WorksheetsÔN TẬP DIODE P1
Total questions: 49
Worksheet time: 25mins
Diode bán dẫn có nỗi trở rất cao khi phân cực thuận
Đúng
Sai
Diode bán dẫn không có cực tính
Đúng
Sai
Diode bán dẫn được chế tạo từ các chất bán dẫn tạp chất
Đúng
Sai
Phương trình dùng để tính công suất tỏa ra trên Diode là
sai hết
Pd = Ud x Id
Pd = Ud x Rd
Pd = Ud² x Id
Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp
Lỗi trong quá trình sản xuất
Các phương án đưa ra đều sai
Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường
Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số cho pháp sự tái hợp xảy ra khá triệt để tại vùng tiếp giáp
Diode sẽ không bị hỏng bởi nguyên nhân nào trong số đây
Điện áp giữa hai đầu diode quá lớn
Tần số của dòng điện chạy qua diode quá lớn
Dòng điện chạy qua diode quá lớn
Sai hết
Những dòng điện nào sẽ xuất hiện khi hai khối bán dẫn loại N và P ghép tiếp xúc với nhau
Dòng trôi của hạt dẫn và ion
Dòng điện trở tự do và điện tử hóa trị
Dòng trôi và dòng khuếch tán của cả điện tử lẫn lỗ trống
Dòng khuếch tán của lỗ trống và dòng trôi của điện tử
Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là gì
Điện tử
Ion dương
Không có hạt dẫn nào là đa số
Lỗ trống
Ý nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode
Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều
Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode
Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược
Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian
Trong mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ bằng diode lý tưởng, khi diode ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua tải là
Đạt max
>0
= 0
Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode là
A. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
B. Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, tuyến tính hóa nhiều đoạn (phức tạp)
C. Lý tưởng, gần lý tưởng, thực tế
D. Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)
Với diode, sơ đồ tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ) khác nhau chỗ nào
Nội trở rd
Điện áp mở Ud0 và dung kháng khuếch tán (điện dung của tiếp giáp)
Điện áp mở Ud0
Nội trở rd và điện áp mở Ud0
Chức năng chính của diode Zener
Ổn dòng
Ổn áp
Chỉnh lưu
Nhân áp
Một tiếp xúc PN đang được phân cực ngược. Điện dung của tiếp xúc sẽ giảm khi
Điện áp ngược tăng lên
Điện áp ngược giảm đi
Ngừng phân cực cho tiếp xúc
Các phương án đưa ra đều sai
Điện thế nhiệt Ur tại nhiệt độ 55C có giá trị xấp xỉ
28.3mV
25mV
26.1mV
29.9mV
Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu cầu là
1
2
3
4
Ứng dụng nào dưới đây KHÔNG phải ứng dụng đặc trưng của diode
Khuếch đại tín hiệu
Chỉnh lưu nửa chu kỳ
Hạn mức điện áp
Chỉnh lưu cả chu kỳ
Khi mạch chỉnh lưu cầu hoạt động
Có duy nhất 1 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Có 2 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Có 3 diode dẫn thông, các diode còn lại đều khóa
Tất cả các diode cùng dẫn thông
Nhiệt độ tăng ảnh hưởng như thế nào tới hoạt động của diode
Dòng ngược bão hòa của diode giảm
Điện áp mở của diode giảm
Diode không hoạt động được
Dòng điện thuận cực đại tăng
Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ
Biến đổi dòng điện xoay chiều sang dòng điện một chiều
Biến đổi dòng điện một chiều sang dòng điện xoay chiều
Giảm độ nhấp nhô (gợn) cho điện áp ra của các bộ nguồn
Lưu trữ năng lượng trong một nửa chu kỳ và giải phóng trong nửa chu kỳ còn lại của hình sin
Đặt điện áp dương vào vùng P và điện áp âm vào vùng N của một tiếp xúc PN sẽ khiến
Dòng điện qua lớp tiếp xúc tăng lên
Dòng điện qua lớp tiếp xúc giảm đi
Bề rộng vùng nghèo tăng lên
Trở kháng của lớp tiếp xúc tăng lên
Khi diode phân cực thuận, vùng nghèo hạt dẫn sẽ
Thu hẹp vào ở cả hai phía
Thu hẹp vào ở 1 phía
Mở rộng ra về cả 2 phía
Mở rộng ra về 1 phía
Cơ bản là không đổi
Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng silic là xấp xỉ
0.7V
0.3V
Trong bán dẫn tạp chất loại P, mỗi lỗ trống trong mạng tinh thể có xu hướng
Hút lỗ trống lân cận lại gần
Đẩy lỗ trống lân cận ra xa
Lấy một điện tử ở liên kết bên cạnh để lấp đầy vị trí trống của mình
Lấy một điện tử nằm gần hạt nhân của nguyên tử từ tạp chất ra để lấp đầy vị trí trống của mình
Trong tiếp giáp PN, vùng nghèo hạt dẫn mở rộng nhiều hơn sang miền bán dẫn
Có nồng độ pha tạp lớn hơn
Kích thước nhỏ hơn
Kích thước lớn hơn
Có nồng độ pha tạp nhỏ hơn
Loại P
Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ là
1
2
3
4
Để tạo ra bán dẫn thuần, tại sao phải yêu cầu độ sạch rất cao trong phòng sản xuất
Hạn chế tối đa bụi bay vào màng tinh thể
Giúp dây truyền sx trơn tru, không bị tác động bởi bên ngoài
Các phương án trên đều sai
Sản xuất bán dẫn có hại cho sức khỏe, độ sạch cao giúp bảo vệ sức khỏe người lao động
Khi diode phân cực ngược, phát biểu nào sau đây đúng
A. Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm
B. Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng
C. Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt giá trị bão hòa
D. Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng mạnh
Đặt điện áp dương vào vùng P, điện áp âm vào vùng N của 1 tiếp giáp PN sẽ khiến
A. Trở kháng của lớp tiếp giáp tăng lên
B. Dòng điện qua lớp tiếp giáp tăng lên
C. Dòng điện qua lớp tiếp giáp giảm đi
D. Bề rộng vùng nghèo hạt dẫn tăng lên
Số lượng diode tối thiểu trong một mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng biến áp có điểm giữa là
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
Gọi Rd là nội trở một chiều của diode. Ud và Id lần lượt là điện áp giữa hai đầu và dòng điện chạy qua diode. Rd có thể được tính bởi công thức nào trong số công thức
A. Rd = dUd/dId
B. Rd = Ud/Id
C. sai hết
D. Rd = Pd x Id
Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất
A. Kẽm
B. Silic
C. Chì
D. Đồng
Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường
A. Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện
B. Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện
C. Sai hết
D. Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện
Trong mạng tinh thể silic, liên kết giữa hai nguyên tử silic là
A. Liên kết đẳng thế
B. sai hết
C. Liên kết đồng đều
D. Liên kết cộng hóa trị
Dòng điện khuếch tán là dòng của các hạt dẫn trong điều kiện
A. Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
B. Có dòng điện ngoài chạy qua khỏi bán dẫn
C. Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
D. Có điện trường ngoài đặt vào khối b
Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode = 0 do
sai hết
Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống
Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng với nhau và triệt tiêu lẫn nhau
Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không còn dòng
Để tạo ra điện tử tự do trong mạng tinh thể một khối bán dẫn thuần đang ở 0°K, phương án nào sau đây là SAI
Nung nóng khối bán dẫn
Không cần làm gì vì đã có sẵn nhiều điện tử tự do trong mạng tinh thể
Đặt một nguồn phóng xạ cạnh khối bán dẫn
Chiếu sáng khối bán dẫn bằng ánh sáng có bước sóng ngắn
Diode rơi vào vùng đánh thủng do điện khi
Điện áp ngược trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
Điện áp thuận trên diode lớn hơn giá trị đánh thủng
Điện áp ngược đặt lên diode bằng 0 nhưng diode quá nóng
Dòng điện thuận chạy quá diode quá lớn
Khi một diode silic phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp thuận bắt đầu vượt quá
0.7V
0.3V
1.3V
1.7V
Dòng điện trôi là dòng:
Của các điện tử khi có sự chênh lệch về nồng độ
sai hết
Của các lỗ trống khi có sự chênh lệch về nồng độ
Của cả hai loại hạt dẫn dưới tác động của điện trường
Trong vùng đánh thủng do điện, dòng điện qua diode:
= 0
Là dòng ngược nhưng tăng mạnh theo điện áp
Là dòng ngược bão hòa
Là dòng thuận và giảm mạnh theo điện áp
Là dòng thuận cực lớn làm cho diode hỏng ngay lập tức
Tác dụng của tụ điện mắc // với tải đầu ra của mạch chỉnh lưu là
Nắn điện áp xoay chiều thành 1 chiều
Tăng điện áp đầu ra lên gấp đôi
Giảm độ gợn điện áp đầu ra
Không cho các nhiễu điện tần số cao đi xuống cực âm của nó
Tên gọi thông dụng cho các vùng trên đặc tuyến vôn-ampe của diode là
Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, quá dòng, quá nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, đánh thủng do điện (zener), đánh thủng do từ
Trong liên kết cộng hóa trị, mỗi nguyên tử silic của bán dẫn thuần góp bao nhiêu điện từ cho liên kết chung
2
7
8
1
Trong diode, hạt dẫn đa số là
Lỗ trống
Điện từ bên bán dẫn loại N, lỗ trống bên bán dẫn loại P
Điện từ
Điện từ bên bán dẫn loại P, lỗ trống bên bán dẫn loại N
Tất cả các phương án đều đúng
Bán dẫn tạp chất loại P bao gồm các nguyên tố nào sau đây
Nhóm III
Nhóm III pha với nhóm IV
Nhóm IV
Nhóm V
Nhóm III pha với nhóm V
Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn
Điện tử nhiều hơn lỗ trống
Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra
Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau
Lỗ trống nhiều hơn điện tử
Nếu một diode ổn áp có Uz = 4.7V, phát biểu sau đây là đúng
Điện áp thuận cực đại là 4.7V
Điện áp mở là 4.7V
Các phương án đưa ra đều sai
Điện áp đánh thủng do điện là 4.7V
Đặt điện áp ngược 12V lên mạch điện gồm 1 diode zener mắc nối tiếp với 1 điện trở R. Nếu Uz = 3V, thì giá trị điện áp đo đc trên diode zener sẽ là
A. 12V
B. 3V
C. 9V
D. 6V
