Оцените изменение анодного тока в процентном отношении при изменении температуры катода от 2000 К до 2100 К для диода с работой выхода 2.2 эВ.

Если в вакуумном триоде приложено поперечное магнитное поле 0.2 Тесла, а ток анода составляет 1 мА, каково пиковое напряжение Холла в условиях высокого вакуума?

В газоразрядном стабилизаторе напряжения при рабочем напряжении 150 В и токе 10 мА, каково изменение напряжения при увеличении тока до 15 мА, если коэффициент стабилизации равен 0.01 В/мА?

Оцените изменение работы выхода на катоде, если приложенное поле увеличивается на 106 В/м и температура катода составляет 1500 К.

Вольфрамовый катод нагревается до 2400 К. Используя уравнение Ричардсона-Дешмана и работу выхода для вольфрама 4.5 эВ, рассчитайте ток насыщения.

у выхода для вольфрама 4.5 эВ, рассчитайте ток насыщения.

Триод с катодной температурой 2000 К и напряжением на сетке -3 В используется в усилителе. Как изменится анодный ток, если напряжение на сетке изменится на +2 В?

Пентод используется в качестве усилителя. При напряжении на первой сетке -1.5 В и на второй сетке +250 В, оцените анодный ток, если напряжение на аноде составляет 300 В.

Каково уменьшение работы выхода для катода из оксида бария, если примеси в материале увеличивают его эффективную работу выхода на 0.1 эВ?

Каково влияние третьей сетки на анодный ток в пентоде, если третья сетка используется для управления пространственным зарядом?

Как изменится пробойный ток диода при увеличении температуры катода с 2000 К до 2200 К, если известно, что рабочее напряжение составляет 100 В?

Если для вакуумного диода с вольфрамовым катодом ток насыщения составляет 1 мА при 2500 К, каков будет ток насыщения для катода из оксида бария при той же температуре, если известно, что его эффективность эмиссии в 10 раз выше?

В электронной пушке электронный пучок фокусируется с помощью магнитного поля. Если ток пучка 0.5 мА и диаметр фокусированного пучка составляет 0.1 мм, какова плотность тока пучка?

При увеличении температуры катода с 2000 К до 2100 К работа выхода увеличивается на 0.05 эВ. Каково было первоначальное значение работы выхода, если известно, что она составляла 2.5 эВ при 2000 К?

Если температура катода в диоде увеличивается с 2200 К до 2300 К, как изменится анодное напряжение, необходимое для поддержания постоянного анодного тока, если известно, что катодное падение напряжения изменяется на 2%?

риала с работой выхода 1.8 эВ и он нагревается до 2500 К, какова теоретическая плотность тока насыщения, сравнивая с катодом с работой выхода 2.5 эВ при той же температуре?

Полупроводник находится во внешнем электрическом поле 1·105 В/м. Как изменится ширина запрещенной зоны, если изначально она составляла 1.1 эВ? Считайте, что поле вызывает линейное смещение энергетических уровней на 1·10-5 эВ на каждые 104 В/м.

В n-типе полупроводника приложено внешнее электрическое поле 5·104 В/м. Если начальный уровень Ферми находился на 0.2 эВ ниже дна зоны проводимости, как изменится его положение при приложении поля? Считайте линейное смещение уровня Ферми на 5·10-6 эВ на каждые 104 В/м.

Как изменится подвижность дырок в p-типе полупроводника при увеличении напряженности внешнего электрического поля с 1·103 В/м до 1·104 В/м? Считайте, что подвижность увеличивается на 2% при каждом увеличении поля на 1·103 В/м

Работа выхода полупроводника составляла 4.2 эВ. Какова будет работа выхода после приложения внешнего электрического поля 2·105 В/м, если она изменяется на 2·10-4 эВ на каждые 104 В/м?

Если в p-типе полупроводника приложено электрическое поле 3·104 В/м , и это вызывает увеличение концентрации дырок на 10% на каждые 104 В/м, на сколько процентов увеличится их концентрация?

Электрон в n-типе полупроводника приобретает дрейфовую скорость 1·104 м/с при напряженности поля 1·105 В/м. Какая будет дрейфовая скорость при напряженности 2·105  В/м, если скорость увеличивается линейно с напряженностью поля?

В p-типе полупроводника приложенное электрическое поле 5·104 В/м увеличивает рекомбинационные процессы на 15%. Как изменится скорость рекомбинации, если напряженность поля увеличится до 1·105 В/м?

Как изменится ширина обедненного слоя в p-n переходе полупроводника при увеличении напряженности внешнего поля с 1·105 В/м до 2·105 В/м ?

Работа выхода полупроводника при 300 К составляет 4.0 эВ. Как изменится работа выхода при температуре 350 К и приложенном поле 1·105 В/м , если известно, что температурный коэффициент изменения работы выхода составляет −0.001 эВ/К, а полевой коэффициент - 1·10-5 эВ/(В/м)?

При освещении полупроводника светом с энергией фотонов 1.5 эВ проводимость увеличивается на 10%. Как изменится фотопроводимость, если напряженность внешнего электрического поля увеличить с 1·104 В/м до 5·104 В/м , при условии, что поле линейно увеличивает количество генерируемых носителей заряда на 2% на каждые 1·104 В/м ?

При воздействии внешнего электрического поля 2·104 В/м на p-n переход, диффузионный потенциал изменяется на 0.02 В. Как изменится диффузионный потенциал, если напряженность поля увеличится до 4·104 В/м ?

В n-типе полупроводника приложенное электрическое поле 3·105 В/м уменьшает время жизни электронов на 10%. Как изменится время жизни, если напряженность поля уменьшится до 1·105 В/м ?

ли напряженность поля уменьшится до 1·105 В/м ?

Если коэффициент Холла для полупроводника при нулевом внешнем поле составляет 3.2·10-4 м3/Кл, как изменится этот коэффициент при приложении поля 5·105 В/м, учитывая, что влияние поля на коэффициент Холла можно пренебречь?

Полупроводник подвергается воздействию внешнего электрического поля, которое увеличивает вероятность ионизации доноров на 20%. Как изменится вероятность ионизации, если напряженность поля удвоится?

Измерения показывают, что приложение внешнего электрического поля 1·106 В/м увеличивает электрическую проницаемость полупроводника на 5%. Как изменится электрическая проницаемость, если напряженность поля увеличится до 2·106 В/м?

Полупроводниковый материал освещается светом с энергией фотонов 1.2 эВ, что превышает ширину его запрещённой зоны 1.1 эВ. Как изменится проводимость материала при увеличении интенсивности освещения в два раза?

Как влияние добавления донорных примесей в полупроводник на его фотопроводимость при освещении светом, энергия которого соответствует ширине запрещённой зоны?

Если температура полупроводника повышается с 300 К до 350 К, как это повлияет на фотопроводимость при постоянной интенсивности освещения?

Полупроводник с шириной запрещённой зоны 1.8 эВ освещается светом с длиной волны 600 нм. Будет ли полупроводник проявлять фотопроводимость?

Как особенности структуры аморфных полупроводников влияют на их фотопроводимость по сравнению с кристаллическими полупроводниками?

Полупроводниковый детектор изготовлен из материала с шириной запрещённой зоны 2.0 эВ. Как изменится его фотопроводимость, если интенсивность падающего света с длиной волны 500 нм увеличивается на 50%?

Если полупроводниковый материал освещается светом в течение 1 минуты и затем освещение прекращается, как быстро упадёт фотопроводимость после прекращения освещения?

Как влияет введение донорных примесей в полупроводник с шириной запрещённой зоны 1.5 эВ на его спектральную чувствительность к свету с длиной волны 800 нм?

а его спектральную чувствительность к свету с длиной волны 800 нм?

При увеличении температуры с 20°C до 50°C, как изменится фотопроводимость полупроводника, если известно, что с ростом температуры увеличивается количество тепловых носителей заряда?

Как влияет изменение полярности приложенного напряжения на фотопроводимость полупроводника?

При увеличении интенсивности освещения фотопроводник находит большее количество возбужденных электронов. Как это влияет на среднее время жизни носителей заряда?

Как изменится фотопроводимость при освещении кремния и галлия арсенида одинаковым количеством света с энергией фотонов, равной ширине запрещенной зоны каждого материала?

запрещенной зоны каждого материала?

Как влияет легирование акцепторными примесями на фотопроводимость полупроводника?

Если полупроводник подвергается воздействию температур от -10°C до 40°C, как изменится его фотопроводимость при стабильной интенсивности освещения?

Как влияет приложение внешнего электрического поля на фотопроводимость полупроводника при постоянной интенсивности освещения?