wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Rad1

Total questions: 100

Worksheet time: 51mins

Name
Class
Date
1.

Դիէլեկտրիկ նյութը ունի՝

a)

մեծ էլեկտրահաղորդականություն

b)

փոքր էլեկտրահաղորդականություն

c)

զրոի հավասար էլեկտրահաղորդականություն

2.

Դիէլեկտրիկի նյութի հոմանիշն է`

a)

մեկուսիչ

b)

կրիոհաղորդիչ

c)

մագինսադիէլեկտրիկ

3.

Էլեկտրական դաշտում դիէլեկտրիկի կարևորագույն հատկությունն է`

a)

լյումինիսցենցիան

b)

մագնիսացումը

c)

բևեռացումը

4.

Դիէլեկտրիկում բևեռացման պրոցեսը բնութագրվում է (նշել սխալ պատասխանը)

a)

հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիությանմբ

b)

բացառձակ դիէլեկտրիկական թափանցելիությանմբ

c)

էլեկտրական հաստատունով

5.

Դիէլեկտրիկում բևեռացման պրոցեսը բնութագրվում է

a)

դիմադրությամբ

b)

մագնիսական թափանցելիությամբ

c)

հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիությամբ

6.

Դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը նշանակվում է

a)

ε (էպսիլոն)

b)

ρ (ռո)

c)

μ (մյու)

7.

Հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը նշանակվում է

a)

ε (էպսիլոն)

b)

ε0 (էպսիլոն զրո)

c)

ε' (էպսիլոն շտրիխ)

8.

Ո՞ր դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը չունի չափողականություն

a)

հարաբերականը

b)

բացառձակը

c)

էլեկտրական հաստատունը

9.

Ոչ ակտիվ դիէլեկտրիկում բևեռացման պատճառն է

a)

ջերմաստիճանը

b)

մեխանիկական դաշտը

c)

էլեկտրական դաշտը

10.

Ակտիվ դիէլեկտրիկներում բևեռացման պատճառն է (նշել սխալ պատասխանը)

a)

մագնիսական դաշտը

b)

ջերմաստիճանը

c)

մեխանիկական դաշտը

11.

Քանի՞ խմբի են բաժանվում դիէլեկտրիկները ըստ բևեռացման տեսակների

a)

երկու

b)

երեք

c)

չորս

12.

Ո՞ր դեպքում են համնկնում դիպոլի դրական և բացասական լիցքերի արդյունարար կենտրոնները

a)

ոչ բևեռային դիէլեկտրիկների մոտ

b)

բևեռային դիէլեկտրիկների մոտ

c)

բոլոր տիպի դիէլեկտրիկների մոտ

13.

Ո՞ր դեպքում չեն համնկնում դիպոլի դրական և բացասական լիցքերի արդյունարար կենտրոնները

a)

ոչ բևեռային դիէլեկտրիկի մոտ

b)

բևեռային դիէլեկտրիկի մոտ

c)

բոլոր տիպի դիէլեկտրիկների մոտ

14.

Դիէլեկտրիկը էլեկտրական դաշտում դիտարկվում է որպես՝

a)

ակտիվ դիմադրություն

b)

ունակություն

c)

ինդուկտիվություն

15.

Հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը բոլոր հավասար պայմանների դեպքում ցույց է տալիս

a)

քանի անգամ է փոքրանում կոնդենսատորի ունակությունը համեմատ այն ունակությաններին, երբ շրջադիրների միջև վակուում է

b)

քանի անգամ է մեծանում կոնդենսատորի ունակությունը համեմատ այն ունակությունների, երբ շրջադիրների միջև վակուում է

c)

քանի անգամ է փոքրանում կուտակված լիցքերի քանակը կոնդենսատորի շրջադիրների վրա համեմատ այն լիցքերի քանակի հետ, երբ շրջադիրների միջև վակուում է

16.

Նյութի ε0 էլեկտրական հաստատունը հավասար է`

a)

8,854*10-10 Ֆ/մ

b)

8,854*10-11 Ֆ/մ

c)

8,854*10-12 Ֆ/մ

17.

Դիէլեկտրիկով կոնդենսատորում լարում կիրառելուց հետո կուտակվում են Q= Qo + Qդ լիցքեր: Որ լիցքն է բնութագրում վակուումային կոնդենսատորի լիցքը`

a)

Q

b)

Qo

c)

Qդ

18.

Ոչ բևեռային դիէլեկտրիկների հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիութան սահմանն է՝

a)

ε = 2 - 2,5

b)

ε = 2,5 - 3,5

c)

ε = 3,5 - 5,5

19.

Բևեռային դիէլեկտրիկների հարաբերական դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը հավասար է՝

a)

ε = 2 - 2,5

b)

ε = 2,5 - 3,5

c)

ε > 3

20.

Դիէլեկտրիկով կոնդենսատորին լարում կիրառելուց հետո կուտակվում են Q= Qo + Qդ լիցքեր: Ո՞ր լիցքերն են պայանավորված բևեռացումով

a)

Qo

b)

Qդ

c)

բոլոր լիցքերը

21.

Կայունացող դանդաղ ընթացող բևեռացումն է

a)

իոնայինը

b)

ռելաքսայինը

c)

էլեկտրոնայինը

22.

. Ըստ արագության դիէլեկտրիկում դիտվում են բեևռացման `

a)

մեկ տեսակ

b)

երկու տեսակ

c)

երեք տեսակ

23.

Ակնթարթային բևեռացումն է`

a)

տարաշարժային (միգրացիոն)

b)

էլեկտրոնային

c)

իոնառելաքսային

24.

Դանդաղ բևեռացումն է՝ (նշել սխալ պատասխանը)

a)

տարաշարժային (միգրացիոն)

b)

իոնային

c)

ինքնակամ

25.

Էլեկտրոնային բևեռացումը դիտվում է միայն`

a)

ոչբևեռային դիէլեկտրիկներում

b)

բևեռային դիէլեկտրիկներում

c)

բևեռային և ոչբևեռային դիէլեկտրիկներում

26.

Դիէլեկտրիկի ակնթարթային բևեռացումը կատարվում է`

a)

առանց դիէլեկտրիկական կորուստների

b)

դիէլեկտրիկական կորուստներով

c)

կապ չունի դիէլեկտրիկական կորուստների հետ

27.

Դիէլեկտրիկի դանդաղ բևեռացումը կատարվում է`

a)

առանց դիէլեկտրիկական կորուստների

b)

զգալի դիէլեկտրիկական կորուստներով

c)

նվազագույն դիէլեկտրիկական կորուստներով

28.

Էլեկտրոնային բևեռացման ժամանակ կորուստները

a)

մեծ են

b)

փոքր են

c)

բացակայում են

29.

Էլեկտրոնային բևեռացման հաստատման ժամանակը

a)

10-12 - 10-13 վրկ

b)

10-14 - 10-15 վրկ

c)

10-6 - 10-10 վրկ

30.

Թափանցիկ ոչբևեռային դիէլեկտրիկների համարե դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը քառակուսային կապով առընչվում է

a)

խտության հետ

b)

մածուցիկության հետ

c)

բեկման գործակցի հետ

31.

Էլեկտրոնային բևեռացումով պայմանավորված դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը (ε) ջերմաստիճանի բարձրացման հետ

a)

մեծանում է գծային օրենքով

b)

փոքրանում է

c)

անփոփոխ է

32.

Իոնային բևեռացումը կապված իոնների համար կատարվում է

a)

իոնային կառուցվածք ունեցող ամորֆ նյութերի մոտ

b)

իոնային կառուցվածք ունեցող կարծր նյութերի մոտ

c)

իոնային կառուցվածք ունեցող հեղուկ նյութերի մոտ

33.

Դիպոլառելաքսային բևեռացման հաստատման ժամանակը հավասար է`

a)

10-12 - 10-13 վրկ

b)

10-14 - 10-15 վրկ

c)

10-6 - 10-10 վրկ

34.

Դիպոլառելաքսային բևեռացումը բնորոշ է`

a)

ոչբևեռային դիէլեկտրիկներին

b)

բևեռային դիէլեկտրիկներին

c)

արագ բևեռացում ունեցող դիէլեկտրիկներին

35.

Բևեռային դիէլեկտրիկում ε դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը կախված ջերմաստիճանից ունի`

a)

մինիմում

b)

մաքսիմում

c)

հաստատուն է

36.

Ռելաքսացման ժամանակը τO –ն, դա այն դեպքն է երբ`

a)

բևեռացված դիպոլների քանակը հաճախությունը մեծացնելուց հետո նվազում է 2.73 անգամ

b)

բևեռացված դիպոլների քանակը դաշտը հանելուց հետո նվազում է 2.73 անգամ

c)

բևեռացված դիպոլների քանակը ջերմաստիճանը իջեցնելուց հետո նվազում է 2.73 անգամ

37.

Իոնառելաքսային բևեռացումը էլեկտրական դաշտը հանելուց հետո`

a)

արագ նվազում է գծային օրենքով

b)

նվազում է էքսպոնենտի տեսքով

c)

չի նվազում

38.

Իոնառելաքսային բևեռացման ինտենսիվությունը (ուժգնությունը) ջերմաստիճանի բառձրացման դեպքում

a)

փոքրանում է

b)

մեծանում է

c)

հաստատուն է

39.

Էլեկտրոնառելաքսային բևեռացումը դա, էլեկտրական դաշտի ազդեցության ներքո

a)

էլեկտրոնների արաձգական շեղումն է

b)

հավելյալ էլեկտրանների և խոռոչների շարժումն է

c)

. էլեկտրոնների անցումն է հարևան ուղեծիր

40.

Էլեկտրոնառելաքսային բևեռացումը հաճախականության մեծացման դեպքում

a)

աճում է

b)

նվազում է

c)

հաստատուն է

41.

Անհամասեռ պինդ դիէլեկտրիկներում կատարվող լրացուցիչ բևեռացումը կոչվում է` (նշել սխալ պատասխանը)

a)

միգրացիոն

b)

միջշերտային

c)

ինքնակամ

42.

Տարաշարժային (միգրացիոն) բևեռացումը կատարվում է`

a)

փոփոխական լարման բարձր հաճախությունների դեպքում

b)

փոփոխական լարման միջին հաճախությունների դեպքում

c)

հաստատուն լարման դեպքում, կամ փոքր հաճախությունների դեպքում

43.

Ինքնակամ բևեռացումը կատարվում է`

a)

բյուրեղային կառուցվածք ունեցող նյութերում

b)

բյուրեղային կառուցվածք և դոմեններ ունեցող նյութերում

c)

ամորֆ նյութերում

44.

Ինքնակամ բևեռացման հոմանիշն է`

a)

տարաշարժային բևեռացում

b)

սպոնտան բևեռացում

c)

միջշերտային բևեռացում

45.

Դոմենների գումարային էլեկտրական մոմենտը

a)

ուղղված է դաշտի ուղղությամբ և հավասար չէ 0

b)

. հակառակ է դաշտի ուղղությանը և հավասար չէ 0

c)

հավասար է 0

46.

Ինքնակամ բևեռացման դեպքում ջերմաստիճանը որից հետո նյութը կորցնում է իր հատկությունները կոչվում է`

a)

Ֆարադեյի կետ

b)

.Կյուրիի կետ

c)

Մաքսվելի կետ

47.

Դիէլեկտրիկական թափանցելիության ջերմաստիճանային գործակիցը` TKε -ը ցույց է տալիս ε-ի հարաբերական փոփոխությունը երբ ջերմաստիճանը աճում է 1 աստիճան

a)

Ցելսիուսով (ОC)

b)

Ֆարենհայտով (ОF)

c)

Կելվինով (K)

48.

Դիէլեկտրիկական թափանցելիության ջերմաստիճանային գործակիցը ցույց է տալիս

a)

ε -ի հարաբերական փոփոխությունը երբ ջերմաստիճանը բարձրացնում ենք 10 աստիճանով

b)

ε -ի հարաբերական փոփոխությունը երբ ջերմաստիճանը բարձրացնում ենք 1 աստիճանով

c)

ε-ի հարաբերական փոփոխությունը երբ ջերմաստիճանը բարձրացնում ենք 5 աստիճանով

49.

Դիէլեկտրիկական թափանցելիության ջերմաստիճանային գործակիցը TKε -ը բացասական է երբ`

a)

ε –ի ջերմաստիճանային գործակիցը բացասական չի կարող լինել

b)

ջերմաստիճանի բարձրացման դեպքում ε-ը նվազում է

c)

ջերմաստիճանի բարձրացման դեպքում ε-ը աճում է

50.

Դիէլեկտրիկական թափանցելիության ճնշման գործակիցը ДKε -ը ցույց է տալիս ε-ի հարաբերական փոփոխությունը երբ ճնշումը փոխվում 1 միավոր

a)

մմ. սնդիկի սյան

b)

Պասկալ

c)

Բառ

51.

Ճնշման աճի հետ դիէլեկտրիկական թափանցելիության ճնշման գործակից ДKε-ը

a)

. փոքրանում է

b)

մեծանում է

c)

կախված չէ ճնշումից

52.

Ոչբևեռային հեղուկ դիէլեկտրիկների դիէլեկտրիկական թափանցելիության՝ ε-ի կախումը ջերմաստիճանից

a)

b)

c)

53.

Ոչբևեռային հեղուկ դիէլեկտրիկների ε=f(T) ունի նվազագույն հաստատուն արժեքի հատված, պայմանավորված

a)

. էլեկտրոնային բևեռացումով

b)

. իոնային բևեռացումով

c)

. ռելաքսային բևեռացումով

54.

Ո՞րն է բևեռային հեղուկ դիէլեկտրիկների ε=f(T)

a)

b)

c)

55.

Ո՞րն է իոնային խիտ դասավորվածությամբ պինդ դիէլեկտրիկների ε=f(T)

a)

b)

c)

56.

Իոնների խիտ դասավորվածությամբ իոնային պինդ դիէլեկտրիկներում ջերմաստիճանի բարձրացումից

a)

էլեկտրոնային բևեռացումը աճում է իսկ իոնային բևեռացումը նվազում

b)

էլեկտրոնային բևեռացումը նվազում է իսկ իոնային բևեռացումը աճում

c)

էլեկտրոնային և իոնային բևեռացումները մնում են անփոփոխ

57.

Ոչբևեռային դիէլեկտրիկների դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը՝ ε-ը հաճախությունից կախված

a)

նվազում է

b)

աճում է

c)

կախված չէ

58.

Ռելաքսացման τ0 ժամանակի և fՕ ռեզոնանսային հաճախականություն կապը

a)

ուղիղ համեմատական է

b)

հակադառձ համեմատական է

c)

լոգարիթմական է

59.

Խոնավացած դիէլեկտրիկի ε-ը

a)

փոքրանում է

b)

մեծանում է

c)

կախված չէ խոնավությունից

60.

Հաստատուն լարման դեպքում աբսորբման հոսանքը առաջանում է`

a)

միացման պահին

b)

անջատման պահին

c)

միացման և անջատման պահին

61.

Դիէլեկտրիկում ազատ լիցքերի ուղղորդված շարժումը առաջացնում է`

a)

շեղման հոսանք

b)

աբսորբման հոսանք

c)

միջանցիկ հոսանք

62.

Հոսանքը դիէլեկտրիկում հիմնականում պայմանավորված է

a)

ազատ էլեկտրոններով

b)

ազատ իոններով

c)

խառնուրդային իոններով

63.

Ինչպես են միացված դիէլեկտրիկի մակերևութային RS և ծավալային RV դիմադրությունները

a)

հաջորդաբար

b)

զուգահեռ

c)

անկանոն

64.

Ո՞ր դիմադրության միավորն է Օմ*մ

a)

տեսակարար մակերևութայինի դիմադրության

b)

տեսակարար ծավալայինի դիմադրության

c)

տեսակարար ծավալային և տեսակարար մակերևութային դիմադրության

65.

Էլեկտրական դաշտ կիրառելուց հետո որքան ժամանակ անց է հարկավոր է գրանցել դիէլեկտրիկի դիմադրությունը

a)

1 րոպե

b)

3 րոպե

c)

5 րոպե

66.

Ո՞ր մակերեսի համար է որոշվում տեսակարար մակերևույթային դիմադրությունը միջազգային ՍԻ համակարգում

a)

մեկ մմ2 -իդիմադրությունն է

b)

մեկ սմ2 -իդիմադրությունն է

c)

մեկ մ2 -ի դիմադրությունն է

67.

Ո՞ր ծավալի համար է որոշվում տեսակարար ծավալային դիմադրությունը ՍԻ համակարգում

a)

մեկ մմ3 -իդիմադրությունն է

b)

մեկ սմ3 -իդիմադրությունն է

c)

մեկ մ3 -ի դիմադրությունն է

68.

Գազերի ինքնուրույն էլեկտրահաղորդականությունը պայմանավորված է

a)

ճառագայթով

b)

մեծ խոնավությունով

c)

էլեկտրական դաշտի բարձր լարվածությամբ

69.

Նորմալ պայմաններում գազերում

a)

վերամիավորված (ռեկոմբինացված) և իոնացված մոլեկուլների քանակը հավասար է +

b)

վերամիավորված (ռեկոմբինացված) մոլեկուլները շատ են իոնացված մոլեկուլներից

c)

վերամիավորված (ռեկոմբինացված) մոլեկուլները քիչ են իոնացված մոլեկուլներից

70.

Կորի ո՞ր հատվածում է տեղի ունենեւմ հարվածային իոնացում

a)

I հատվածում

b)

II հատվածում

c)

III հատվածում

71.

Ոչբևեռային հեղուկ դիէլեկտրիկների էլեկտրահաղորդականությունը պայմանավորված է

a)

խառնուրդների դիսոցված իոններով

b)

սեփական մոլեկուլների դիսոցված իոններով

c)

դիպոլների բևեռացումով

72.

Սուսպենզիան կոլոիդային համակարգ է. որտեղ հեղուկում գտնվում են`

a)

հեղուկի չլուծված մասնիկներ

b)

գազի չլուծված մասնիկներ

c)

կարծր նյութերի մասնիկներ

73.

Էմուլսիան կոլոիդային համակարգ է. որտեղ հեղուկում գտնվում են`

a)

հեղուկի չլուծված մասնիկներ

b)

գազի չլուծված մասնիկներ

c)

կարծր նյութի մասնիկներ

74.

Պինդ դիէլեկտրիկի խառնուրդային էլեկտրահաղորդականությունը առաջանում է`

a)

. էլեկտրական դաշտի ցածր լարվածության դեպքում

b)

ցածր ջերմաստիճանների դեպքում

c)

էլեկտրական դաշտի ցածր լարվածության և ցածր ջերմաստիճանների դեպքում

75.

Դիէլեկտրիկի մակերևութային էլեկտրահաղորդականությունը հիմնականում պայմանավորված է`

a)

. ճնշումով

b)

ջերմաստիճանով

c)

խոնավությամբ

76.

Բևեռային դիէլեկտրիկի մակերևութային էլեկտրահաղորդականությունը ոչբևեռային դիէլեկտրիկի մակերևութային էլեկտրահաղորդականությունից

a)

փոքր է

b)

մեծ է

c)

կախված չէ դիէլեկտրիկի տեսակից

77.

Իդեալական դիէլեկտրիկում հոսանքի և լարման միջև φ ֆազային շեղուման անկյունև հավասար է

a)

φ = 90Օ

b)

φ = 0Օ

c)

φ < 90Օ

78.

Իրական դիէլեկտրիկում հոսանքի և լարման միջև φ ֆազային շեղուման անկյունև հավասար է

a)

φ = 0Օ

b)

φ = 90Օ

c)

φ < 90Օ

79.

Նշեք դիէլեկտրիկի զուգահեռ համարժեք սխեմայի համար tgδ-ի և կորուստների հզորության արտահայտությունները ա) tgδ=1/(ωCpR) բ) tgδ=ωCsr դ) Pա=U2ωCptgδ ե) Pա=(U2ωCstgδ)/(1+tg2δ)

a)

ա) և ե) տարբերակները

b)

ա) և դ) տարբերակները

c)

բ) և դ) տարբերակները

80.

Նշժեք դիէլեկտրիկի հաջորթական համարժեք սխեմայի համար tgδ-ի և կորուստների հզորության արտահայտությունները ա) tgδ=1/(ωCpR) բ) tgδ=ωCsr դ) Pա=U2ωCptgδ ե) Pա=(U2ωCstgδ)/(1+tg2δ)

a)

ա) և դ) տարբերակները

b)

բ) և դ) տարբերակները

c)

բ) և ե) տարբերակները

81.

. Էլեկտրական դաշտի ազդեցության տակ դիէլեկտրիկներում դիտվում են կորուստների հետևյալ տեսակները (նշել սխալ պատասխանը)

a)

ռելաքսային բևեռացումով պայմանավորված կորուստներ

b)

էլեկտրահաղորդականությամբ պայմանավորված կորուստներ

c)

ագրեգատային վիճակով և ջերնաստիճանով պայմանավորված կորուստներ

82.

Ռելաքսային բևեռացումով պայմանավորված կորուստները կապված են

a)

. ջերմաստիճանի և ճնշման հետ

b)

ջերմաստիճանի և հաճախության հետ

c)

ճնշման հետ և հաճախության հետ

83.

Էլեկտրահաղորդականությունով պայմանավորված կորուստները առկա են (նշել սխալ պատասխանը)

a)

հաստատուն հոսանքի դեպքում

b)

փոփոխական հոսանքի դեպքում

c)

իմպուլսային հոսանքի դեպքում

84.

Իոնացումով պայմանավորված կորուստների առաջացման հավանականությունը ավելի մեծ է

a)

հեղուկ դիէլեկտրիկներում

b)

մեծ խտություն ունեցող դիէլեկտրիկներում

c)

ծակոտկեն դիէլեկտրիկներում

85.

Իոնացումով պայմանավորված կորուստների պատճառն է

a)

դիէլեկտրիկի հաղորդականությունը

b)

մասնակի պարպումները

c)

պարպումները դիէլեկտրիկի մակերևույթով

86.

Դիէլեկտրիկի որակը բարձր է, եթե իոնացման լարման շեմը (իոնացման առաջացման լարումը Uի)

a)

ցածր է

b)

բարձր է

c)

հաստատուն արժեք է

87.

Կառուցվածքային անհամասեռություններով պայմանավորված կորուստները ի հայտ են գալիս`

a)

բարձր հաճախությունների ժամանակ

b)

ցածր հաճախությունների ժամանակ

c)

բարձր ճնշման ժամանակ

88.

Դիէլեկտրիկի էլեկտրական ամրությունը հավասար է՝

a)

. E=U/h

b)

E=h/U

c)

E= U* h

89.

. Էլեկտրական ամրության ինքնավերականգնում տեղի է ունենում (նշել սխալ պատասխանը)

a)

գազային դիէլեկտրիկներում

b)

հեղուկ դիէլեկտրիկներում

c)

պինդ դիէլեկտրիկներում

90.

Գազի իոնացման պայմանը արտահայտված իոնացման՝ Wի և լիցքի կինետիկ՝ Wկ էներգիայով կլինի (նշել սխալ պատասխանը)

a)

Wի < Wկ

b)

Wի > Wկ

c)

Wի = Wկ

91.

Էլեկտրական դաշտը համասեռ է երբ

a)

դաշտի ցանկացած կետում ելեկտրական դաշտի վեկտորները ունեն հավասար մոդուլ և տարբեր ուղղություն

b)

դաշտի ցանկացած կետում ելեկտրական դաշտի վեկտորները ունեն հավասար մոդուլ և ուղղություն

c)

դաշտի ցանկացած կետում ելեկտրական դաշտի վեկտորները ունեն տարբերվող մոդուլ և ուղղություն

92.

Համասեռ դաշտը առաջանում է հետևյալ էլեկտրոդների միջև

a)

ասեղ – հարթություն

b)

երկու գունդ, ևրբ գնդերի միջև հեռավորությունը մեծ է շառավիղից

c)

երկու գունդ, երբ գնդերի միջև հեռավորությունը փոքր է շառավիղից

93.

Պաշենի կորը, գազերի էլեկտրական ամրության կախումն է `

a)

միջէլեկտրոդային հեռավորությունից

b)

ճնշումից

c)

ջերմաստիճանից

94.

Նույն միջէլեկտրոդային հեռավորությոնը ունեցող ասեղ հարթություն էլեկտրոդների համար, ծակման լարումը մեծ է

a)

դրական ասեղի և բացասական հարթության դեպքում

b)

բացասական ասեղի և դրական հարթության դեպքում

c)

բևեռականությունից կախված չէ

95.

Քանի ծակման տեսակ ունի հեղուկ դիէլեկտրիկը

a)

. մաքուր էլեկտրական

b)

մաքուր էլեկտրական և ջերմային

c)

մաքուր էլեկտրական, ջերմային և էլեկտրաքիմիական

96.

. Կարծր դիէլեկտրիկներում կան ծակման հետևյալ տեսակները (նշել սխալ պատասխանը)

a)

էլեկտրական ծակում

b)

էլեկտրաիմպուլսային ծակում

c)

էլեկտրաջերմային ծակում

97.

Ո՞րն էլեկտրաջերմային ծակման պայմանը (P-ն դիէլեկտրիկիում անջատված ջերմային հզորություն, Q-ն դիէլեկտրիկից հեռացվող ջերմային հզորություն)

a)

. P > Q

b)

P= Q

c)

P < Q

98.

Դիէլեկտրիկական կորուստներից առաջացած ջերմային հզորությունը (P) հիմնականում կախված է

a)

C (ունակությունից)

b)

f (հաճախությունից)

c)

U (լարումից)

99.

Դիէլեկտրիկական կորուստների ակտիվ հզորությունը հավասար է

a)

Pա=U2ωCptgδ

b)

Pա=UωCptgδ

c)

Pա=Uω2Cptgδ

100.

Ջերմային ծակում կատարվում է`

a)

TO - Tկր հատվածում

b)

T1 - Tկր հատվածում

c)

TO - T1 և Tկր –T հատվածներում