Электрондардың толқындық қасиеті

d)

Жартылай өткізгіштің өткізгіштік деңгейі

e)

Тізбектегі токтың тұрақты мәні

23.

Қазіргі заманғы наноэлектрониканың негізін құрайтын базалық кремний құрылымы қандай?

a)

Кремний МДП-құрылымы

b)

Кремний ЛЖП-құрылымы

c)

Кремний ГТП-құрылымы

d)

Кремний ЭМҚ-құрылымы

e)

Кремний ТНП-құрылымы

24.

FinFET-транзисторында ток дененің қай жазықтығына параллель өтеді?

a)

Дененің жазықтығына

b)

Бүйірлік бетіне

c)

Жоғарғы бетіне

d)

Астыңғы бетіне

e)

Көлденең жазықтыққа

25.

TeraHertz транзисторларының ерекшелігі қандай?

a)

Жылдамдығы жоғары және сәулеленуге төзімді

b)

Тұтыну қуаты жоғары

c)

Артық кедергіге ие

d)

Арнаның өткізгіштігі төмен

e)

Қалың қабатты оксид қолданылады

26.

Гетеротранзисторларда заряд тасығыштардың қозғалысын шектеу үшін не пайдаланылады?

a)

Аймақтар жарықтары

b)

Металл қабаты

c)

Оқшаулағыш қабат

d)

Сұйық кристалл

e)

Өткізгіш элементтер

27.

FinFET-транзисторда қандай құрылым жылу шығындарын азайтуға мүмкіндік береді?

a)

Үшөлшемді құрылым

b)

Жұқа негізді құрылым

c)

Параллель өткізгіш құрылым

d)

Тік орналасқан құрылым

e)

Қалың оксидті құрылым

28.

Гетеротранзисторлардың қай түрі жоғары жиілікті және күшейткіш қасиеттерге ие?

a)

AlGaN/GaN негізіндегі гетеротранзисторлар

b)

Si/SiGe негізіндегі гетеротранзисторлар

c)

TeraHertz гетеротранзисторлары

d)

Көпарналы транзисторлар

e)

Кванттық нүктелер транзисторлары

29.

MODFET-транзисторлары қандай құрылымның негізінде құрастырылады?

a)

Si/SiGe

b)

GaN/GaAs

c)

InGaP/InAs

d)

AlGaAs/InP

e)

TeraHertz/SiGe

30.

Кванттық нүктелердегі транзисторларда көлікте қатысатын электрондар қай өрістерде шоғырланады?

a)

Күшті электр өрістерінде

b)

Әлсіз магниттік өрістерде

c)

Нейтрал өрістерде

d)

Әлсіз электр өрістерінде

e)

Жоғарғы жиілікті өрістерде

31.

КНИ-транзисторлардың жұқа негізі қандай жағдайды азайтуға мүмкіндік береді?

a)

Электрлік өріс инверсиясын

b)

Сәулеленуге төзімділікті

c)

Құрылымның жылдамдығын

d)

Құрылымның өткізгіштігін

e)

Энергияны тұтынуды

32.

Гетеротранзистордың шекті кернеуі неге байланысты?

a)

Арна қалыңдығына

b)

Оксида қалыңдығына

c)

Өткізгіштігіне

d)

Ауа тығыздығына

e)

Энергия деңгейіне

33.

MESFET-транзисторларында арна қалыңдығы шамамен қанша болады?

a)

0,13 мкм

b)

0,3 мкм

c)

0,5 мкм

d)

1 мкм

e)

1,5 мкм

34.

MODFET-транзисторлардың арнасындағы тасымалдаушылардың қозғалысы қандай мәнге дейін жетеді?

a)

1300-2800 см2/(В×с)

b)

2000-4000 см2/(В×с)

c)

1500-3000 см2/(В×с)

d)

1000-2000 см2/(В×с)

e)

1200-2400 см2/(В×с)

35.

Жартылай өткізгіш лазерлердегі алғашқы маңызды жетістіктерді кімдер ұсынған?

a)

Ж. И. Алферов пен Г. Кремер

b)

Р. Цу мен Л. Эсаки

c)

С. Накамура мен Л. Эсаки

d)

Э. Кремер мен Ж. И. Алферов

e)

Г. Кремер мен А. Смит

36.

GaAs/AlGaAs негізіндегі гетероқұрылымды қолданудың басты мақсаты қандай болды?

a)

Лазерлік генерацияны үздіксіз режимде іске асыру

b)

Кванттық шұңқырлар жасау

c)

Жарықтың түсін реттеу

d)

Кристалды түзету

e)

Ток тығыздығын арттыру

37.

Тарқозонды қабаттағы сәуле шығару рекомбинациясының ықтималдығы нені анықтайды?

a)

Ішкі кванттық шығуды

b)

Омдық байланысты

c)

Электронды-инжекция тығыздығын

d)

Ток өткізу қуатын

e)

Жылу өткізгіштігін

38.

Шекті токтардың азаюы жартылай өткізгіш лазерлерге қандай әсер береді?

a)

Құрылғылардың ұзақ өмір сүруін қамтамасыз етеді

b)

Жұмыс тиімділігін төмендетеді

c)

Жарықтың интенсивтілігін арттырады

d)

Қыздыруды арттырады

e)

Қуаттың азаюына алып келеді

39.

Гетероқұрылымдарда сәуле шығару рекомбинациясы қай белсенді салада болады?

a)

Тарзонды қабатта

b)

Эпитаксиялы қабатта

c)

Жарық диодты қабатта

d)

Шеткі аймақта

e)

Тасымалдаушы аймақта

40.

Жарық диодындағы pn өтудің негізгі қызметі қандай?

a)

Жарық шығару

b)

Ток өткізгіштік

c)

Токтың таралуын азайту

d)

Жылуды азайту

e)

Инжекциялық қуатты арттыру

41.

Сыртқы кванттық шығуды анықтайтын маңызды факторлардың бірі қандай?

a)

Жарықтың сыртқы ортаға шығарылу коэффициенті

b)

Электронды-дырғыш шоғырының азаюы

c)

Шығару қабатының қалыңдығы

d)

Жарықтың кристалда болуы

e)

Жылу өткізгіштігі

42.

Сәуле шығару рекомбинациясы қай жағдайларда жүзеге асады?

a)

Электрондар мен тесіктер ең аз энергиялы деңгейлерге жеткенде

b)

Жарық көзі қосылғанда

c)

Жарық диоды сөнгенде

d)

Жылу таралғанда

e)

Тасымалдау қабаты жоғарлағанда

43.

Рекомбинация саласында қоспалар қолданудан бас тартудың себебі қандай?

a)

Қоспалар рекомбинация орталығын жасайды

b)

Қоспалар жарық ағынын төмендетеді

c)

Қоспалар ток тығыздығын арттырады

d)

Қоспалар құрылымды әлсіздендіреді

e)

Қоспалар энергияны азайтады

44.

Сәулелену түсін реттеу үшін қолданылатын параметр қандай?

a)

Кванттық шұңқыр қалыңдығы

b)

Жарық өткізгіштік қабаты

c)

Тасымалдаушы қабаты

d)

Электрондық тасымалдау қабаты

e)

Инжекциялық ток

45.

Көп қабатты кванттық шұңқырлы светодиодта қосымша қабат қай элементтен жасалады?

a)

ALN

b)

GaAs

c)

SiN

d)

AlAs

e)

InN

46.

Светодиод құрылымында линзаның негізгі қызметі қандай?

a)

Жарық ағынын фокустау

b)

Ток тарату

c)

Ток тығыздығын төмендету

d)

Қыздыруды реттеу

e)

Тасымалдауды арттыру

47.

Бір электрлік аспаптарды дамыту қандай құбылысқа негізделген?

a)

Бір электронның ауысуын бақылау

b)

Жоғары температуралық тұрақтылық

c)

Электрондар қозғалысының диффузиясы

d)

Молекулалық вибрациялардың синхронизациясы

e)

Электр өрісінің тұрақтылығы

48.

Бір электрлік туннелдеу теориясын кім ұсынды?

a)

К. Лихарев

b)

И. Зворкин

c)

А. Ржанова

d)

Д. Аверин

e)

А. В. Сахаров

49.

Бір электрлік аспаптарда электронның ауысуы қандай процесс арқылы жүзеге асырылады?

a)

Туннелдеу

b)

Диффузия

c)

Электрондық флуктуация

d)

Инверсия

e)

Потенциалдық тосқауыл

50.

Кулон блокадасы нені негіздейді?

a)

Электрондардың нүктеден ұшып шығуына тосқауыл қою

b)

Электрондардың үнемі қозғалуына мүмкіндік беру

c)

Жартылай өткізгіштердің ток өткізу қабілетін арттыру

d)

Молекулалардың байланысын нығайту

e)

Жоғары кернеу туындату