WorksheetsTRANSISTOR TRƯỜNG
Total questions: 64
Worksheet time: 32mins
Name
Class
Date
1.
MOSFET là transitor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Đúng hay sai?
a)
Đúng
b)
Sai
2.
MOSFET là transistor trường bán dẫn oxyde kim loại. Đúng hay sai?
a)
Đúng
b)
Sai
3.
DMOSFET là transistor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Đúng hay sai?
a)
Đúng
b)
Sai
4.
EMOSFET là transistor trường có kênh dẫn được chế tạo sẵn. Đúng hay Sai?
a)
Đúng
b)
Sai
5.
DMOSFET kênh dẫn loại n có thể dùng thay thế cho JFET kênh dẫn loại n. Đúng hay Sai
a)
Đúng
b)
Sai
6.
EMOSFET kênh dẫn loại n có thể dùng thay thế cho DMOSFET kênh dẫn loại n. Đúng hay sai
a)
Đúng
b)
Sai
7.
Phương trình dòng điện cực máng của JFET, DMOSFET, EMOSFET là giống nhau. Đúng hay sai?
a)
Đúng
b)
Sai
8.
Transistor trường JFET gồm mấy loại?
a)
1 loại
b)
2 loại
c)
3 loại
d)
4 loại
9.
Dòng điện cực máng trong JFET kênh N được tạo bởi các?
a)
Lỗ trống
b)
Electron
c)
Cả electron và lỗ trống
d)
Tất cả phương án đều sai
10.
Dòng điện cực máng bão hòa trong JFET kênh N là dòng điện cực máng bão hòa ứng với điện áp giữa cực G và cực S bằng bao nhiêu
a)
= 0V
b)
> 0V
c)
< 0V
d)
= Up (Điện áp thắt kênh)
11.
Điện trở đầu vào (rv) của transistor trường (FET) nói chung và JFET nói riêng có giá trị như thế nào?
a)
Rất lớn
b)
Rất bé (Vài chục đến vài trăm Ohm)
c)
0 Ohm
d)
Không xác định
12.
Với một transistor trường JFET, khi điện áp giữa cực G và cực S bằng (-Up) điện áp thắt kênh thì dòng điện cực máng của nó có giá trị bằng?
a)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa / 2
b)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa / 4
c)
= 0A
d)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa
13.
Với một transistor trường JFET, khi điện áp giữa cực G và cực S bằng 0V thì dòng điện cực máng của nó có giá trị bằng?
a)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa
b)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa / 2
c)
Giá trị của dòng điện cực máng bão hòa / 4
d)
= 0A
14.
Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì?
a)
Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng lớn
b)
Mức bão hòa của dòng điện cực máng càng bé
c)
Mức bão hòa của dòng điện cực máng không đổi
d)
Tất cả các phương án đều sai
15.
Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì
a)
Điện áp thắt kênh càng lớn
b)
Điện áp thắt kênh càng bé
c)
Điện áp thắt kênh không đổi
d)
Tất cả các phương án đều sai
16.
Điện áp thắt kênh của JFET kênh n có giá trị?
a)
âm (<0V)
b)
dương (>0V)
c)
= 0 V
d)
bằng giá trị nguồn điện áp cung cấp
17.
Vùng điện trở kênh dẫn của FET nói chung và của JFET nói riêng gọi là
a)
Vùng bão hòa
b)
Vùng tuyến tính
c)
Vùng cắt dòng
d)
Vùng đánh thủng
18.
JFET kênh dẫn loại n có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G - S và điện áp giữa cực D - S?
a)
Điện áp giữa cực G và S > 0. Điện áp giữa cực D và S > 0
b)
Điện áp giữa cực G và S < 0. Điện áp giữa cực D và S > 0
c)
Điện áp giữa cực G và S > 0. Điện áp giữa cực D và S < 0
d)
Điện áp giữa cực G và S < 0. Điện áp giữa cực D và S < 0
19.
JFET kênh dẫn loại n có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G - S và điện áp giữa cực D - S?
a)
Điện áp giữa cực G và S = 0. Điện áp giữa cực D và S = 0
b)
Điện áp giữa cực G và S = 0. Điện áp giữa cực D và S < 0
c)
Điện áp giữa cực G và S = 0. Điện áp giữa cực D và S > 0
d)
Tất cả phương án đều sai
20.
Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S càng âm thì?
a)
Điện trở của kênh dẫn càng giảm
b)
ĐIện trở của kênh dẫn càng tăng
c)
Điện trở của kênh dẫn không đổi
d)
Tất cả phương án đều sai
21.
Với JFET kênh n, khi điện áp giữa cực G và S ở trạng thái khóa thì?
a)
Dòng điện cực máng rất lớn
b)
Dòng điện cực máng không đổi
c)
Dòng điện cực máng = 0
d)
Tất cả phương án đều sai
22.
Vùng đầu tiên (gần gốc tọa độ của hệ đồ thị) trong đặc tuyến ra của JFET là vùng
a)
Tuyến tính
b)
Bão hòa
c)
Đánh thủng
d)
Cắt dòng
23.
Một transistor trường nói chung và JFET nói riêng có thể được dùng như một điện trở được điều khiển bởi?
a)
Dòng điện
b)
Điện áp
c)
Cả điện áp và dòng điện
d)
Tần số
24.
Một transistor trường nói chung và JFET nói riêng, dòng điện cực máng và dòng điện cực nguồn có quan hệ như thế nào?
a)
Bằng nhau
b)
Dòng điện cực máng > dòng dòng điện cực nguồn
c)
Dòng điện cực máng < dòng điện cực nguồn
d)
Tất cả phương án đều sai
25.
Thứ tự các cực G, D, S của FET nói chung và của JFET nói riêng có thể coi tương đương với các cực ... của BJT
a)
C, B, E
b)
B, C, E
c)
E, C, B
d)
C, E, B
26.
Để JFET kênh N làm việc ở chế độ khuếch đại, thì điều kiện đối với điện áp giữa cực G và cực S của nó là:
a)
< -Up
b)
= -Up
c)
-Up < U_GS và U_DS >0
d)
-Up <= U_GS và U_DS > 0
27.
Điều kiện để JFET kênh N làm việc ở chế độ khuếch đại là
a)
U_GS < 0 và U_DS < 0
b)
U_GS < 0 và U_DS > 0
c)
U_GS > 0 và U_DS < 0
d)
U_GS = 0 và U_DS < 0
28.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của JFET kênh N
a)
A
b)
B
c)
C
d)
D
e)
E
29.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của JFET kênh P
a)
B
b)
A
c)
C
d)
D
e)
E
30.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của DMOSFET kênh N
a)
D
b)
A
c)
B
d)
C
e)
E
31.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của DMOSFET kênh P
a)
C
b)
A
c)
B
d)
D
e)
E
32.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của EMOSFET kênh N
a)
F
b)
A
c)
B
d)
C
e)
D
33.
Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của EMOSFET kênh P
a)
E
b)
A
c)
B
d)
C
e)
D
34.
Vùng điện trở kênh dẫn của FET nói chung và DMOSFET nói riêng gọi là
a)
Vùng bão hòa
b)
Vùng tuyến tính
c)
Vùng cắt dòng
d)
Vùng đánh thủng
35.
Với DMOSFET kênh N, khi điện áp giữa cực G và S ở trạng thái khóa thì?
a)
Dòng điện cực máng rất lớn
b)
Dòng điện cực máng không đổi
c)
Dòng điện cực máng = 0
d)
Tất cả phương án đều sai
36.
DMOSFET kênh dẫn loại N có thể làm việc được với trường hợp nào của điện áp giữa cực G và cực S của nó?
a)
U_GS < 0
b)
U_GS > 0
c)
U_GS = 0
d)
Cả 3 trường hợp trên
37.
Chế độ làm giàu hạt dẫn cho kênh dẫn của DMOSFET kênh dẫn loại N khi điện áp giữa cực G và cực S có giá trị:
a)
< 0 V
b)
> 0 V
c)
= 0 V
d)
>= 0 V
38.
Chế độ làm nghèo hạt dẫn cho kênh dẫn của DMOSFET kênh dẫn loại N khi điện áp giữa cực G và cực S có giá trị:
a)
< 0 V
b)
> 0 V
c)
= 0 V
d)
>= 0 V
39.
Để tạo DMOSFET kênh dẫn loại N thì điện áp giữa cực G và cực S của nó phải như thế nào?
a)
< 0 V và đạt giát trị ngưỡng nào đó
b)
> 0 V và đạt giá trị ngưỡng nào đó
c)
= 0V
d)
Tất cả phương án đều sai
40.
Để DMOSFET kênh dẫn loại n làm việc thì điện áp giữa các cực G-S, D-S của nó phải như thế nào
a)
U_GS > 0V, U_DS > 0V
b)
U_GS > 0V, U_DS < 0V
c)
U_GS = 0V, U_DS > 0V
d)
U_GS < 0V, U_DS < 0V
41.
Họ đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến đầu ra sau đây là của loại FET nào
a)
JFET kênh N
b)
EMOSFET kênh N
c)
DMOSFET kênh N
d)
EMOSFET kênh P
42.
Họ đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến đầu ra sau đây là của loại FET nào
a)
JFET kênh N
b)
EMOSFET kênh N
c)
DMOSFET kênh N
d)
EMOSFET kênh P
43.
Họ đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến đầu ra sau đây là của loại FET nào
a)
JFET kênh N
b)
EMOSFET kênh N
c)
DMOSFET kênh N
d)
EMOSFET kênh P
44.
Điện trở kênh dẫn của JFET luôn không đổi khi hoạt động. Đúng hay sai
a)
Đúng
b)
Sai
45.
Chế độ hoạt động của D-MOSFET là:
a)
Chỉ làm nghèo hạt dẫn
b)
Chỉ làm giàu hạt dẫn
c)
Làm nghèo hay làm giàu hạt dẫn tùy theo cách phân cực
d)
Bão hòa
46.
Có thể coi FET như một điện trở có giá trị được điều khiển bằng
a)
Điện áp
b)
Dòng điện
c)
Cả điện áp và dòng điện
d)
Các đáp án đều sai
47.
Về mặt cấu tạo, mỗi E-MOSFET kênh N có
a)
Hai vùng bán dẫn loại N+ trên một khối bán dẫn loại P; có sẵn kênh nối hai vùng bán dẫn loại N+
b)
Hai vùng bán dẫn loại N+ trên một khối bán dẫn loại P; KHÔNG có sẵn kênh dẫn nối hai vùng bán dẫn loại N+
c)
Hai vùng bán dẫn loại P trên một khối bán dẫn loại N; có sẵn kênh nối hai vùng bán dẫn loại P
d)
Hai vùng bán dẫn loại P trên một khối bán dẫn loại N; KHÔNG có sẵn kênh nối dẫn hai vùng bán dẫn loại P
48.
Tính VG
a)
-2V
b)
0V
c)
16V
d)
2V
49.
Cho mạch điện tử như hình vẽ. Biết Idss=6mA và Ugs(off)=-2V. Giá trị của Uds
a)
14V
b)
16V
c)
18V
d)
20V
50.
DMOSFET có thể hoạt động với UGS có giá trị:
a)
Chỉ âm
b)
Chỉ dương
c)
Chỉ bằng 0V
d)
Âm hoặc bằng 0V hoặc dương đều được
51.
Căn cứ vào tiêu chí kênh dẫn, JFET được chia thành bao nhiêu loại
a)
Một loại: Kênh I
b)
Hai loại: Kênh P và Kênh N
c)
Ba loại: Kênh P, Kênh N và Kênh I
d)
Các phương án đưa ra đều sai
52.
Trong các kiểu phân cực sau, kiểu phân cực nào KHÔNG thích hợp với EMOSFET
a)
Điện áp cố định
b)
Tự phân cực
c)
Phân áp
d)
Các phương án đưa ra đều đúng
53.
Mô tả nào sau đây là đúng nhất về một JFET kênh N
a)
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực máng chạy hoàn toàn trong vùng bán dẫn loại N
b)
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực máng chạy hoàn toàn trong vùng bán dẫn loại P
c)
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực nguồn chạy từ P sang N
d)
Có một tiếp giáp PN, dòng điện cực nguồn chạy từ N sang P
54.
EMOSFET tạo kênh dẫn loại N có thể hoạt động với U_GS như thế nào?
a)
Âm
b)
Dương
c)
Bằng 0V
d)
Lớn hơn hoặc bằng giá trị ngưỡng (U_th) có giá trị dương
55.
U_GS của JFET trong mạch là:
a)
-2V
b)
2V
c)
-8V
d)
0V
e)
Tùy chọn 5
56.
Khi U_GS = 0V, dòng điện cực máng chạy qua JFET bằng
a)
0
b)
I_Dss
c)
I_Dss/2
d)
I_Dss/4
57.
Kênh dẫn loại n trong DMOSFET phải là
a)
Kênh N đặt sẵn
b)
Kênh P đặt sẵn
c)
Kênh N cảm ứng
d)
Kênh P cảm ứng
58.
Một khác biệt cơ bản giữa FET và BJT là:
a)
FET có trở kháng vào nhỏ hơn
b)
Dòng điện đầu ra của FET được điều khiển bằng dòng điện đầu vào, dòng điện đầu ra của BJT được điều khiển bằng điện áp đầu vào
c)
Dòng điện đầu ra của FET được điều khiển bằng điện áp đầu vào, dòng điện đầu ra của BJT được điều khiển bằng dòng điện đầu vào
d)
FET có kích thước lớn hơn rất nhiều so với BJT
59.
Khi JFET hoạt động trong vùng bão hòa, dòng điện I_D
a)
Giảm đáng kể khi U_DS tăng
b)
Tăng đáng kể khi U_DS tăng
c)
Gần như không đổi khi U_DS tăng
d)
Tăng đáng kể khi U_DS giảm
60.
Cho một DMOSFET có I_DSS = 10mA và U_GS(off) = +4V, giá trị I_D xấp xỉ:
a)
22.5mA
b)
2.5mA
c)
12.5mA
d)
5mA
61.
Xét về chức năng và cách kết nối trong mạch điện, ba cực G, D và S của FET có nhiều điểm tương đồng với ba cực của BJT xếp theo thứ tự tương ứng là
a)
C, B, E
b)
B, C, E
c)
E, C, B
d)
C, E, B
62.
Mạch điện CMOSFET có sự kết hợp giữa hai lại FET nào trong số sau đây
a)
MOSFET kênh N và MOSFET kênh P
b)
JFET kênh N và MOSFET kênh P
c)
MOSFET kênh N và JFET kênh P
d)
JFET kênh N và JFET kênh P
63.
Ở đặc tuyến ra của JFET kênh N, dòng I_D tăng khi
a)
U_GS giảm nhưng vẫn đảm bảo lớn hơn U_GS(off) = -Up
b)
U_GS giảm nhưng vẫn đảm bảo nhỏ hơn 0V
c)
U_GS tăng nhưng vẫn đảm bảo nhỏ hơn 0V
d)
Các phương án đưa ra đều sai
64.
Để tạo ra kênh dẫn trong EMOSFET thì:
a)
Cấp một dòng điện đầu vào cực G rất lớn
b)
Cấp điện áp đầu vào giữa cực G và cực S (U_GS) lớn hơn giá trị điện áp U_GS ngưỡng
c)
Cấp một dòng điện đầu vào cực G rất bé
d)
Chỉ cần cấp điện áp đầu vào giữa cực G và cực S (U_GS) có giá trị ngẫu nhiên
100 %
