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WorksheetsQuiz sul MOSFET
Total questions: 10
Worksheet time: 12mins
La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, detto (a) o corpo (body), con due regioni drogate di tipo n.
La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, con due regioni drogate di tipo n. Le due regioni sono (a) e drogate;
La struttura dei MOSFET ad arricchimento a canale n consiste in una zona di semiconduttore di tipo p, , con due regioni drogate di tipo n. Lo spazio fra le regioni di source e drain è detto (a) .
Quando il MOSFET conduce, si ha un flusso di cariche attraverso il canale, da source a drain, che le raccoglie. La regione del canale è ricoperta da un sottile strato di (a) .
Quando il MOSFET conduce, si ha un flusso di cariche attraverso il canale, da source a drain, che le raccoglie. La regione del canale è ricoperta da un sottile strato di ossido; esso è, a sua volta, ricoperto da una (a) , a cui fa capo il terminale di Gate (G).
Se VGS è molto inferiore a VT, anche applicando VDS:
la corrente di drain aumenta
le giunzioni si polarizzano direttamente
non c’è passaggio di corrente
il canale si allarga
Cosa accade quando VGS < VT (ma non VGS << VT)? (3 risposte corrette)
Si forma un canale conduttivo
La tensione di gate genera un campo elettrico che respinge le lacune
Si crea una regione di svuotamento unita a source e drain
La corrente di drain cresce linearmente
Rimangono solo ioni accettori, senza lacune libere
In un MOSFET a canale n a riempimento, in assenza di di polarizzazione di gate, dato che le regioni di tipo n sono molto più drogate del substrato, la regione di (a) si sviluppa in misura più estesa nel substrato .
In un MOSFET a canale n ad arricchimento, quale tra le seguenti affermazioni descrive correttamente la condizione al limite della formazione del canale conduttivo?
Il canale si forma completamente solo quando VDS è maggiore di VGS.
Quando VGS = VT, inizia la formazione di un canale conduttivo sotto il gate.
Il canale è sempre presente, ma non è conduttivo se VGS < VT
Il canale conduttivo si forma quando VDS = 0
Cosa accade al canale di un MOSFET a canale n ad arricchimento quando VGS è costante e VDS aumenta oltre il valore di VGS − VT?
La corrente si azzera perché il canale si interrompe.
Il canale si restringe in prossimità del source, riducendo la corrente.
Il canale si restringe in prossimità del drain fino al pinch-off, e la corrente si stabilizza.
Il MOSFET entra in interdizione e blocca il passaggio di corrente.
