Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Kiến thức về Diode Bán Dẫn

Total questions: 81

Worksheet time: 1hrs 1mins

Name
Class
Date
1.

Diode bán dẫn có nội trở rất cao khi phân cực thuận

a)

Đúng

b)

Sai

2.

Diode bán dẫn k có cực tính

a)

Đúng

b)

Sai

3.

Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất

a)

Đúng

b)

Sai

4.

Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên diode

a)

PD=UDxID

b)

PD=UDxRD

c)

PD=UD2xID

d)

các phương án đều sai

5.

Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp

a)

Lỗi trong quá trình sản xuất

b)

Các phương án đều sai

c)

Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường

d)

Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho phép sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp

6.

Diode sẽ KHÔNG bị hỏng bởi nguyên nhân nào

a)

Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn

b)

Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn

c)

Dòng điện chạy qua diode quá lớn

d)

Không có phương án nào đúng

7.

Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và loại P ghép tiếp xúc vs nhau

a)

Dòng trôi của hạt dẫn và ion

b)

Dòng điện tử tự do và điện tử hóa trị

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống

d)

Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử

8.

Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì

a)

Điện tử

b)

Ion dương

c)

Lỗ trống

d)

Không có hạt dẫn nào là đa số

9.

Ý nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều cả diode

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

b)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

c)

Là lượng biến thiên nội trợ của diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược

d)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

10.

Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kì bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là

a)

Nhỏ hơn 0

b)

Lớn hơn 0

c)

Bằng 0

d)

Đạt cực đại

11.

Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)

12.

Chức năng chính của diode zener

a)

Ổn dòng

b)

Ổn áp

c)

Chỉnh lưu

d)

Nhân áp

13.

Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau ở điểm nào

a)

Nội trở rd

b)

Điện áp mở UD0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)

c)

Điện áp mở UD0

d)

Nội trở rd và điện áp mở UD0

14.

Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi

a)

Điện áp ngược tăng lên

b)

Điện áp ngược giảm đi

c)

Ngừng phân cực cho tiếp xúc

d)

Các phương án đưa ra đều sai

15.

Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 550C có giá trị xấp xỉ (UT = KT )

a)

28,3mV

b)

25mV

c)

26,1nV

d)

29,9mV

16.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu cần là

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

4 diode

17.

Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode

a)

Khuếch đại tín hiệu

b)

Chỉnh lưu nửa chu kì

c)

Hạn mức điện áp

d)

Chỉnh lưu cả chu kì

18.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

b)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

c)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

d)

Tất cả các diode đều dẫn thông

19.

Nhiệt độ tăng ảnh hưởng ntn đến hoạt động của diode

a)

Dòng ngược bão hòa của diode giảm

b)

Điện áp của diode giảm

c)

Diode không hoạt động được

d)

Dòng điện thuận cực đại tăng

20.

Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ

a)

Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều

b)

Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều

c)

Giảm độ nhấp nhô (gợn) của điện áp ra của các bộ nguồn

d)

Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kì và giải phóng trong nửa chu kì còn lại của hình sin

21.

Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN khiến (phân cực thuận)

a)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên

b)

Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi

c)

Bề rộng vùng nghèo tăng lên

d)

Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên

22.

Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ:

a)

Thu hẹp vào ở cả hai phía

b)

Thu hẹp vào ở một phía

c)

Mở rộng ra về cả hai phía

d)

Mở rộng ra về một phía

e)

Cơ bản k thay đổi

23.

Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng Si là xấp xỉ

a)

0.7V

b)

0.3V

c)

1.2V

d)

1.5V

24.

Trong bán dẫn tạp chất loại P, một lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng

a)

Hút lỗ trống lân cận lại gần

b)

Đẩy lỗ trống lân cận ra xa

c)

Lấy một điện tử ở liên kết bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mk

d)

Lấy 1 điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mk

25.

Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn

a)

Kích thước lớn hơn

b)

Có nồng độ pha tạp lớn hơn

c)

Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn

d)

Kích thước nhỏ hơn

e)

Loại P

26.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 1 nửa chu kì

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

3 diode

27.

Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao p yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất

a)

Hạn chế tối đa bụi bay vào mạng tinh thể

b)

Giúp dây truyền sx trơn tru, k bị tác động bởi bên ngoài

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe ng lđ

28.

Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng

a)

Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm

b)

Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng

c)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa

d)

Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhanh

29.

Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào cùng N của 1 tiếp giáp PN khiến

a)

Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên

b)

DÒng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên

c)

Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi

d)

Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên

30.

Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu 2 nửa CK dùng biến áp có điểm giữa

a)

1 diode

b)

2 diode

c)

3 diode

d)

3 diode

31.

Gọi RD là nội trở một chiều của diode, UD và ID lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. RD đc tính bằng công thức

a)

RD=dUD/dID

b)

RD=UD/ID

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

RD=PD/ID

32.

Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất

a)

Kẽm

b)

Silic

c)

Chì

d)

Đồng

33.

Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây đúng

a)

Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện

b)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện

c)

Các phương án đưa ra đều sai

d)

Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện

34.

Trong mạng tinh thể Si, liên kết giữa hai nguyên tử Si là

a)

Liên kết đẳng thế

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Liên kết đồng đều

d)

Liên kết cộng hóa trị (không phân cực)

35.

Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện

a)

Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc vs nhau

b)

Có dòng điện ngoài chạy qua khỏi bán dẫn

c)

Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc vs nhau

d)

Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn

36.

Khi k có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào

a)

Các phương án đưa ra đều sai

b)

Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống

c)

Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau

d)

Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên k có dòng điện khuếch tán

37.

Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 00 K , phương án nào SAI

a)

Nung nóng khối bán dẫn

b)

Không cần làm j vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể

c)

Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn

d)

Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn

38.

Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi *

a)

Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

b)

Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng

c)

Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng

d)

Dòng điện thuận chạy qua diode quá lớn

39.

Khi một diode Si phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận bắt đầu vượt quá

a)

0,7V

b)

0,3V

c)

1,2V

d)

1,5V

40.

Dòng điện trôi là dòng

a)

Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Các phương án đưa ra đều sai

c)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

d)

Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

41.

Câu 40: Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode:

a)

Bằng 0

b)

Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp

c)

Là dòng ngược bão hòa

d)

Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp

e)

Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức

42.

Câu 41: Tác dụng của tụ điện mắc // với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu

a)

nắn điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều

b)

tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi

c)

Giảm độ gợn điện áp đầu ra

d)

Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó

43.

Câu 42: Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode (zener) là

a)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt

b)

Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt

c)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt

d)

Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ

44.

Câu 43: Trong mỗi liên kết cộng hóa trị, mỗi nguyên tử Si của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện tử cho liên kết chung

a)

2

b)

7

c)

8

d)

1

45.

Câu 44: Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode

a)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)

b)

Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn (đầy đủ)

c)

Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế

d)

Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến háo từng đoạn (đầy đủ)

46.

Câu 45: Diode có nội trở cao khi phân cực thuận

a)

Sai

b)

Đúng

47.

Câu 46: Trong diode, hạt dẫn đa số là

a)

Lỗ trống

b)

Điện tử bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P

c)

Điện tử

d)

Điện tử bên bán dẫn

48.

Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây (Trong BTHHH)

a)

Nhóm IV

b)

Nhóm III pha với nhóm IV

c)

Nhóm III

d)

Nhóm III pha với nhóm V

e)

Nhóm V

49.

Dòng trôi trong diode là dòng của

a)

Hạt dẫn thiểu số

b)

Hạt dẫn đa số

c)

Điện tử

d)

Lỗ trống

50.

Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn

a)

Điện tử nhiều hơn lỗ trống

b)

Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra

c)

Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau

d)

Lỗ trống nhiều hơn điện tử

51.

Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng

a)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

b)

Điện áp mở là 4,7V

c)

Các phương án đều sai

d)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

52.

Cho mạch điện như hình vẽ E=5V, R=8, rD=1, diode được làm từ Si. Để tính toán các tham số của mạch với sai số không quá 10% áp dụng sơ đồ tương đương nào của diode là hợp lý nhất

a)

Tuyến tính hóa từng đoạn đầy đủ

b)

Lý tưởng

c)

Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản

d)

Tần số cao

53.

Đặt điện áp ngược 12V lên mạch điện gồm một diode zener mắc nối tiếp với một điện trở R. Nếu Uz=3V thì giá trị điện áp đo trên diode zener là

a)

12V

b)

3V

c)

9V

d)

6V

54.

Một diode lý tưởng hoạt động giống như

a)

Một công tắc

b)

Một dây dẫn

c)

Một điện trở

d)

Một tụ điện

55.

Diode zener có đặc điểm quan trọng j khác vs diode thông thường

a)

CHo phép dòng điện thuận lớn hơn đi qua, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn

b)

Có vùng đánh thủng do điện (zener) rất dốc, phù hợp với ứng dụng ổn áp

c)

Có dòng ngược bão hòa lớn hơn

d)

Có điện áp mở lớn hơn

56.

Đặc tuyến vôn-ampe của một diode KHÔNG phụ thuộc vào:

a)

Loại chất bán dẫn dùng để chế tạo

b)

Các điện trở và tụ điện trong mạch điện mà diode làm việc

c)

Nhiệt độ của diode

d)

Bức xạ ion hóa chiều của diode

57.

Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động:

a)

Tất cả các diode dẫn thông

b)

Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

c)

Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa

d)

Có 1 diode dẫn thông, các diode lại đều khóa

58.

Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của

a)

Ion âm

b)

Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại

c)

Lỗ trống không di chuyển

d)

Điện tử hóa trị nhưng theo chiều ngược lại

59.

Ý nào dưới đây giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode

a)

Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian

b)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển tử pc thuận sang pc ngược

c)

Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều

d)

Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode

60.

Tại hai điểm trên đường đặc tuyến vôn-ampe của diode, ngta đo được nội trở một chiều lần lượt là 3.75 ohm (điểm 1) và 200 k ohm (điểm 2). Nhận định nào sau đây là hợp lý nhất về vị trí của hai điểm trên đặc tuyến?

a)

Cả hai điểm đến đều ở nhánh phân cực thuận

b)

Điểm 1 ở gốc tọa độ, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

c)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở nhánh phân cực ngược

d)

Điểm 1 ở nhánh phân cực thuận, điểm 2 ở vùng đánh thủng

61.

Câu 61: Bán dẫn P có thêm mức năng lượng nào so với bán dẫn thuần

a)

Mức năng lượng của vùng hóa trị

b)

Mức năng lượng của tạp chất cho

c)

Mức năng lượng của tạp chất nhận

d)

Mức năng lượng của vùng dẫn

62.

Câu 62: Phát biểu nào sau đây là sai khi so sánh mạch chỉnh lưu 2 nửa CK sử dụng biến áp có điểm giữa (1) với mạch chỉnh lưu cầu (2)

a)

Số lượng diode của (1) ít hơn của (2)

b)

Hao hụt điện áp đầu ra của (1) thấp hơn của (2)

c)

Điện áp ngược đăt lên diode trong (1) thấp hơn trong (2)

d)

Loại biến áp cấp điện cho (1) yêu cầu phức tạp hơn loại cấp cho (2)

63.

Câu 63: Công thức nào dưới đây dùng để tính nội trở xoay chiều của diode

a)

rd = m x Ur/Is

b)

rd = UD/ID

c)

rd = dUD/dID

d)

Các phương án đưa ra đều sai

64.

Câu 64: Cho mạch điện gồm 1 nguồn điện cấp cho 1 diode mắc nối tiếp với 1 điện trở R. Gọi UN là điện áp của nguồn. UD là điện áp mở và rd là nội trở của diode. Sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào

a)

UD là đáng kể so với UN và rd là đáng kể so với R

b)

UD là đáng kể so với UN và rd là rất nhỏ so với R

c)

UD là rất nhỏ so với UN và rd là đáng kể so với R

d)

UD là rất nhỏ so với UN và rd là rất nhỏ so với R

65.

Câu 65: Mạch điện trong hình vẽ là mạch

a)

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu song song

b)

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu song song

c)

Hạn chế mức dưới -E mắc kiểu nối tiếp

d)

Hạn chế mức trên -E mắc kiểu nối tiếp

66.

Câu 66: Cho đặc tuyến thể hiện mối liên hệ giữa Uout và Uin như hình vẽ. Đây là đặc tuyến mạch

a)

Hạn chế mức trên

b)

Chỉnh lưu cầu

c)

Hạn chế mức dưới

d)

Chỉnh lưu 1 nửa chu kì

67.

Khi nhiệt độ của 1 diode (có m=1) tăng từ 25 độC (UT=25mV, IS=1nA, UD=0.5V) lên 60 độC (UT=28.7mV, IS=200nA, UD=0.45V). Dòng điện chạy qua diode tăng xấp xỉ:

a)

1.2 lần

b)

2.7 lần

c)

5 lần

d)

12 lần

68.

Cho một diode với thông số sau: m=1; UT=25mV; IS=1nA; UD=0.4V. Dòng điện chạy qua diode xấp xỉ:

a)

6.2mA

b)

3mA

c)

14mA

d)

8.9mA

69.

Diode trong hình vẽ đang hoạt động trong vùng đánh thủng do điện (vùng zener). Khi điện áp vào tăng trong 1 phạm vi cho phép để không làm hỏng diode thì

a)

Điện áp trên Rt tăng theo

b)

Dòng Iz giảm

c)

Điện áp trên Rt giảm đi

d)

Dòng I giảm

e)

Dòng It không đổi

70.

Tại 250C, 1 diode có PD(max)=1W, UD=0.7V. Dòng điện tối đa cho phép qua diode giảm xấp xỉ bn lần để nhiệt độ tăng lên 60 độC(PD(max)=0.4W, UD=0.55V)

a)

4 lần

b)

2 lần

c)

1.3 lần

d)

2.8 lần

71.

Cho các đặc tuyến trong hình vẽ. Hình nào thể hiện đặc tuyến của mạch hạn chế mức dưới âm(74)

a)

Hình A

b)

Hình C

c)

Hình B

d)

Hình D

72.

Cho 1 diode có các thông số: UD=0.8V, UT=25mV, IS=1nA, ID=20mA. Nội trở 1 chiều của diode

a)

20Ω

b)

30Ω

c)

40Ω

d)

60Ω

73.

Diode đang phân cực thuận bằng nguồn điện một chiều. Khi cấp thêm một thành phần điện áp xoay chiều có biên độ là 0.1V vào diode, dòng điện qua diode biến thiên trong khoảng 20mA. Nội trở động của diode xấp xỉ

a)

10Ω

b)

20Ω

c)

0.1Ω

d)

1Ω

74.

Diode bị phân cực ngược khi ( vùng nghèo mở rộng ra, khi đó điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc để làm tăng dòng chảy các hạt thiểu số trong đó ) (dòng trôi tăng)

a)

Dòng điện ngoài có xu hướng chạy cùng chiều với dòng khuếch đại

b)

Điện trường ngoài cùng chiều với điện trường tiếp xúc ở vùng nghèo

c)

Điện trường  ngoài đủ nhỏ, chiều điện trường  là không quan trọng

d)

Từ trường  ngoài ngược chiều với điện trường  tiếp xúc ở vùng nghèo

75.

Câu 78: Mạch điện trong hình vẽ là

a)

Hạn chế trái phải

b)

Hạn chế trên

c)

Hạn chế dưới

d)

Hạn chế cả trên và dưới

76.

Câu 79: Cho một diode với thông số sau: m=1; UT=25mV; IS=1nA; ID=500mA. Điện áp trên diode xấp xỉ:

a)

1,2V

b)

0,5V

c)

0,8V

d)

0,1V

77.

Câu 80: Điện thế nhiệt UT tại nhiệt độ 55 độC có giá trị xấp xỉ

a)

28.1mV

b)

25mV

c)

29.9mV

d)

26.1mV

78.

Câu 81: Bán dẫn loại P có đặc điểm gì khác so với bán dẫn thuần

a)

Có 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 5 k tham gia vào liên kết cộng hóa trị nào

b)

Thiếu 1 điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm 3 ở trong 1 liên kết cộng hóa trị

c)

Không khác bán dẫn thuần

d)

Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn

79.

Câu 82: Nếu một diode ổn áp có Uz bằng 4,7V, phát biểu nào sau đây là đúng

a)

Điện áp thuận cực đại là 4,7V

b)

Điện áp mở là 4,7V

c)

Điện áp đánh thủng do điện là 4,7V

d)

Các phương án đều sai

80.

Câu 83: Dòng trôi là dòng:

a)

Của các electron khi có sự chênh lệch về nồng độ

b)

Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ

c)

Của cả 2 loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường

d)

Các phương án đều sai

81.

Câu 84: Mạch điện trong hình vẽ là mạch

a)

Hạn chế mức dưới mắc kiểu song song

b)

Hạn chế mức trên mắc kiểu song song

c)

Hạn chế mức dưới mắc kiểu nối tiếp

d)

Hạn chế mức trên mắc kiểu nối tiếp