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Worksheetsdiodos
Total questions: 56
Worksheet time: 28mins
es la partícula más pequeña de un elemento queretiene las características de éste
se compone de partículas cargadas positivamente llamadas protones y partículas sin carga llamadas neutrones
El núcleo
Las partículas básicas de carga negativa se llaman
es igual al número de protones en el núcleo, el cual es igual al número de electrones en un átomo eléctricamente balanceado
En un átomo, las órbitas se agrupan en bandas de energía conocidas como
capas
esta formula sirve para
Calcular El número máximo de electrones (Ne)
En la capa más externa de un átomo existen electrones con un alto nivel de energía y están relativamente enlazados al núcleo, esta capa más externa se conoce como la capa de
los electrones presentes en esta capa se llaman
El proceso de perder un electrón de valencia se conoce como
y el átomo cargado positivamente resultante se conoce como
ion positivo
El electrón de valencia escapado se llama
En función de sus propiedades eléctricas, los materiales seclasifican en tres grupos
Cuando los átomos se combinan para formar un material sólido cristalino, se acomodan en una configuración
simetrica
son creados por la interacción de los electrones de valencia de los átomos
un átomo se puede representar por la capa de valencia y una _________compuesta de todas las capas internas y el núcleo
parte central
es un material que no conduce corriente eléctrica en condiciones normales
es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente
en un material conductor, los electrones libres son electrones de
es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que a su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta
Un semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante
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el silicio, el germanio y el carbón son los ____________ más comunes de sólo un elemento
Los semi conductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio, también son de uso común
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Los semiconductores de un solo elemento están caracterizados por átomos con cuatro
electrones de valencia
es, por mucho, el material más utilizado en diodos, transistores, circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores
Los electrones de valencia del germanio residen en la cuarta capa, mientras que los del silicio están en la tercera, más cerca al núcleo
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compartir electrones de valencia produce _________ que mantienen a los átomos juntos
Un cristal intrínseco es uno que no tiene
La figura 1-10 muestra el diagrama de bandas de energía de un átomo no excitado (sin energía externa tal como calor) en un cristal de silicio puro. Esta condición ocurre sólo a una temperatura del 0 absoluto en Kelvin
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..
Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura ambiente tiene energía calorífica (térmica) suficiente para que algunos electrones de valencia salten la banda prohibida desde la banda de valencia hasta la banda de conducción, convirtiéndose así en electrones libres, que también se conocen como
electrones de conducción
Cuando un electrón salta a la banda de conducción, deja un espacio vacío en la banda de valencia dentro del cristal. Este espacio vacío se llama
Por cada electrón elevado a la banda de conducción por medio de energía externa queda un hueco en la banda de valencia y se crea lo que se conoce como
par - electrón hueco
ocurre una _______ cuando un electrón de banda de conducción pierde energía y regresa a un hueco en la banda de valencia
Cuando se aplica voltaje a través de un trozo de silicio intrínseco, los electrones libres generados térmicamente presentes en la banda de conducción son entonces fácilmente atraídos hacia el extremo positivo. Este movimiento de electrones es un tipo de corriente en un material semiconductor y se llama
corriente de electrón
Dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo _ y el tipo _ (son los bloques de construcción fundamentales en la mayoría de los tipos de dispositivos electrónicos)
Este proceso, llamado _____, incrementa el número de portadores de corriente (electrones o huecos). Los dos portadores de impurezas son el tipo n y el tipo p
dopado
Para incrementar el número de electrones de banda de conducción en silicio intrínseco se agregan átomos de impureza
pentavalente
cuando el átomo pentavalente cede un electrón, se conoce como _______
átomo donador
Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de_________
portadores minoritarios
Los electrones se conocen como ___________ en material tipo n es, el silicio (o el germanio) dopado con átomos
portadores mayoritarios
Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco, se agregan átomos de impureza
trivalente
cuando el átomo trivalente puede tomar un electrón, a menudo se hace referencia a él como
átomo aceptor
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma un límite llamado
es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección, La unión pn es la característica que permite que funcionen
representacion simbolica de un
la flecha señala la
región de empobrecimiento
Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un
es la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a través del campo eléctrico. Esta diferencia de potencial se llama
potencial de barrera
el potencial de barrera se expresa en
Cuando se aplica un voltaje de polarización en directa a través de un diodo se produce corriente. Esta corriente se conoce como
corriente de polarización en directa
A diferencia de la resistencia lineal, la resistencia del diodo polarizado en directa no es constante a lo largo de toda la curva. Como la resistencia cambia al ir recorriendo la curva V-I, se llama
a medida que se incrementa la temperatura, la corriente de polarización en directa se
incrementa
El modelo ideal de un diodo es la aproximación menos precisa y puede ser representado por un
interruptor simple
El voltaje de polarización y el resistor limitador determinan la corriente de polarización en directa de acuerdo con la ley de
El modelo completo de un diodo es la aproximación más precisa e incluye
p de barrera, r dinamica y p directa
Cuando el diodo está polarizado en directa actua como un
interruptor cerrado
Cuando el diodo está polarizado en inversa, actúa como un
interruptor abierto
